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1.

図書

図書
末松安晴, 古川静二郎共著
出版情報: 東京 : オーム社, 1964.7  4, 285p ; 22cm
シリーズ名: 電子工学演習シリーズ
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2.

図書

図書
古川静二郎, 雨宮好仁編著
出版情報: 東京 : 丸善, 1991.7  xi,311p ; 22cm
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3.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
古川静二郎, 松村正清共著
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1979.11-1980  2冊 ; 22cm
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1
第1章 緒論
   1.1 エレクトロニクスと電子デバイス 1
   1.2 電子デバイスの発達 2
   1.3 電子デバイスの分類 7
   1.4 電子デバイスの産業における位置づけ 11
第2章 半導体の物理
   2.1 固体内電子 13
   2.2 金属・絶縁体および半導体 20
   2.3 Ⅳ族半導体とキャリア 22
   2.4 電気伝導 29
   2.5 キャリヤの分布と流れ 38
   2.6 キャリヤのエネルギー分布 47
   演習問題 52
第3章 pn接合ダイオードとショットキーバリアダイオード
   3.1 熱平衡状態のpn接合 56
   3.2 pn接合ダイオードの静的特性 62
   3.3 pn接合ダイオードの動的特性 73
   3.4 pn接合ダイオードのモデル 80
   3.5 ホットエレクトロンによる現象 83
   3.6 pn接合ダイオードの応用 89
   3.7 金属-半導体接触 94
   演習問題 101
第4章 バイポーラトランジスタ
   4.1 動作原理 105
   4.2 トランジスタモデル 118
   4.3 バイポーラトランジスタの諸現象 131
   4.4 各種バイポーラトランジスタ 136
   演習問題 142
第5章 MOS トランジスタ
   5.1 半導体表面の物理 144
   5.2 MOS トランジスタの特性 156
   5.3 MOS トランジスタとバイポーラトランジスタとの対応 164
   5.4 MOS トランジスタの諸現象とその応用 166
   5.5 MOS トランジスタ回路 171
   演習問題 173
第6章 サイリスタ
   6.1 ショックレイダイオード 176
   6.2 SCRにおけるトリガー機構 179
   6.3 サイリスタの回路と応用 183
   演習問題 189
演習問題略解 191
索引 200
VOL.II
第7章 半導体集積回路
   7.1 集積回路の概念 1
   7.2 IC製造技術 6
   7.3 アナログIC 17
   7.4 ディジタル論理IC 21
   7.5 メモリIC 40
   7.6 電荷転送デバイス 45
   演習問題 49
第8章 電子管
   8.1 電子放出 52
   8.2 電界,磁界と電子の流れ 59
   8.3 空間電荷制御管 67
   8.4 マイクロ波電子管 79
   演習問題 90
第9章 電気-光変換デバイス
   9.1 受光-発光デバイス 93
   9.2 太陽電池 105
   9.3 レーザ 107
   9.4 受像および撮像デバイス 125
   演習問題 144
第10章 その他の電子デバイス
   10.1 放電管 147
   10.2 接合形およびショットキーバリア形電界効果トランジスタ 157
   10.3 マイクロ波負性抵抗ダイオード 164
   10.4 サーミスタとバリスタ 169
   演習問題 170
第11章 新しいデバイス
   11.1 ジョセフソン素子 171
   11.2 バブル・ドメインデバイス 176
   11.3 アモルファス半導体デバイス 180
   演習問題略解 188
索引 191
   電子デバイス〔I〕目次概要
   第1章 緒論
   第2章 半導体の物理
   第3章 pn接合ダイオードとショットキーバリアダイオード
   第4章 バイポーラトランジスタ
   第5章 MOSトランジスタ
   第6章 サイリスタ
1
第1章 緒論
   1.1 エレクトロニクスと電子デバイス 1
4.

図書

図書
古川静二郎執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1982.10  xi, 230p ; 22cm
シリーズ名: 電子情報通信学会大学シリーズ / 電子情報通信学会編 ; E-1
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5.

