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1.

図書

図書
砂原善文著 ; 電子通信学会編
出版情報: 東京 : 電子通信学会, 1979.3  vi, 290p ; 22cm
シリーズ名: 情報とシステムシリーズ
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2.

図書

図書
森田幹郎, 岩本博編著 ; 電子通信学会編
出版情報: 東京 : 電子通信学会 , 東京 : コロナ社 (発売), 1986.10  iv, viii, 224p ; 22cm
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3.

図書

図書
電子通信学会編
出版情報: 東京 : 電子通信学会 , 東京 : コロナ社 (発売), 1986.7  ii, iv, 340p ; 22cm
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4.

図書

図書
藤野喜一, 花田收悦編著 ; 電子通信学会編
出版情報: 東京 : 電子通信学会 , 東京 : コロナ社 (発売), 1985.10  vii, 299p ; 22cm
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5.

図書

図書
電子通信学会編
出版情報: 東京 : 電子通信学会 , 東京 : コロナ社 (発売), 1978.5  vi, 348p ; 22cm
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6.

図書

図書
電子通信学会編
出版情報: 東京 : 電子通信学会 , 東京 : コロナ社 (発売), 1975.11  vi, 270p ; 22cm
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7.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
末松安晴執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1986.4  x, 186p ; 22cm
シリーズ名: 電子通信学会大学シリーズ / 電子通信学会編 ; E-4
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1.光デバイスの光エレクトロニクス的背景
   1.1 はじめに 1
   1.2 光エレクトロニクス分野の背景 3
   1.3 光デバイスと波長帯 5
   1.4 光デバイスの基礎 7
2.量子力学の基礎
   2.1 量子力学発達の背景と物質の粒子・波動の2面性 8
   2.2 シュレディンガーの波動方程式 11
   2.3 波動関数 13
   2.4 括弧ベクトル:ブラベクトルとケットベクトル 15
   2.5 期待値と跡 16
   演習問題 18
3.半導体による発光と吸収
   3.1 電子遷移 19
   3.2 自然放出と吸収および誘導放出 22
   3.3 電子の寿命 23
   3.4 半導体の電気の性質 26
   3.5 ヘテロ構造とキャリヤの注入 30
   3.5.1 ヘテロ接合 30
   3.5.2 ヘテロ接合の電圧電流特性 32
   3.6 化合物半導体とエネルギー間隔 36
   3.6.1 化合物半導体のエネルギー間隔 36
   3.6.2 半導体の屈折率と吸収係数 39
   3.6.3 混晶のエピタキシー 43
   演習問題 43
4.光波と電子の相互作用の量子論
   4.1 はじめに 44
   4.2 波動方程式による光増幅の説明 46
   4.3 密度行列による分極の表し方 48
   4.4 密度行列の運動方程式 51
   4.5 2準位系近似の物質の分極と光の増幅 53
   4.6 誘導放出と電子遷移:レート方程式 58
   4.7 電子遷移と誘導放出のまとめ 60
   4.8 多準位系の分極 61
   4.9 極薄膜の量子効果(量子井戸効果) 62
   演習問題 64
   5. 光誘電体導波路
   5.1 光導波路と集光 65
   5.2 導波モード 68
   5.3 等価屈折率と閉じ込め係数 73
   5.4 光伝搬の電力整合 74
   5.5 集光と出射 77
   演習問題 78
6. 半導体レーザと発光デバイス
   6.1 はじめに 80
   6.2 発光ダイオード(LED) 81
   6.3 半導体レーザ(レーザダイオード,ID) 86
   6.3.1 はじめに 86
   6.3.2 半導体レーザの構造 87
   6.3.3 半導体レーザの発振しきい値と光出力 89
   6.4 半導体レーザの発振波長と増幅利得 94
   6.5 半導体レーザの静特性 98
   6.6 動的単一モード動作 102
   6.7 発光ダイオードと半導体レーザの光波の特質の比較 103
   6.8 各種のレーザ 108
   演習問題 108
7.発光デバイスの直接変調
   7.1 光変調 109
   7.2 半導体レーザの直接変調 111
   7.3 発光ダイオードの直接変調 120
   演習問題 122
8. 受光・撮像・表示デバイス
   8.1 はじめに 123
   8.2 光検出器 124
   8.3 pinホトダイオード 125
   8.4 アバランシェホトダイオード(APD) 128
   8.5 実際の光検出器 132
   8.6 撮像デバイス 134
   8.7 表示デバイス 139
   演習問題 143
9. 光線路と光コンポーネント
   9.1 光ファイバ 144
   9.2 光ファイバと光デバイスの結合 151
   9.3 光回路素子 153
   9.4 光変調器,光スイッチ,光偏向器 158
   9.5 光集積回路 163
   演習問題 163
10. 光デバイスの応用
   10.1 はじめに 164
   10.2 光通信 164
   10.3 光情報記録・再生 166
   10.4 像情報の入出力 167
   10.5 光情報処理 167
   10.6 光計測と医療への応用 168
   10.7 光電力応用 169
文献 170
演習問題解答 171
索引 183
1.光デバイスの光エレクトロニクス的背景
   1.1 はじめに 1
   1.2 光エレクトロニクス分野の背景 3
8.

