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1.

図書

図書
澤木宣彦著
出版情報: 東京 : 培風館, 1995.1  x, 227p ; 22cm
シリーズ名: 電子・情報工学講座 ; 9
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2.

図書

図書
斎木敏治, 戸田泰則共著
出版情報: 東京 : オーム社, 2004.9  xi, 214p ; 22cm
シリーズ名: ナノオプティクス
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3.

図書

図書
大橋直樹監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2011.12  vi, 252p ; 27cm
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4.

図書

図書
水野博之著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 1978.7  3, 203p ; 22cm
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5.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
B.L.アンダーソン, R.L.アンダーソン著 ; 樺沢宇紀訳
出版情報: 東京 : シュプリンガー・ジャパン, 2008.5  ixp, p692-1008 ; 21cm
シリーズ名: 半導体デバイスの基礎 / B. L. アンダーソン, R. L. アンダーソン著 ; 樺沢宇紀訳 ; 下
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第IV部 バイポーラ・トランジスタ(BJT)
第9章 バイポーラ・トランジスタの静的特性 697
   9.1 はじめに 697
   9.2 出力特性(定性的議論) 702
   9.3 電流利得 705
   9.4 理想的なBJTのモデル 707
   9.4.1 コレクタ係数M 712
   9.4.2 注入効率γ 712
   9.4.3 ベース輸送効率αT 714
   9.5 BJTにおける不純物濃度の勾配 720
   9.5.1 傾斜ベース・トランジスタ 724
   9.5.2 ベース電界のβへの影響 729
   9.6 基本的なEbers-Moll直流モデル 730
   9.7 BJTにおける電流集中とベース抵抗 734
   9.8 ベース幅の変調(Early効果) 738
   9.9 なだれ破壊 744
   9.10 高水準注入 744
   9.11 ベース押し出し(Kirk効果) 745
   9.12 エミッタ-ベース接合における再結合 747
   9.13 まとめ 749
   9.14 付録の参考文献リストについて 751
   9.15 第9章の参考文献 751
   9.16 復習のポイント 752
   9.17 練習問題 752
第10章 BJTの時間依存特性の解析 759
   10.1 はじめに 759
   10.2 Ebers-Moll交流モデル 759
   10.3 小信号等価回路 761
   10.3.1 混成πモデル 763
   10.4 BJTにおける蓄積電荷容量 769
   10.5 周波数応答 774
   10.5.1 単位電流利得周波数かfT 775
   10.5.2 ベース走行時間 777
   10.5.3 ベース-コレク夕接合通過時間 779
   10.5.4 最大発振周波数 779
   10.6 高周波トランジスタ 780
   10.6.1 ダブル-ボリシリコン自己整合型トランジスタ 780
   10.7 BJTのスイッチ動作 783
   10.7.1 出力のlow-to-high遷移時間 786
   10.7.2 Schottkyクランプ・トランジスタ 788
   10.7.3 エミッタ結合型論理回路 789
   10.8 BJTとMOSFETとBiMOS 792
   10.8.1 BJTとMOSFETの比較 792
   10.8.2 BiMOS 794
   10.9 まとめ 796
   10.10 付録の参考文献リストについて 797
   10.11 第10章の参考文献 797
   10.12 復習のポイント 798
   10.13 練習問題 798
補遺4 : バイポーラ・デバイス 801
   S4.1 はじめに 801
   S4.2 へテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT) 802