図書

図書
edited by S. Furukawa
出版情報: Tokyo : KTK Scientific , Dordrecht [Netherlands] ; Boston : Reidel , Hingham, MA, U.S.A. : Distributed in the U.S.A. and Canada by Kluwer, c1985  viii, 369 p. ; 24 cm
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6.

図書

図書
edited by S. Furukawa
出版情報: Tokyo : KTK Scientific Publishers , Boston : D. Reidel , Hingham, MA : Sold and distributed in the U.S.A. and Canada by Kluwer Academic Publishers, 1985  viii, 295 p. ; 24 cm
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7.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
古川静二郎編著
出版情報: 東京 : 産業図書, 1987.10  281p ; 22cm
シリーズ名: 集積回路プロセス技術シリーズ
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1.SOI構造形成技術概論 1
   1.1 SOI構造の必要性と要求される特性 1
   1.1.1 SOI構造の用途 1
   1.1.2 SOI構造に要求される特性 5
   1.2 SOI構造形成技術の種類 6
   1.2.1 SOI構造 6
   1.2.2 SOI構造形成技術の分類と特徴 7
   1.3 まとめ 9
   文献 10
2.線状加熱形帯域溶融再結晶化法 11
   2.1 グラフォエピタキシ 11
   2.1.1 グラフォエピタキシの歴史 12
   2.1.2 グラフォエピタキシの原理 14
   2.2 ZMR法 16
   2.2.1 ZMR法の実際 18
   2.2.2 ZMR Siの結晶性 20
   2.2.3 結晶性の改善 24
   2.3 亜粒界の制御 28
   2.3.1 亜粒界の結晶学的性質 28
   2.3.2 亜粒界の制御 31
   文献 34
3.レーザビーム再結晶化法 35
   3.1 レーザビーム再結晶化法の分類 35
   3.2 レーザ再結晶化による結晶欠陥 43
   3.3 シードレスレーザ再結晶化法における結晶方位と電気的特性 45
   3.3.1 シードレス再結晶化法 46
   3.3.2 再結晶化層中の素子の電気特性 47
   3.3.3 積層化SOI構造での電気特性 49
   3.3.4 クロストーク 51
   3.4 シードによるレーザ再結晶化法の結晶方位制御 54
   3.5 周辺反射防止膜法による単結晶島の形成 61
   文献 68
4.電子ビーム再結晶化法 71
   4.1 電子ビーム再結晶化法の分類 71
   4.1.1 電子ビーム再結晶化法の特徴 71
   4.1.2 点状電子ビーム法 72
   4.1.3 線状および擬似線状電子ビーム法 74
   4.2 擬似線状電子ビームによるSOI大面積再結晶化 77
   4.2.1 擬似線状電子ビームの形成 77
   4.2.2 SOI結晶成長 81
   4.3 電子ビーム再結晶化層の評価 84
   4.3.1 線状ビーム再結晶化層の結晶性評価 84
   4.3.2 擬似線状ビーム再結晶化層の結晶性評価 87
   4.3.3 電気的特性評価 91
   文献 94
5.横方向固相方位成長法 97
   5.1 固相成長の物理 97
   5.2 縦・横方向固相成長速度 106
   5.2.1 縦方向成長速度に与える諸要因 106
   5.2.2 ビーム照射による縦方向固相成長の促進 110
   5.2.3 横方向固相成長速度 111
   5.3 横方向相成長の実際 114
   5.3.1 試料作製法 114
   5.3.2 一般的現象 114
   5.3 3 面方位依存性 117
   5.3.4 パターン形状依存性 118
   5.3.5 残留欠陥 119
   5.4 不純物効果 121
   5.4.1 横方向成長因子 122