図書

図書
丸林元執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1981.12  x, 215p ; 22cm
シリーズ名: 電子通信学会大学シリーズ / 電子通信学会編 ; F-5
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9.

図書

図書
電子通信学会編 ; 宮川洋監修
出版情報: 東京 : オーム社, 1986.8  19,300p ; 22cm
シリーズ名: ニューメディア技術シリーズ / 電子情報通信学会編
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10.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
古川静二郎執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1982.10  xi, 230p ; 22cm
シリーズ名: 電子通信学会大学シリーズ / 電子通信学会編 ; E-1
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1.半導体の基礎
   1.1 結晶とエネルギー帯域構造 1
   1.1.1 結晶と非晶質 1
   1.1.2 結晶構造 2
   1.1.3 半導体結晶のエネルギー帯構造 3
   1.1.4 半導体材料の多様性 7
   1.2 キャリヤ密度 8
   1.2.1 2種類のキャリヤと有効質量 8
   1.2.2 真性半導体と外因性半導体 10
   1.2.3 キャリヤ密度とフェルミ準位 11
   1.3 半導体中の電気伝導 17
   1.3.1 ドリフト現象 17
   1.3.2 拡散現象 19
   1.3.3 電流の式 20
   1.3.4 キャリヤの熱的発生と再結合 21
   1.3.5 電流連続の式 26
   演習問題 28
2.接合と障壁
   2.1 pn接合と整流特性 30
   2.1.1 pn接合の重要性 30
   2.1.2 階段接合の整流作用 31
   2.2 空間電荷層の特性 34
   2.2.1 階段接合の場合 34
   2.2.2 傾斜形pn接合 37
   2.3 理想pn接合の静的電圧・電流特性 39
   2.3.1 解析の仮定 39
   2.3.2 過剩キャリヤ密度 40
   2.3.3 中性領域を流れる電流 41
   2.4 金属-半導体接触の電気伝導 45
   2.4.1 理想整流接触 45
   2.4.2 理想金属-半導体整流接触の電圧電流特性 47
   2.4.3 金属-半導体オーミック接触 49
   演習問題 50
3.半導体デバイスの製作法
   3.1 半導体の精製 52
   3.2 結晶成長 53
   3.2.1 バルク結晶成長 53
   3.2.2 エピタキシアル成長 54
   3.3 不純物導入法 55
   3.3.1 結晶成長過程の不純物導入法とpn接合形成 55
   3.3.2 熱拡散法 56
   3.3.3 イオン打込み法 57
   3.4 プレーナ技術 59
   3.4.1 酸化膜の形成 59
   3.4.2 ホトリングラフィと化学エッチング 60
   3.4.3 電極付着 61
   3.4.4 プレーナダイオードの製作 62
   演習問題 63
4.半導体ダイオードとその実際
   4.1 pnダイオードの直流特性の実際 64
   4.1.1 キャリヤの発生と再結合効果 65
   4.1.2 降伏現象 67
   4.1.3 直列抵抗効果 71
   4.1.4 高水準注入効果 72
   4.2 薄いベース層を有するpn接合ダイオードの直流特性 73
   4.2.1 npp+形ダイオードの電流・電圧特性 74
   4.2.2 キャリヤのベース走行時間 75
   4.3 pn接合ダイオードの動特性 77
   4.3.1 少数キャリヤ蓄積効果 77
   4.3.2 拡散容量と接合容量 77
   4.3.3 スイッチング特性の過渡特性 78
   4.4 半導体ダイオードの回路モデル 80
   4.4.1 微小信号モデル 80
   4.4.2 大信号直流モデル 81
   4.5 半導体ダイオードの応用 82
   4.5.1 整流ダイオード 82
   4.5.2 検波ダイオード 84
   4.5.3 スイッチングダイオード 86
   4.5.4 ステップレカバリダイオード 88
   4.5.5 pinダイオード 88
   4.5.6 可変容量ダイオード 88
   4.5.7 定電圧ダイオード 89
   演習問題 90
5.トランジスタ構造とその増幅作用
   5.1 増幅用デバイスの分類 91
   5.2 動作原理 92
   5.2.1 ベース接地トランジスタの増幅作用 92
   5.2.2 エミッタ接地トランジスタの増幅作用 95
   5.2.3 電流駆動形増幅デバイス 97
   5.3 電流伝送率 98
   5.3.1 注入効率 99
   5.3.2 輸送効率 100
   5.3.3 コレクタ効率 101
   5.3.4 電流伝送率αとドーピング分布 101
   5.4 バイポーラトランジスタの小信号等価回路 102
   5.4.1 ベース接地T形等価回路 103
   5.4.2 エミッタ接地T形等価回路 103
   5.4.3 コレクタ接地T形等価回路 104
   5.4.4 トランジスタ応用の多様性 105
   5.5 四端子パラメータ 106
