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1.

図書

図書
by K. Takahashi & M. Kongai ; translated by F.R.D. Apps
出版情報: London : North Oxford Academic, 1986  xii,225p ; 24cm
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2.

図書

図書
高橋清, 小長井誠編著
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1984.7  ii, 14, 594p ; 22cm
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3.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
小長井誠著
出版情報: 東京 : 培風館, 1987.11  vi, 215p ; 22cm
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1 序説 1
2 半導体の基礎物性とヘテロ接合 3
   2.1 半導体の基礎物性 3
   2.1.1 エネルギー帯 3
   2.1.2 エネルギー帯と電気伝導 5
   2.1.3 不純物ドーピングと電気伝導 7
   2.1.4 エネルギー・波数図 10
   2.1.5 キャリア移動度 14
   2.2 III-V族化合物半導体 15
   2.2.1 特徴 15
   2.2.2 高電界下での電子速度 19
   2.2.3 非定常状態での電子の振る舞い 20
   2.3 III-V族混晶半導体 21
   2.3.1 混晶半導体の一般的性質 21
   2.3.2 各種混晶半導体 27
   2.4 II-VI族化合物半導体 32
   2.4.1 バンドギャップ,格子定数 32
   2.4.2 結晶構造 32
   2.4.3 p.n制御 34
   2.4.4 各種II-VI族化合物半導体の性質 37
   2.5 ヘテロ接合 41
   2.5.1 ヘテロ接合のエネルギー準位図 41
   2.5.2 ヘテロ接合の電流-電圧特性 44
   2.5.3 少数キャリア閉じ込め効果 47
   2.5.4 ヘテロ接合のバンド不連続 51
   参考文献 56
3 半導体超格子の分類と電子状態 59
   3.1 半導体超格子の分類 59
   3.2 半導体超格子の電子状態 63
   3.2.1 周期による分類 63
   3.2.2 ポテンシャル障壁とトンネル効果 65
   3.2.3 量子井戸内の電子状態 67
   3.2.4 超格子とミニバンドの形成 73
   3.2.5 単原子層超格子 77
   3.2.6 任意ポテンシャル障壁における透過係数の解析 78
   参考文献 80
4 薄膜積層技術 81
   4.1 分子線エピタキシ法 81
   4.1.1 原理 81
   4.1.2 成長メカニズム 84
   4.1.3 なぜMBE法か 85
   4.1.4 不純物ドーピング 86
   4.1.5 原子層エピタキシ法 89
   4.1.6 MEE法 91
   4.2 気相エピタキシャル成長法 93
   4.2.1 気相成長法の分類 93
   4.2.2 MOCVD法 95
   4.2.3 クロライド法 99
   4.2.4 原子層エピタキシ法 100
   4.3 MOMBE法 102
   4.3.1 MBE法とMOCVD法の比較 102
   4.3.2 MOMBE法 104
   4.4 光CVD法 108
   4.4.1 光CVD法の分類 108
   4.4.2 光CVD法の特徴 109
   4.4.3 光CVD法の具体例 110
   4.5 プラズマCVD法 112
   参考文献 115
5 半導体超格子の観察と構造評価 118
   5.1 光学的手法による観察 118
   5.2 電子線を用いる手法 119
   5.2.1 電子線と物質の相互作用 119
   5.2.2 電子線回折 119
   5.2.3 電子顕微鏡 124
   5.3 X線による評価 125
   5.4 後方散乱法 127
   5.5 組成分析 128
   参考文献 129
6 GaAlAs/GaAs超格子の基礎的性質 130
   6.1 光学的特性 130
   6.1.1 吸収係数 131
   6.1.2 フォトルミネッセンスの基礎特性 132
   6.2 電気的特性 135
   6.2.1 シュブニコフ・ドハース効果 135
   6.2.2 変調ドープ構造と移動度 137
   6.2.3 超ドープ構造 139
   6.3 フォトルミネッセンスによる界面評価 141
   6.3.1 界面遷移層の評価 141
   6.3.2 界面凹凸の評価 142
   6.3.3 成長の中断による平滑化とPL特性 146
   6.3.4 PL測定によるストレスの評価 149
   6.4 超格子の無秩序化 149
   参考文献 151
7 各種超格子の基礎的性質 153
   7.1 ひずみ超格子 153
   7.2 InAs/GaSb系超格子(タイプIII超格子) 158
   7.3 nipi超格子 159
   7.4 II-VI族化合物半導体ひずみ超格子 161
   7.5 アモルファス系超格子 163
   参考文献 166
8 デバイスへの応用 169
   8.1 超高速電子デバイス 169
   8.2 変調ドープトランジスタ 170
   8.3 δドープトランジスタ 174
   8.4 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT) 175
   8.5 ホットエレクトロントランジスタ 180
   8.6 共鳴トンネルデバイス 182
   8.6.1 共鳴トンネル効果 182
   8.6.2 共鳴トンネルトランジスタ 184
   8.7 半導体レーザ 187
   8.8 アバランシェフォトダイオード 193
   参考文献 197
9 半導体超格子の将来展望 199
   9.1 超格子系の特質 200
   9.2 材料面での展開 202
   9.3 周期性の制御 203
   9.4 次元の拡大 204
   9.5 ヘテロ界面の制御 207
   9.6 新機能性の探索 208
   参考文献 210
索引 211
1 序説 1
2 半導体の基礎物性とヘテロ接合 3
   2.1 半導体の基礎物性 3
4.

