| 注 : n[A],n[D]の[A]と[D]は下つき文字 |
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| 1 序論 1 |
| 1.1 物性科学小史 1 |
| 1.2 物性科学の目的 1 |
| 1.3 物性科学における論理的道具 2 |
| 1.4 新しい物性科学の方向 2 |
| 1.5 環境科学と物性科学 4 |
| 1.6 何のための物性科学か 4 |
| 2 結晶 5 |
| 2.1 空間格子 5 |
| 2.2 格子方向と格子面 7 |
| 2.3 ブラベー格子 11 |
| 2.4 結晶構造 15 |
| 2.5 X線回折と結晶構造 18 |
| 2.6 格子欠陥 23 |
| 2.6.1 点欠陥23 23 |
| 2.6.2 線欠陥26 26 |
| 2.6.3 面欠陥28 28 |
| 2.7 非晶質固体 29 |
| 3 格子振動 31 |
| 3.1 原子間ポテンシャル・エネルギー 31 |
| 3.2 ばねとおもり 33 |
| 3.3 連続体（弾性棒）の振動 34 |
| 3.4 1次元格子振動 38 |
| 3.5 ブリュアン領域 40 |
| 3.6 結晶基が2個の原子を含む1次元格子振動 43 |
| 3.7 フォトン（光子）とフォノン（音子） 48 |
| 4 固体の熱的性質 50 |
| 4.1 固体の比熱（古典論） 50 |
| 4.2 固体の比熱（アインシュタインの理論） 51 |
| 4.3 固体の比熱（デバイの理論） 56 |
| 4.4 絶縁体の熱伝導度（フォノン伝導） 61 |
| 4.4.1 フォノン熱伝導度 61 |
| 4.4.2 フォノンどうしの衝突における平均自由行路 64 |
| 4.4.3 不純物などによるフォノンの散乱 65 |
| 4.4.4 ガラスなどの熱伝導度 66 |
| 4.5 固体の熱膨張 66 |
| 5 金属中の自由電手 70 |
| 5.1 自由電子 70 |
| 5.2 自由電子模型 71 |
| 5.3 衝突時間，流動速度 72 |
| 5.4 緩和時間，移動度 74 |
| 5.5 合成緩和時間，合成抵抗率 79 |
| 5.6 合金の抵抗率 82 |
| 6 固体中の電子 86 |
| 6.1 水素原子中の電子のエネルギー 86 |
| 6.2 水素分子中の電子のエネルギー 88 |
| 6.3 結晶中の電子のエネルギー帯 89 |
| 6.4 結晶中のポテンシャル・エネルギー 91 |
| 6.5 固体中の自由電子 94 |
| 6.6 周期的ボテソシャル場中の電子 95 |
| 6.7 ブリュアン領域模型 97 |
| 6.8 フェルミ・エネルギー 101 |
| 6.8.1 フェルミーディラック分布 101 |
| 6.8.2 フェルミ球 105 |
| 6.8.3 状態密度 107 |
| 6.8.4 自由電子のフェルミ波数，フェルミ速度，フェルミ温度 111 |
| 6.9 電界中の固体電子の運動 113 |
| 6.10 正と負の有効質量 115 |
| 6.10.1 自由電子 115 |
| 6.10.2 周期的ポテンシャノレ中の固体電子 116 |
| 6.10.3 導体と絶縁体の区別 118 |
| 6.10.4 正孔 122 |
| 6.11 ホール効果 125 |
| 7 半導体 129 |
| 7.1 真性半導体 130 |
| 7.1.1 元素半導体 131 |
| 7.1.2 真性半導体のキャリア数密度 135 |
| 7.1.3 真性半導体のフェルミ準位 139 |
| 7.2 不純物半導体 140 |
| 7.2.1 n形不純物半導体 141 |
| 7.2.1 P形不純物半導体 143 |
| 7.2.1 ドナーとアクセプタを含む不純物半導体 145 |
| 7.3 不純物半導体のキャリア数密度 146 |
| 7.3.1 低温の場合 148 |
| 7.3.2 高温の場合 148 |
| 7.4 熱い電子（ホット・エレクトロン） 150 |
| 8 半導体の接合 154 |
| 8.1 仕事関数 154 |
| 8.2 金属と金属の接合 155 |
| 8.3 金属と半導体の接合 157 |
| 8.4 アインシュタインの関係式 159 |