   5.4.2 均 ドープ効果 122
   5.3.3 選択ドープ効果 123
   5.5 電気的特性評価 125
   5.5.1 ノンドープ膜の評価 125
   5.5.2 選択ドープ膜の電気的特性評価 127
   文献 127
6.結晶性絶縁膜上へのエピタキシャル成長 131
   6.1 SOS基板技術 132
   6.1.1 結晶成長技術 132
   6.1.2 結晶成長過程 134
   6.1.3 結晶的性質と電気特性との関係 135
   6.2 CVD法によるスピネル形成とSi再成長 138
   6.2.1 スピネル層で絶縁分離するSOI技術 138
   6.2.2 スピネル層上へのSiエピ成長 138
   6.2.3 スピネル層上Si層の結晶性と素子特性 141
   6.3 ふつ化物上へのSi成長 144
   6.3.1 ふつ化物の特徴 144
   6.3.2 ふつ化物薄膜の成長方法 145
   6.3.3 Si上のCaF2の結晶性 146
   6.3.4 エピタキシャルCaF2膜の電気的特性 149
   6.3.5 Si/CaF2/Si構造の成長 非晶質予備堆積法 150
   6.3.6 Si層の結晶性とその問題点 154
   6.4 Si/CaF2/Si(100)構造へのデバイス形成 156
   6.4.1 エピタキシャル成長膜の結晶性 157
   6.4.2 デバイス形成 157
   6.4.3 デバイス特性 158
   文献 161
7.絶縁層埋込法 163
   7.1 イオン注入法による埋込層の形成 163
   7.1.1 酸素イオン注入層の特性 164
   7.1.2 表面Si層の結晶性 167
   7.1.3 イオン注込時の基板温度 171
   7.2 イオン注込装置とスループット 172
   7.3 多孔質シリコン膜の酸化による埋込層の形成 176
   7.3.1 FIPOS工程 177
   7.3.2 シリコン膜の特性 187
   文献 191
8.その他のSOI形成技術 193
   8.1 張付け法による各種LSI形成技術 193
   8.1.1 ELVIC技術 193
   8.1.2 シリコンウェーハ直接接合技術(その1) 197
   8.1.3 シリコンウェーハ直接接合技術(その2) 199
   8.1.4 薄膜デバイス層転写技術 200
   8.1.5 LSIチップのSiウェーハへの埋込み 203
   8.1.6 まとめ 203
   8.2 横方向気相成長 203
   8.2.1 ELOプロセス 203
   8.2.2 ELO発展の過程 205
   8.2.3 まとめ 208
   文献 208
9. デバイスへの応用 211
   9.1 ポリシリコンを利用した集積回路 211
   9.1.2 ポリシリコン・トランジスタの特性と水素化処理 212
   9.1.3 スタチックRAMへの応用 215
   9.1.4 ダイナミックRAMへの応用 217
   9.1.5 まとめ 220
   9.2 二次元回路素子への応用 221
   9.2.1 埋込SiO2層を有するSOI基板を用いたCMOS LSI 221
   9.2.2 FIPOS/CMOS LSI技術 225
   9.3 三次元回路素子への応用例 232
   9.3.1 三次元回路素子に期待される特徴と応用 232
   9.3.2 三次元集積回路素子の開発の現状(1) 238
   9.3.3 三次元集積回路素子の開発の現状(2) 249
   9.4 高電圧デバイスへの応用例 258
   9.4.1 スピネルエピ層を用いた高耐圧絶縁分離技術 258
   9.4.2 ウェル構造SOI上の素子特性 260
   9.5 表示デバイスへの応用 264
   9.5.1 大面積デバイスの位置付け 264
   9.5.2 アモルファスシリコンの特徴 265
   9.5.3 TFTの断面構造 266
   9.5.4 TFTの特性 267
   9.5.5 応用デバイス 268
   文献 270
付録 三次元ICによるコスト削減効果 273
   文献 275
   索引 277
1.SOI構造形成技術概論 1
   1.1 SOI構造の必要性と要求される特性 1
   1.1.1 SOI構造の用途 1
8.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