図書

図書
高橋清,小長井誠監修
出版情報: 東京 : サイエンスフォーラム, 1987.12  282p ; 31cm
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5.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
小長井誠編著
出版情報: 東京 : オーム社, 2001.3  265p ; 26cm
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第1章 総論
   1-1 地球環境問題と太陽光発電 2
   1-2 エネルギー源とこての太陽光発電 2
   1-2-1 太陽光発電システムと太陽電池 2
   1-2-2 太陽電池コストと発電コスト 3
   1-2-3 エネルギー源としての太陽光発電 3
   1-3 太陽電池の種類 5
   1-4 薄膜太陽電池の特徴 6
   1-4-1 吸収係数 6
   1-4-2 EPT 6
   1-5 太陽電池産業の現状 7
   1-5-1 太陽電池の生産量推移 7
   1-5-2 生産量の見通し 9
   1-6 変換効率の理論値と実測値 10
   1-7 各国のプロジェクト 14
   1-7-1 ニューサンシャイン計画における技術開発 14
   1-7-2 2030年を見据えた開発課題 15
   1-7-3 太陽光発電システム普及のための政策 17
   1-7-4 欧米の開発計画 18
   1-8 薄膜太陽電池の開発動向と課題 19
   1-8-1 Si系薄膜 19
   1-8-2 CIGS,CdTe 20
   1-8-3 変換効率のまとめ 21
   1-9 有機材料系の可能性 21
第2章 シリコン太陽電池の基礎
   2-1 シリコン太陽電池の動作理論 26
   2-1-1 太陽光スペクトルとシリコンの光物性 26
   2-1-2 キャリアの発生と再結合 26
   2-1-3 シリコン太陽電池の動作解析 29
   2-1-4 理想変換効率と高効率化手法 33
   2-2 シリコン太陽電池の製造法 36
   2-2-1 太陽電池用シリコン基板の製造方法 36
   2-2-2 シリコン基板形太陽電池の製造方法 38
   2-3 シリコン太陽電池の基礎特性 43
   2-3-1 分光感度特性 43
   2-3-2 太陽電法の等価回路 46
   2-3-3 シリコン太陽電池の電産流-電圧特性 49
   2-3-4 温度依存性 56
   2-4 シリコン太陽電池の応用 57
   2-4-1 住宅用PVシステムにおける結晶Si太陽電池モジュール 57
   2-4-2 大形PVシステム設置事例 58
   2-4-3 集光形太陽電池 60
   2-4-4 宇宙用太陽電池 61
第3章 アモルファス系太陽電池
   3-1 太陽電池材料としての基礎物性 64
   3-1-1 バンド端電子状態と電気的特性 64
   3-1-2 光吸収スペクトルと光学的禁制帯幅 66
   3-1-3 構造欠陥・深い局在準位群とキャリア輸送特性 67
   3-1-4 光誘起特性劣化現象(Staebler-Wronski効果) 69
   3-2 製膜技術 75
   3-2-1 はじめに 75
   3-2-2 アモルファスシリコン系材料の製膜技術 75
   3-2-3 プラズマCVD法 75
   3-2-4 高品質アモルファスシリコン系薄膜材料の作製 79
   3-2-5 おわりに 81
   3-3 アモルファス太陽電池の動作解析 82
   3-3-1 シリコン太陽電池とアモルファス太陽電池 82
   3-3-2 アモルファス太陽電池の動作解析 84
   3-3-3 タンデム太陽電池 91
   3-4 アモルファス太陽電池の高効率化技術 93
   3-4-1 はじめに 93
   3-4-2 発電層 95
   3-4-3 ドープ層 99
   3-4-4 積層形太陽電池 101
   3-4-5 光安定性 103
   3-4-6 構造設計 105
   3-4-7 TCO関連 106
   3-5 アモルファス太陽電池の量産化技術 110
   3-5-1 あじめに 110
   3-5-2 製造プロセス要素技術 110
   3-5-3 ガラス基板形アモルファス太陽電池の量産化技術 114
   3-5-4 フィルム基板形アモルファス太陽電池の量産化技術 115
   3-5-5 今後の課題 119
   3-6 薄膜太陽電池用透明導電膜 120
   3-6-1 はじめに 120
   3-6-2 導電性 121
   3-6-3 透明性 121
   3-6-4 テクスチャ 123
   3-6-5 膜材料と作製方法 125
   3-6-6 透明導電膜の特性列 126
   3-6-7 透明導電膜の今後の課題 126
   3-7 アモルファス太陽電池の応用例 128
第4章 結晶系シリコン薄膜太陽電池
