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1.

図書
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1. FPGA-accelerated simulation of computer systems (: pbk)
Hari Angepat ... [et al.]
出版情報: [s.l.] : Morgan & Claypool, c2014  xv, 64 p. ; 24 cm
シリーズ名: Synthesis lectures on computer architecture ; 29
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2.

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2. LSI/FPGAの回路アーキテクチャ設計法 : アルゴリズムの高性能ハードウェア化
森岡澄夫著
出版情報: 東京 : CQ出版, 2012.6  399p ; 24cm
シリーズ名: デザインウェーブムック
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第1章 : 重要さが増している回路アーキテクチャ設計
第2章 : 設計例題の概要と高位検証環境
第3章 : アーキテクチャ設計で用いる部品とコスト感覚
第4章 : アーキテクチャ設計のあらまし
第5章 : 最初のアーキテクチャ案の構成
第6章 : データの流れに着目したメモリ配置の最適化
第7章 : 並列化による処理速度と回路規模の最適化
第8章 : 全体動作制御と部品間のデータ伝送の検討
第9章 : 各部品の内部構成の検討とRTL設計
第10章 : データ演算処理の設計の最適化
第11章 : CPUやパソコンとのインターフェースの初歩
第1章 : 重要さが増している回路アーキテクチャ設計
第2章 : 設計例題の概要と高位検証環境
第3章 : アーキテクチャ設計で用いる部品とコスト感覚
3.

図書
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3. Nanometer CMOS
Frank Schwierz, Hei Wong, Juin J. Liou
出版情報: Singapore : Pan Stanford Publishing, 2010  ix, 340 p. ; 24 cm
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Preface
The Evolution of Silicon Electronics / 1：
Introduction / 1.1：
The Early Days of Semiconductor Electronics / 1.2：
Moore's Law / 1.3：
Further trends and the ITRS / 1.4：
Improved MOSFET Designs / 1.5：
MOSFETs for High-Frequency Operation? / 1.6：
MOSFET Theory / 2：
Different MOSFET Versions / 2.1：
Definitions of Threshold Voltage / 2.1.2：
MOS Fundamentals / 2.2：
Conventional Two-Terminal MOS Structure / 2.2.1：
Single-Gate and Double-Gate SOI MOS Structures / 2.2.2：
An Approximated Sheet Concentration Versus Gate Voltage Relationship / 2.2.3：
MOSFET Current -- Voltage Characteristics / 2.3：
Classical MOSFET Model / 2.3.1：
Two-Region MOSFET Model / 2.3.3：
Modified Two-Region Model / 2.3.4：
Effective Mobility / 2.3.5：
Scattering Model / 2.3.6：
Comparison and Assessment of the Four Transistor Models / 2.3.7：
Subthreshold Current / 2.3.8：
Series Resistances / 2.3.9：
Short-Channel Effects / 2.3.10：
The Concept of Scale Lengths / 2.3.12：
Nanoscale MOSFETs / 3：
MOSFET Scaling Theory / 3.1：
Constant-Field and Constant-Voltage Scaling / 3.1.1：
Generalized Scaling Approaches / 3.1.2：
Good Technology Rules / 3.1.3：
Nanoscale MOSFET Concepts -- An Overview / 3.2：
Nanoscale Bulk MOSFETs / 3.3：
Basic Structure / 3.3.1：
Doping Profiles / 3.3.2：
Mobility Enhancement Techniques / 3.4：
Strained Silicon / 3.4.1：
Hybrid-Orientation Technology / 3.4.2：
High-k Dielectrics and Metal Gates / 3.5：
Nanoscale Single-Gate SOI MOSFETs / 3.6：
Nanoscale Multiple-Gate MOSFETs / 3.7：
Double-Gate MOSFETs / 3.7.1：
Tri-Gate MOSFETs and Gate-All-Around MOSFETs / 3.7.2：
Nanowire MOSFETs / 3.7.3：
MOSFETs with Alternative Channel Materials / 3.8：
The Effect of Multiple Technology Boosters / 3.9：
MOSFETs for RF Applications / 4：
RF Transistor Figures of Merit / 4.1：
Gains / 4.2.1：
Minimum Noise Figure and Associated Gain / 4.2.2：
Output Power and Power-Added Efficiency / 4.2.4：
Small-Signal Equivalent Circuits / 4.3：
RF MOSFET Design and Performance / 4.4：
RF Small-Signal MOSFETs / 4.4.1：
RF Power MOSFETs / 4.4.2：
Comparison of RF CMOS and Competing RF Transistor Technologies / 4.4.3：
Why are Si MOSFETs so Fast? / 4.4.4：
Overview of Nanometer CMOS Technology / 5：
Lithography / 5.1：
Optical Lithography / 5.2.1：
Extremely Ultraviolet Lithography (EUV) / 5.2.3：
Electron Beam Lithography (E-Beam) / 5.2.4：
Imprint Lithography / 5.2.5：
Plasma Etching / 5.3：
Thin Film Formation Techniques / 5.4：
Overview / 5.4.1：
Chemical Vapor Deposition (CVD) / 5.4.2：
Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) / 5.4.3：
Molecular Beam Epitaxy (MBE) / 5.4.4：
Atomic Layer Deposition (ALD) / 5.4.5：
Metal Film Deposition / 5.4.6：
Junction Formation / 5.5：
Ion Implantation / 5.5.1：
Plasma Doping / 5.5.2：
Interconnects / 5.6：
Summary / 5.7：
Outlook / 6：
Critical Scaling Issues / 6.1：
Issues Related to Device Physics / 6.2.1：
Power Consumption and Self-Heating / 6.2.2：
Interconnect Delays / 6.2.3：
Will There be a Mainstream Beyond-Scaling, Post-CMOS Technology? / 6.3：
Frequently Used Symbols / Appendix A：
Physical Constants and Unit Conversions / Appendix B：
Carrier Concentrations, Energy, and Potential / Appendix C：
Frequently Used Abbreviations / Appendix E：
Index
Preface
The Evolution of Silicon Electronics / 1：
Introduction / 1.1：
4.

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4. Programming FPGAs : getting started with Verilog
Simon Monk
出版情報: New York : Mcgraw-Hill Education, c2017  xiii, 177 p. ; 23 cm
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5.

図書
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5. CMOS VLSI design : a circuits and systems perspective. 4th ed
Neil H.E. Weste, David Money Harris
出版情報: Boston : Pearson Addison-Wesley, c2011  xxv, 838 p. ; 26 cm
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