| 8.5 ショットキー・ダイオードの整流作用 162 |
| 8.6 金属と半導体の種々の接合 166 |
| 8.7 pn接合 167 |
| 8.7.1 pn接合の作り方 167 |
| 8.7.2 pn接合の整流作用 169 |
| 9 磁性体 174 |
| 9.1 電磁気現象と単位 174 |
| 9.1.1 磁化と磁気双極子能率 174 |
| 9.1.2 磁束密度，透磁率，磁界 176 |
| 9.1.3 磁束密度が電流に及ぼす力，磁気能率 178 |
| 9.2 磁気の根源 180 |
| 9.2.1 原子内の電子の軌道磁気モーメント 180 |
| 9.2.2 電子のスピン磁気モーメント 184 |
| 9.3 磁性体の分類 186 |
| 9.4 常磁性 191 |
| 9.4.1 キュリーの法則 191 |
| 9.4.2 金属の常磁性（パウリ常磁性） 194 |
| 9.5 強磁性 196 |
| 9.5.1 強磁性体のキュリー温度 196 |
| 9.5.2 磁化曲線 196 |
| 9.5.3 自発磁化 197 |
| 9.5.4 磁区，磁壁 200 |
| 10 固体の光学的性質 203 |
| 10.1 光の吸収 203 |
| 10.1.1 透過率 203 |
| 10.1.2 吸収機構の概観 204 |
| 10.2 光学的格子振動による光の吸収 206 |
| 10.3 F中心による光の吸収 207 |
| 10.4 基礎吸収と励起子による光の吸収 210 |
| 10.5 直接遷移・間接遷移による光の吸収 211 |
| 10.6 光導電現象（内部光電効果） 214 |
| 10.7 光起電力効果 217 |
| 10.8 けい光，りん光 219 |
| 11 誘電体 |
| 11.1 誘電体の分極 221 |
| 11.1.1 分極と電気双極子モーメント（能率） 221 |
| 11.1.2 誘電率 226 |
| 11.1.3 分極率と局所電界 229 |
| 11.2 分極の種類 232 |
| 11.2.1 電子分極 232 |
| 11.2.2 イオン分極 233 |
| 11.2.3 配向分極 234 |
| 11.2.4 全分極 238 |
| 11.2.5 界面分極 239 |
| 11.3 固体の誘電率 240 |
| 11.3.1 単原子誘電体 240 |
| 11.3.2 イオン的誘電体 240 |
| 11.4 誘電分極 241 |
| 11.4.1 複素誘電率と誘電損 241 |
| 11.4.2 各分極による誘電分散 242 |
| 11.4.3 電子分極の誘電分散 244 |
| 11.5 強誘電体 246 |
| 11.5.1 自発分極と分域 246 |
| 11.5.2 ペロヴスカイト型強誘電体 248 |
| 付録 |
| A 面間隔とミラー指数 251 |
| B フレンケル型欠陥とショットキー型欠陥 253 |
| C 物理量の平均値 255 |
| D フォノンの状態密度 256 |
| E フォノンの正常過程と反転過程 257 |
| F 水素原子のエネルギー準位 261 |
| G 2次元正方格子のプリュアン領域 262 |
| H フェルミ－ディラック統計 265 |
| I シュレディンガーの波動方程式 270 |
| J フェルミ速度と流動速度 272 |
| K 群速度 274 |
| L フェルミ分布とマックスウェル分布近似による電子数密度 275 |
| M 真性半導体の伝導帯中における電子数密度の計算 276 |
| N ドナーのイオン化エネルギー 277 |
| O 不純物準位における電子の統計分布関数の計算 278 |
| P 熱い不純物準位においてイオン化された数密度n[A],n[D]の計算 280 |
| Q 金属－半導体接触における電流－電圧特性 282 |
| R 原子の電子配置表 285 |
| 参考図書 287 |
| 索引 289 |
| 注 : n[A],n[D]の[A]と[D]は下つき文字 |
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| 1 序論 1 |
図書
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