   4-1 多結晶シリコン薄膜太陽電池の理論解析 132
   4-1-1 製法と接合構造 132
   4-1-2 2次元動作シミュレーションの方法 132
   4-1-3 理論動作解析 135
   4-1-4 到達可能効率と高効率化への課題 142
   4-2 多結晶シリコン薄膜の低温・高速製膜技術 145
   4-2-1 多結晶シリコン薄膜低温形成の歴史 145
   4-2-2 多結晶シリコンおよび微結晶シリコンの物性 146
   4-2-3 結晶シリコン低温成長の機構 149
   4-2-4 非熱平衡プロセスを用いた高速化技術 152
   4-2-5 デバイス要素技術 156
   4-3 非熱平衡プロセスによる多結晶シリコン薄膜太陽電池 158
   4-3-1 非熱平衡プロセスによる多結晶シリコン薄膜太陽電池の特徴 158
   4-3-2 非熱平衡プロセスによる微結晶シリコン薄膜太陽電池 158
   4-3-3 微結晶シリコン薄膜太陽電池のキャリア輸送 160
   4-3-4 薄膜微結晶シリコンセルの光閉じ込め効果 162
   4-3-5 ハイブリッド形太陽電池への応用 164
   4-4 熱平衡プロセスによる結晶シリコン系薄膜太陽電池 166
   4-4-1 はじめに 166
   4-4-2 CVD法による結晶系シリコン薄膜堆積技術 167
   4-4-3 素子特性 172
   4-4-4 まとめ 173
第5章 Cu(InGa)Se2系薄膜太陽電池
   5-1 CIGS太陽電池の基礎 176
   5-1-1 CIS系の物性 176
   5-1-2 CIGS太陽電池の特徴 185
   5-1-3 太陽電池構造と動作原理 186
   5-1-4 製膜法 188
   5-1-5 小面積セルの性能 189
   5-2 CIGS太陽電池の高効率化技術 193
   5-2-1 光吸収層CIS膜形成技術 193
   5-2-2 界面制御技術 197
   5-2-3 バッファ層・窓層形成技術 200
   5-2-4 高効率化技術の今後の方向 202
   5-3 CIGS太陽電池の量産化技術 204
   5-3-1 CIGS太陽電池モジュールの特徴 205
   5-3-2 CIGS太電電池の量産化技術 206
   5-4 CIGS太陽電池の応用例 209
   5-4-1 モジュールでの安定性:屋外暴露試験 210
   5-4-2 モジュールでの安定性:加速劣化試験 210
第6章 CdTe太陽電池
   6-1 CdTe太陽電池の高効率化技術・量産化技術 214
   6-1-1 はじめに 214
   6-1-2 CdTe太陽電池の開発の歴史 214
   6-1-3 CdTe薄膜太陽電池の構造と作製プロセス 217
   6-1-4 高効率化技術 220
   6-1-5 量産化技術 224
   6-2 CdTe太陽電池の界面評価 228
   6-2-1 CdS/CdTe界面でのCdTe1-xSx混晶層の存在と組成比 229
   6-2-2 np接合界面の位置 229
   6-2-3 Cu拡散 231
   6-2-4 界面の太陽電池特性に及ぼす影響 232
第7章 薄膜太陽電池の測定法
   7-1 測定の基準と分光感度特性 234
   7-1-1 測定の基準 234
   7-1-2 分光感度特性 235
   7-2 太陽電池出力特性の測定法 236
   7-2-1 変換効率 236
   7-2-2 測定に関する規格 236
   7-2-3 屋内測定法 236
   7-2-4 屋外測定法 238
   7-2-5 安定化効率 238
   7-2-6 多接合形太陽電池の測定法 239
   7-2-7 CIS,CdTe太陽電池の測定法 240
   7-3 基準太陽電池セルの校正法 240
   7-3-1 基準太陽電池セル 240
   7-3-2 国際持ち回り測定とWPVS 240
   7-3-3 IEC規格とJIS規格の動向 241
   7-3-4 分光放射照度分布(スペクトル)の測定法 242
第8章 薄膜太陽電池の今後の展開
   8-1 太陽電池とモジュール 246
   8-2 太陽光発電システム 246
   8-3 建材一体型モジュール 247
   8-4 建築基準法に基づく不燃材認定 248
   8-5 戸建て太陽光発電住宅をめぐる環境,動き 249
   8-6 ビル用建材一体型モジュール 249
   8-7 融雪機能付き太陽電池モジュールと積雪地方の太陽光発電特性 251
   8-8 建材一体型モジュールの今後の展開 251
   8-9 ACモジュール 251
   8-10 リサイクル技術 252
   8-11 移動体向け太陽光発電システムの期待 253
   8-12 今後の普及見通し 253
   参考文献 各章節に掲載
   索引 257
第1章 総論
   1-1 地球環境問題と太陽光発電 2
   1-2 エネルギー源とこての太陽光発電 2
6.