古川静二郎執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1982.10  xi, 230p ; 22cm
シリーズ名: 電子通信学会大学シリーズ / 電子通信学会編 ; E-1
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1.半導体の基礎
   1.1 結晶とエネルギー帯域構造 1
   1.1.1 結晶と非晶質 1
   1.1.2 結晶構造 2
   1.1.3 半導体結晶のエネルギー帯構造 3
   1.1.4 半導体材料の多様性 7
   1.2 キャリヤ密度 8
   1.2.1 2種類のキャリヤと有効質量 8
   1.2.2 真性半導体と外因性半導体 10
   1.2.3 キャリヤ密度とフェルミ準位 11
   1.3 半導体中の電気伝導 17
   1.3.1 ドリフト現象 17
   1.3.2 拡散現象 19
   1.3.3 電流の式 20
   1.3.4 キャリヤの熱的発生と再結合 21
   1.3.5 電流連続の式 26
   演習問題 28
2.接合と障壁
   2.1 pn接合と整流特性 30
   2.1.1 pn接合の重要性 30
   2.1.2 階段接合の整流作用 31
   2.2 空間電荷層の特性 34
   2.2.1 階段接合の場合 34
   2.2.2 傾斜形pn接合 37
   2.3 理想pn接合の静的電圧・電流特性 39
   2.3.1 解析の仮定 39
   2.3.2 過剩キャリヤ密度 40
   2.3.3 中性領域を流れる電流 41
   2.4 金属-半導体接触の電気伝導 45
   2.4.1 理想整流接触 45
   2.4.2 理想金属-半導体整流接触の電圧電流特性 47
   2.4.3 金属-半導体オーミック接触 49
   演習問題 50
3.半導体デバイスの製作法
   3.1 半導体の精製 52
   3.2 結晶成長 53
   3.2.1 バルク結晶成長 53
   3.2.2 エピタキシアル成長 54
   3.3 不純物導入法 55
   3.3.1 結晶成長過程の不純物導入法とpn接合形成 55
   3.3.2 熱拡散法 56
   3.3.3 イオン打込み法 57
   3.4 プレーナ技術 59
   3.4.1 酸化膜の形成 59
   3.4.2 ホトリングラフィと化学エッチング 60
   3.4.3 電極付着 61
   3.4.4 プレーナダイオードの製作 62
   演習問題 63
4.半導体ダイオードとその実際
   4.1 pnダイオードの直流特性の実際 64
   4.1.1 キャリヤの発生と再結合効果 65
   4.1.2 降伏現象 67
   4.1.3 直列抵抗効果 71
   4.1.4 高水準注入効果 72
   4.2 薄いベース層を有するpn接合ダイオードの直流特性 73
   4.2.1 npp+形ダイオードの電流・電圧特性 74
   4.2.2 キャリヤのベース走行時間 75
   4.3 pn接合ダイオードの動特性 77
   4.3.1 少数キャリヤ蓄積効果 77
   4.3.2 拡散容量と接合容量 77
   4.3.3 スイッチング特性の過渡特性 78
   4.4 半導体ダイオードの回路モデル 80
   4.4.1 微小信号モデル 80
   4.4.2 大信号直流モデル 81
   4.5 半導体ダイオードの応用 82
   4.5.1 整流ダイオード 82
   4.5.2 検波ダイオード 84
   4.5.3 スイッチングダイオード 86
   4.5.4 ステップレカバリダイオード 88
   4.5.5 pinダイオード 88
   4.5.6 可変容量ダイオード 88
   4.5.7 定電圧ダイオード 89
   演習問題 90
5.トランジスタ構造とその増幅作用
   5.1 増幅用デバイスの分類 91
   5.2 動作原理 92
   5.2.1 ベース接地トランジスタの増幅作用 92
   5.2.2 エミッタ接地トランジスタの増幅作用 95
   5.2.3 電流駆動形増幅デバイス 97
   5.3 電流伝送率 98
   5.3.1 注入効率 99
   5.3.2 輸送効率 100
   5.3.3 コレクタ効率 101
   5.3.4 電流伝送率αとドーピング分布 101
   5.4 バイポーラトランジスタの小信号等価回路 102
   5.4.1 ベース接地T形等価回路 103
   5.4.2 エミッタ接地T形等価回路 103
