Blank Cover Image
所蔵情報QRコード

InGaAsp/Inp Semiconductor lasers in 1.5μm range / Shigeyuki Akiba

資料種別:
学位論文
出版情報:
東京 : 東京工業大学, 1984
著者名:
秋葉, 重幸  
書誌ID:
1000266303
子書誌情報
Loading
フルテキスト
Loading contents information
所蔵情報
Loading availability information

類似資料:

1 図書 Submarine cable network systems

秋葉, 重幸, 西, 成人

NTT Quality Printing Services co.
7 学位論文 微小光学系を用いるイメージ前処理系に関する研究

秋葉, 敦

東京工業大学
2 学位論文 1.5-1.6μm GaInAsP/InP semiconductor lasers with fine wirelike active regions

布谷, 伸浩

東京工業大学
8 図書 Physical properties of III-V semiconductor compounds : InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP

安達, 定雄(1950-)

J. Wiley
3 学位論文 1.5-1.6μm wavelength GaInAsP/InP injection lasers

荒井, 滋久

東京工業大学
9 図書 ディーゼル機関の設計と調整

児玉, 重幸

コロナ社
4 学位論文 A study of carrier dynamics in 1.5-μm-wavelength Multiquantum well semiconductor lasers

入川, 理徳

東京工業大学, 2001
10 学位論文 高分子液体および濃厚溶液の粘弾性に関する研究

上田, 重幸

東京工業大学
5 学位論文 Study of excited states of CO and He2 by laser spectroscopy

関根, 重幸

東京工業大学
11 学位論文 [26]Alの核磁気モーメント

秋葉, 光徳

東京工業大学
6 学位論文 1.3μm帯InGaAsP/InP半導体レーザの研究

山本, たか也

東京工業大学
12 学位論文 電磁石装置における漏洩磁界の影響に関する研究

秋葉, 稔光

東京工業大学
1
 
2
 
3
 
4
 
5
 
6
 
7
 
8
 
9
 
10
 
11
 
12