   S4.2.1 組成勾配を持たないHBT 802
   S4.2.2 組成勾配型HBT 806
   S4.3 Si-BJTとSiGeベース,GaAsベースHBT 809
   S4.4 サイリスタ(npnp型スイッチ) 811
   S4.4.1 4層ダイオードスイッチ 811
   S4.4.2 npnpスイッチの2-トランジスタモデル 816
   S4.5 シリコン制御整流器 817
   S4.6 CMOS回路における寄生npnpスイッチ 822
   S4.7 BJTへのSPICEの適用 823
   S4.7.1 寄生効果 825
   S4.7.2 低電流から中電流の動作領域 826
   S4.7.3 大電流領域 828
   S4.8 SPICEのBJTへの応用例 829
   S4.9 まとめ 835
   S4.10 補遺4の参考文献 836
   S4.11 復習のポイント 837
   S4.12 練習問題 837
第Ⅴ部 光デバイス
第11章 光エレクトロニクスデバイス 843
   11.1 はじめに 843
   11.2 光検出器(フォト・ダイオード) 843
   11.2.1 一般的な光検出器 845
   11.2.2 太陽電池 845
   11.2.3 p-i-n(PIN)型光検出器 860
   11.2.4 なだれフォト・ダイオード 862
   11.3 発光ダイオード(LED) 864
   11.3.1 順方向バイアス下の接合における自発放射 864
   11.3.2 等電性捕獲準位 867
   11.3.3 青色LEDと白色LED 869
   11.3.4 赤外LED 869
   11.4 レーザー・ダイオード 876
   11.4.1 光学利得 877
   11.4.2 自己帰還 881
   11.4.3 利得+帰還=レーザー 558
   11.4.4 レーザーの構造 887
   11.4.5 他の半導体レーザー用材料 891
   11.5 撮像素子(イメージ・センサー) 893
   11.5.1 電荷結合撮像素子 893
   11.5.2 MOS撮像素子 894
   11.6 まとめ 896
   11.7 付録の参考文献リストについて 897
   11.8 第11章の参考文献 898
   11.9 復習のポイント 898
   11.10 練習問題 899
付録A 半導体デバイスの製造 905
   A.1 はじめに 905
   A.2 基板の製造 905
   A.2.1 原材料 906
   A.2.2 結晶成長 907
   A.2.3 結晶欠陥 912
   A.2.4 エピタキシイ 913
   A.3 不純物添加 917
   A.3.1 不純物の拡散 918
   A.3.2 イオン注入(イオン打ち込み) 920
   A.4 リソグラフィ 922
   A.5 導電体と絶縁体 925
   A.5.1 金属配線 925
   A.5.2 多結晶シリコン 926
   A.5.3 酸化工程 928
   A.5.4 窒化珪素 931
   A.6 クリーン・ルーム 932
   A.7 パッケージ 933
   A.7.1 導線接続(ワイヤー・ボンディング) 933
   A.7.2 外線(リード) 935
   A.7.3 フリップ・チップ 936
   A.7.4 表面固定型パッケージ 936
   A.8 まとめ 938
付録B 状態密度と有効質量 939
   B.1 はじめに 939
   B.2 1次元自由電子 939
   B.3 2次元自由電子 941
   B.4 3次元自由電子 943
   B.5 周期的な結晶場における擬似自由電子 944
   B.6 状態密度有効質量 945
   B.6.1 例1 : K=0に単一の最小点を持つ伝導帯 945
   B.6.2 例2 : K=0で2つのバンドが同じ最大点を持つ価電子帯 946
   B.6.3 例3 : 複数の等価な最小点を持つ伝導帯(Si,Ge,GaPなど) 947
   B.7 伝導有効質量 949
   B.7.1 例1 : K=0に単一の最小点を持つ伝導帯 950
   B.7.2 例2 : 価電子帯の正孔 950
   B.7.3 例3 : 複数の等価な最小点を持つ伝導帯の電子 951
   B.7.4 例4 : 歪みシリコン 951
   B.8 有効質量のまとめ 954
付録C 定数・単位・元素表 955
付録D 記号一覧・ギリシャ文字 963
付録E 積分公式 983
付録F 有用な式 985
付録G 参考文献リスト 997
訳者あとがき 1001
索引 1003
第IV部 バイポーラ・トランジスタ(BJT)
第9章 バイポーラ・トランジスタの静的特性 697
   9.1 はじめに 697
6.