   5.4.3 コレクタ接地T形等価回路 104
   5.4.4 トランジスタ応用の多様性 105
   5.5 四端子パラメータ 106
   演習問題 109
6.バイポーラトランズスタの動作の実際
   6.1 高周波動作 111
   6.1.1 電流伝送率の遮断周波数 111
   6.1.2 高周波等価回路 113
   6.1.2 エミッタ接地回路の利得帯域幅積 115
   6.2 トランジスタの雑音特性 118
   6.2.1 雑音に関する基礎事項 118
   6.2.2 トランジスタの雑音 119
   6.3 トランジスタに見られる諸効果 120
   6.3.1 ドリフト効果 120
   6.3.2 電流増幅率のエミッタ電流依存性とキャリヤ再結合効果 121
   6.3.3 電子雪崩効果 122
   6.3.4 アーリー効果 122
   6.3.5 残留抵抗効果 123
   6.3.6 カーク効果 123
   6.3.7 電流集中効果 123
   6.4 スイッチング動作 124
   6.4.1 スイッチングの基本回路 124
   6.4.2 トランジスタの動作状態 125
   6.4.3 スイッチング速度 126
   6.5 各種トランジスタの実際と応用 128
   6.5.1 バイポーラトランジスタ増幅回路とバイアス回路 128
   6.5.2 大電力トランジスタ 130
   6.5.3 マイクロ波用トランジスタ 133
   6.5.4 スイッチングトランジスタ 134
   6.6 モノリシックバイポーラトランジスタ集積回路 135
   6.6.1 集積回路の特徴 135
   6.6.2 IC構成法 136
   6.6.3 バイポーラICの実例 137
   演習問題 138
7.金属・絶縁物・半導体構造とその増幅作用
   7.1 増幅作用の物理的意味 140
   7.2 理想MIS構造の性質 142
   7.2.1 理想MIS構造の基本特性 143
   7.2.2 誘導電荷密度のゲート電圧依存性 147
   7.3 しきい電圧に与えるその他の諸効果 149
   7.3.1 仕事関数差 149
   7.3.2 絶縁膜の電荷 150
   7.3.3 界面準位密度 151
   7.4 MISトランジスタの基本特性 153
   7.4.1 線形領域の動作 153
   7.4.2 ピンチオフ領域の動作 155
   7.4.3 エンハンスメント形およびデプレション形FET 156
   7.4.4 nチャネルとpチャネル形FET 157
   演習問題 158
8.電界効果トランジスタと関連デバイス
   8.1 MIS FETの動特性 160
   8.1.1 動的モデルと徴小信号等価回路 160
   8.1.2 利得帯域幅積 162
   8.2 MIS FET における諸効果 164
   8.2.1 基板バイアス効果 164
   8.2.2 チャネル長変調効果 165
   8.2.3 突抜けと電子雪崩降伏効果 165
   8.2.4 二次元キャリヤドリフト効果と強電界効果 166
   8.2.5 ソース残留抵抗効果 166
   8.3 MIS FETの実際と応用 167
   8.3.1 MOS FETの小信号パラメータ 167
   8.3.2 交流増幅回路 168
   8.3.3 大電力MIS FET増幅回路 169
   8.3.4 ディジタル回路 169
   8.3.5 スイッチング回路 170
   8.4 MOS集積回路(IC) 171
   8.4.1 MOSインバータ 171
   8.4.2 MOSメモリ 173
   8.4.3 電荷転送デバイス(CTD) 175
   8.5 接合およびショットキー障壁FET 177
   8.5.1 pn接合FET 177
   8.5.2 ショットキー障壁(SB)FET 180
   8.6 静電誘導形トランジスタ(SIT) 181
   8.6.1 原理と構造 182
   8.6.2 SITの応用と実祭 185
   演習問題 186
9.能動二端子デバイス
   9.1 負性抵抗と不安定性 188
   9.2 サイリスタ 189
   9.2.1 ショックレーダイオード 189
   9.2.2 SCRにおけるトリガ機構 191
   9.2.3 SCRの応用 192
   9.2.4 サイリスタの実際と変種 194
   9.3 ユニジャンクショントランジスタ 197
   9.3.1 UJTの構造と原理 197