   演習問題 109
6.バイポーラトランズスタの動作の実際
   6.1 高周波動作 111
   6.1.1 電流伝送率の遮断周波数 111
   6.1.2 高周波等価回路 113
   6.1.2 エミッタ接地回路の利得帯域幅積 115
   6.2 トランジスタの雑音特性 118
   6.2.1 雑音に関する基礎事項 118
   6.2.2 トランジスタの雑音 119
   6.3 トランジスタに見られる諸効果 120
   6.3.1 ドリフト効果 120
   6.3.2 電流増幅率のエミッタ電流依存性とキャリヤ再結合効果 121
   6.3.3 電子雪崩効果 122
   6.3.4 アーリー効果 122
   6.3.5 残留抵抗効果 123
   6.3.6 カーク効果 123
   6.3.7 電流集中効果 123
   6.4 スイッチング動作 124
   6.4.1 スイッチングの基本回路 124
   6.4.2 トランジスタの動作状態 125
   6.4.3 スイッチング速度 126
   6.5 各種トランジスタの実際と応用 128
   6.5.1 バイポーラトランジスタ増幅回路とバイアス回路 128
   6.5.2 大電力トランジスタ 130
   6.5.3 マイクロ波用トランジスタ 133
   6.5.4 スイッチングトランジスタ 134
   6.6 モノリシックバイポーラトランジスタ集積回路 135
   6.6.1 集積回路の特徴 135
   6.6.2 IC構成法 136
   6.6.3 バイポーラICの実例 137
   演習問題 138
7.金属・絶縁物・半導体構造とその増幅作用
   7.1 増幅作用の物理的意味 140
   7.2 理想MIS構造の性質 142
   7.2.1 理想MIS構造の基本特性 143
   7.2.2 誘導電荷密度のゲート電圧依存性 147
   7.3 しきい電圧に与えるその他の諸効果 149
   7.3.1 仕事関数差 149
   7.3.2 絶縁膜の電荷 150
   7.3.3 界面準位密度 151
   7.4 MISトランジスタの基本特性 153
   7.4.1 線形領域の動作 153
   7.4.2 ピンチオフ領域の動作 155
   7.4.3 エンハンスメント形およびデプレション形FET 156
   7.4.4 nチャネルとpチャネル形FET 157
   演習問題 158
8.電界効果トランジスタと関連デバイス
   8.1 MIS FETの動特性 160
   8.1.1 動的モデルと徴小信号等価回路 160
   8.1.2 利得帯域幅積 162
   8.2 MIS FET における諸効果 164
   8.2.1 基板バイアス効果 164
   8.2.2 チャネル長変調効果 165
   8.2.3 突抜けと電子雪崩降伏効果 165
   8.2.4 二次元キャリヤドリフト効果と強電界効果 166
   8.2.5 ソース残留抵抗効果 166
   8.3 MIS FETの実際と応用 167
   8.3.1 MOS FETの小信号パラメータ 167
   8.3.2 交流増幅回路 168
   8.3.3 大電力MIS FET増幅回路 169
   8.3.4 ディジタル回路 169
   8.3.5 スイッチング回路 170
   8.4 MOS集積回路(IC) 171
   8.4.1 MOSインバータ 171
   8.4.2 MOSメモリ 173
   8.4.3 電荷転送デバイス(CTD) 175
   8.5 接合およびショットキー障壁FET 177
   8.5.1 pn接合FET 177
   8.5.2 ショットキー障壁(SB)FET 180
   8.6 静電誘導形トランジスタ(SIT) 181
   8.6.1 原理と構造 182
   8.6.2 SITの応用と実祭 185
   演習問題 186
9.能動二端子デバイス
   9.1 負性抵抗と不安定性 188
   9.2 サイリスタ 189
   9.2.1 ショックレーダイオード 189
   9.2.2 SCRにおけるトリガ機構 191
   9.2.3 SCRの応用 192
   9.2.4 サイリスタの実際と変種 194
   9.3 ユニジャンクショントランジスタ 197
   9.3.1 UJTの構造と原理 197
   9.3.2 UJTの応用 198
   9.4 マイクロ波能動デバイス 199
   9.4.1 エサキダイオード 199
   9.4.2 ガンダイオード 200
   9.4.3 インパットダイオード 202
   9.4.4 その他の走行時間ダイオード 203
   演習問題 204
10.電気・光変換デバイス
   10.1 半導体の光物性 205
   10.1.1 半導体による吸収 205
   10.1.2 半導体における発光現象 206
   10.2 光検出デバイス 208
   10.2.1 光導電セル 208
   10.2.2 ホトダイオード 211
   10.2.3 雪崩ホトダイオード 213
   10.2.4 ホトトランジスタ 214
   10.3 太陽電池 215
   10.4 発光素子 218
   10.4.1 発光ダイオード 218
   10.4.2 半導体レーザ 219
   演習問題 222
付録 224
演習問題解答 225
索引 227
1.半導体の基礎
   1.1 結晶とエネルギー帯域構造 1
   1.1.1 結晶と非晶質 1
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