電子ブック

EB
大橋直樹監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2011.12  1 オンラインリソース
シリーズ名: エレクトロニクスシリーズ ;
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7.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
青柳克信 [ほか] 共著
出版情報: 東京 : コロナ社, 2008.2  x, 316p ; 22cm
シリーズ名: フォトニクスシリーズ / 伊藤良一, 神谷武志, 柊元宏編 ; 1
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1 媒質中を伝播する電磁波としての光
   1.1 はじめに 1
   1.2 基礎論 2
   1.2.1 偏光 2
   1.2.2 真空中のマクスウェル方程式 4
   1.2.3 媒質中のマクスウェル方程式 5
   1.2.4 屈折と反射 8
   1.2.5 多層膜における反射と透過 11
   1.2.6 全反射 13
   1.2.7 金属における反射 14
   1.2.8 誘電体の誘電率のミクロな描像 16
   1.2.9 局所場と屈折率 18
   1.2.10 金属の誘電率のミクロな描像 20
   1.2.11 異方性媒質における屈折率 21
   1.3 非線形光学効果 23
   1.3.1 非線形光学効果の基礎 23
   1.3.2 非線形媒質中の光の伝搬 26
   1.3.3 非線形光学効果のミクロな描像 28
   引用・参考文献 29
2 半導体のエネルギー構造
   2.1 はじめに 31
   2.2 自由電子と自由原子内の電子状態 31
   2.3 ブロッホの定理 36
   2.4 Kronig-Pennyモデル 39
   2.5 結晶中の電子状態 41
   2.5.1 自由電子近似 41
   2.5.2 kの任意性と第1ブリュアンゾーン 46
   2.5.3 有効質量と有効質量方程式 49
   2.5.4 強束縛近似 54
   2.5.5 k・p摂動法 65
   2.6 バンド計算法 74
   2.6.1 直交平面波法(OPW法)と擬ポテンシャル法 74
   2.6.2 補強された平面波法(APW法) 79
   引用・参考文献 81
3 半導体における光の吸収
   3.1 はじめに 82
   3.2 光吸収の量子論 82
   3.3 半導体中のバンド間遷移 85
   3.3.1 第1種(直接許容)バンド間遷移 86
   3.3.2 バンド構造における特異点と結合状態密度 90
   3.3.3 第2種(直接禁制)バンド間遷移 92
   3.3.4 間接バンド間遷移 93
   3.4 励起子 97
   3.4.1 直接励起子遷移 98
   3.4.2 励起子吸収 102
   引用・参考文献 107
4 半導体からの発光
   4.1 はじめに 109
   4.2 半導体の種々の発光過程 109
   4.3 直接遷移発光(帯間発光) 111
   4.4 間接遷移発光 113
   4.5 励起子発光 115
   4.6 束縛励起子 118
   4.7 励起子ポラリトン 121
   4.8 励起子分子 122
   4.9 D-Aペア発光124
   引用・参考文献 126
   5 へテロ構造
   5.1 バンド構造 : 帯状のエネルギーが許容される領域 127
   5.2 へテロ構造のバンド図 128
   5.3 半導体量子井戸における電子状態 132
   5.3.1 無限大深さ量子井戸中のエネルギー固有値の計算 132
   5.3.2 有限深さ量子井戸中のエネルギー固有値 134
   5.4 状態密度 144
   5.4.1 3次元(バルク)の場合 144
   5.4.2 2次元(量子井戸)の場合 147
   5.4.3 1次元(量子細線)の場合 147
   5.4.4 0次元の場合 148
   5.5 有限量子井戸での量子準位と光学的遷移 148
   5.5.1 半導体量子構造での発光特性 148
   5.5.2 半導体量子井戸でのエキシトン効果 151
   5.6 超格子 155
   5.7 量子井戸の光吸収の偏波面依存性 158
   5.8 超格子の電界効果 162
   5.8.1 量子井戸のシュタルク効果 162
   5.9 量子細線の光物性 169
   5.10 量子ドット 172
   5.10.1 量子ドットの光物性 172
   5.10.2 Si量子ドットからの発光 175
   5.11 量子構造の応用 177
   5.11.1 カスケードレーザ 177
   5.11.2 量子細線レーザ 181
   5.11.3 量子ドットレーザ 183
   引用・参考文献 190
6 フォトニック結晶と表面プラズモン
   6.1 はじめに 201
   6.2 フォトニック結晶 202
   6.2.1 シュレーディンガー方程式と光波動方程式 202
   6.2.2 フォトニック結晶 204
   6.2.3 多層膜における分散関係 205
   6.2.4 分散関係の導出 209
   6.2.5 1次元フォトニック結晶 210
   6.2.6 2次元フォトニック結晶 211
   6.2.7 3次元フォトニック結晶 213
   6.2.8 フォトニック結晶における光の伝搬 214
   6.2.9 フォトニック結晶の応用 216
   6.3 表面プラズモン 218
   6.3.1 表面プラズモンとマクスウェル方程式 218
   6.3.2 局在プラズモン共鳴 222
   引用・参考文献 223
7 スピンと光学的特性
   7.1 はじめに 226
   7.2 光学遷移における選択則と磁気光学効果 226
   7.2.1 磁気光学効果 228
   7.2.2 希薄磁性半導体 234
   7.2.3 半導体中のスピンダイナミクス 236
   7.3 光誘起磁性 242
   7.3.1 多電子状態の制御 246
   7.3.2 スピン間相互作用の制御 248
   7.3.3 光の角運動量による磁化の制御 250
   引用・参考文献 252
8 種々の先端材料の光物性
   8.1 液晶材料 253
   8.1.1 液晶の種類 253
   8.1.2 キラル液晶 256
   8.1.3 液晶の弾性 258
   8.1.4 相転移の分子論 260
   8.1.5 ツイステッドネマチックバルブ 262
   8.2 有機エレクトロルミネセンス 265
   8.2.1 有機エレクトロルミネセンスの構造 265
   8.2.2 有機エレクトロルミネセンスを構成する材料 267
   8.2.3 空間電荷制限電流 270
   8.3 非線形光学材料 272
   8.3.1 非線形光学材料の種類 272
   8.3.2 光第2高調波発生用材料 272
   8.3.3 電気光学効果用材料 274
   8.3.4 光カー効果材料275
   引用・参考文献 276
9 機能素子への光物性の適用
   9.1 発光素子 278
   9.1.1 発光ダイオード 278
   9.1.2 半導体レーザ 283
   9.2 光第2高調波発生 298
   9.2.1 光第2高調波テンソル 299
   9.2.2 位相整合の種類 300
   9.2.3 角度位相整合 302
   9.2.4 擬似位相整合 304
   9.3 電気光学効果を利用したデバイス 304
   9.3.1 電気光学効果 304
   9.3.2 光変調器 308
引用・参考文献 311
索引 313
1 媒質中を伝播する電磁波としての光
   1.1 はじめに 1
   1.2 基礎論 2
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