   9.3.2 UJTの応用 198
   9.4 マイクロ波能動デバイス 199
   9.4.1 エサキダイオード 199
   9.4.2 ガンダイオード 200
   9.4.3 インパットダイオード 202
   9.4.4 その他の走行時間ダイオード 203
   演習問題 204
10.電気・光変換デバイス
   10.1 半導体の光物性 205
   10.1.1 半導体による吸収 205
   10.1.2 半導体における発光現象 206
   10.2 光検出デバイス 208
   10.2.1 光導電セル 208
   10.2.2 ホトダイオード 211
   10.2.3 雪崩ホトダイオード 213
   10.2.4 ホトトランジスタ 214
   10.3 太陽電池 215
   10.4 発光素子 218
   10.4.1 発光ダイオード 218
   10.4.2 半導体レーザ 219
   演習問題 222
付録 224
演習問題解答 225
索引 227
1.半導体の基礎
   1.1 結晶とエネルギー帯域構造 1
   1.1.1 結晶と非晶質 1
9.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
古川静二郎編 ; 石原健 [ほか] 共著
出版情報: 東京 : 丸善, 1991.3  xi, 262p ; 22cm
シリーズ名: Maruzen advanced technology / 菅野卓雄 [ほか] 編集 ; . 材料工学編 / 堂山昌男 [ほか] 編||ザイリョウ コウガクヘン ; M08
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1章 ULSI基礎技術の展望 (徳山 魏)
   1-1 ULSI技術の展望 1
   1-1-1 ULSIの開発動向 1
   1-1-2 ULSIプロセス技術に求められるもの 4
   1-2 ULSIプロセス基礎技術の課題と方向付け 16
   1-2-1 パターン形成 16
   1-2-2 薄膜成長と界面制御 20
   1-2-3 不純物のドーピング 24
   1-2-4 環境制御 30
   1-2-5 CAD 31
   1-2-6 評価と分析 32
   文献 33
2章 光リソグラフィー (石原 健)
   2-1 はじめに 35
   2-2 光リソグラフィーの変遷 37
   2-3 光リソグラフィーの解像度 38
   2-3-1 レンズ開口度 39
   2-3-2 プロセスファクタ 40
   2-3-3 短波長化とシミュレーション 44
   2-3-4 エキシマレーザーリソグラフィーの研究動向 47
   2-4 エキシマレーザーリソグラフィー 52
   2-4-1 発振波長 52
   2-4-2 投影レンズ 53
   2-4-3 エキシマレーザーステッパー 56
   2-5 まとめ 62
   文献 63
3章 X線リソグラフィー (鳳 紘一郎)
   3-1 はじめに 65
   3-2 X線リソグラフィーの要素技術 66
   3-2-1 X線源 66
   3-2-2 X線マスク 72
   3-2-3 レジスト 75
   3-3 X線リソグラフィーシステム 76
   3-3-1 総合性能とその支配要因 76
   3-3-2 放射光露光システム 80
   3-3-3 装置の小型化 81
   3-4 X線投影露光の可能性 83
   3-5 むすび 84
   文献 84
4章 ドライエッチング (堀池靖浩)
   4-1 はじめに 89
   4-2 低温プラズマの基礎 90
   4-2-1 プラズマの発生 90
   4-2-2 電子衝撃プラズマ反応過程 92
   4-2-3 プラズマ電位と浮遊電位 94
   4-3 プラズマ発生とドライエッチング装置 95
   4-3-1 直流放電 95
   4-3-2 高周波放電 95
   4-4 エッチング反応機構 99
   4-4-1 エッチング5要素と形状の種類 99
   4-4-2 自発反応とイオン支援反応 100
   4-4-3 ガス添加効果とSiO2選択エッチング 104
   4-4-4 側壁保護膜反応 107
   4-4-5 マクロ/マイクロローディング効果 111
   4-4-6 低温エッチング 113
   4-4-7 入射角度依存性 115
   4-5 ダウンストリーム法 116
   4-6 高速エッチング 119
   4-7 イオン衝撃による諸副作用 123
   4-7-1 照射損傷 123
   4-7-2 側壁再付着 127
   4-7-3 AI後腐食 128
   4-8 次世代高密度デバイス製作のためのエッチング技術 128
   4-8-1 エッチングの低エネルギー化と問題点 128
   4-8-2 低エネルギーエッチング 130
   4-9 結語 135
   文献 135
5章 薄膜形成技術 (大見忠弘・森田瑞穂)
   5-1 酸化の重要性と展望 139
   5-2 酸化前処理 141
   5-2-1 ウェーハの品質 141
   5-2-2 ウェーハの洗浄 142
   5-2-3 ウェーハの乾燥 146
   5-2-4 自然酸化膜の除去 148
   5-2-5 ウェーハ表面の平坦化 149
   5-3 酸化システム 151
   5-3-1 実際の酸化炉 151
   5-3-2 超清浄酸化システム 153
   5-4 酸化機構 155
   5-4-1 洗浄Siの表面状態 155
   5-4-2 熱酸化過程 156
   5-4-3 自然酸化膜形成過程 157
   5-5 酸化膜の評価 161
   5-5-1 薄い酸化膜厚の測定 161
   5-5-2 酸化膜の構造 162
   5-5-3 酸化膜の電気的特性 164
   5-6 あとがき 166
   文献 166
6章 集束イオンビーム技術 (蒲生健次)
   6-1 はじめに 171
   6-2 集束イオンビーム装置 172
   6-2-1 高輝度イオン源 172
   6-2-2 集束イオンビーム装置 174
   6-3 集束イオンビーム加工の特長の限界 177
   6-4 イオンビーム誘起効果とマスクレス加工 179
   6-5 集束イオンビームによる加工 181
   6-5-1 イオンビーム露光 181
   6-5-2 エッチングとデポジション 186
   6-5-3 マスクレスイオン注入 193
   6-6 デバイスプロセスへの応用 194
   6-7 集束イオンビーム技術の将来 196
   6-7-1 低エネルギー集束イオンビームと加工損傷の低減 197
   6-7-2 その場プロセス 198
   文献 200
7章 SOI技術 (石原 宏)
   7-1 SOI技術の特徴 203
   7-2 横方向成長法 204
   7-2-1 帯域溶融再結晶化法 205
   7-2-2 ビーム再結晶化法 206
   7-2-3 気相・液相・固相成長法 209
   7-3 エピタキシャル成長法 212
   7-3-1 バルク絶縁物基板 212
   7-3-2 絶縁物薄膜構造 214
   7-4 絶縁膜埋め込み法 217
   7-4-1 SIMOX法 217
   7-4-2 FIPOS法および関連技術 219
   7-5 帖り付け法 221
   文献 222
8章 ULSIプロセシングにおける欠陥制御 (高野幸男)
   8-1 はじめに 225
   8-2 ULSIの基板に用いられるSiウェーハ 226
   8-3 結晶欠陥とその影響 227
   8-4 結晶欠陥の発生とその制御 229
   8-4-1 微小欠陥 229
   8-4-2 不純物拡散層の欠陥 236
   8-4-3 転位 239
   8-4-4 汚染不純物とその制御 247
   8-5 ゲッタリング技術 249
   8-5-1 エキシトリンシックゲッタリング 250
   8-5-2 イントリンシックゲッタリング 251
   8-6 今後の課題 253
   文献 254
索引 257
1章 ULSI基礎技術の展望 (徳山 魏)
   1-1 ULSI技術の展望 1
   1-1-1 ULSIの開発動向 1
10.

図書

図書
古川静二郎, 荻田陽一郎, 浅野種正共著
出版情報: 東京 : 森北出版, 2014.1  vii, 149p ; 22cm
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電子と結晶
エネルギー帯と自由電子
半導体のキャリヤ
キャリヤ密度とフェルミ準位
半導体の電気伝導
pn接合とダイオード
ダイオードの接合容量
バイポーラトランジスタ
金属‐半導体接触
MESFET
MISFET
集積回路
光半導体デバイス
パワーデバイス
電子と結晶
エネルギー帯と自由電子
半導体のキャリヤ
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