図書

図書
小長井誠, 山口真史, 近藤道雄編著
出版情報: 東京 : 培風館, 2010.7  xiv, 4, 463p ; 26cm
所蔵情報: loading…
7.

図書

図書
小長井誠, 植田譲共編
出版情報: 東京 : オーム社, 2013.5  xx, 1018p ; 27cm
所蔵情報: loading…
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1編 : 太陽電池の基礎
2編 : 太陽電池研究開発の進展
3編 : 太陽電池モジュールならびに関連技術
4編 : 太陽電池の測定法・評価法・標準化・認証
5編 : 太陽光発電システム
6編 国家プロジェクト / 変遷
1編 : 太陽電池の基礎
2編 : 太陽電池研究開発の進展
3編 : 太陽電池モジュールならびに関連技術
概要: エネルギー新時代の夜明け—再生可能エネルギーの期待の星。太陽電池技術の基礎からその開発の歴史、セル・モジュールの製造・評価技術、太陽光発電システム技術まで、すべてを網羅。
8.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
小長井誠著
出版情報: 東京 : 培風館, 1992.10  x, 275p ; 22cm
シリーズ名: 電子・情報工学講座 ; 8
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1.物質の構造 1
   1.1 結晶系 1
   1.1.1 結晶と非晶質 1
   1.1.2 結晶系における対称操作 2
   1.1.3 七晶系 5
   1.1.4 晶族 6
   1.2 空間格子 7
   1.2.1 周期構造と空間格子 7
   1.2.2 空間格子の幾何学 8
   1.2.3 プラベ格子 11
   1.2.4 逆格子 13
   1.2.5 空間群と実際の結晶 15
   1.3 結晶構造 16
   1.3.1 共有結合とイオン結合 16
   1.3.2 最密充?構造 21
   1.4 格子欠陥 24
   1.4.1 結晶欠陥 24
   1.4.2 点欠陥 25
   1.4.3 不純物原子 26
   1.4.4 転位 28
   1.4.5 結晶粒界,双晶 31
   1.4.6 結晶表面 31
   1.5 X線回折とプラッグの法則 33
   1.5.1 プラッグの法則 33
   1.5.2 逆格子と回折 35
   1.5.3 X線回折法 37
2.格子振動 40
   2.1 格子の振動 40
   2.2 同種原子からなる1次元格子 41
   2.3 質量が異なる2種類の原子からなる1次元格子 46
   2.4 実際の結晶における格子振動 49
   2.5 格子振動の量子化 51
   2.6 格子振動と比熱,熱伝導 51
   2.6.1 比熱 51
   2.6.2 熱伝導 54
3 電気伝導の基礎 57
   3.1 金属の電気伝導 57
   3.2 伝導電子の散乱 59
   3.3 平均自由行程 61
   3.4 散乱機構 62
4.固体のバンド理論I 66
   4.1 固体のバンド理論の定性的な説明 66
   4.1.1 孤立原子と固体 66
   4.1.2 バンドと電気伝導の関係 70
   4.2 量子論の基礎 72
   4.2.1 粒子と波動 72
   4.2.2 基本方程式 74
   4.2.3 固体内のポテンシャル 76
   4.3 深いポテンシャルの井戸に閉じ込められた電子 78
   4.4 深いポテンシャルの井戸と金属内の自由電子 81
   4.5 状態密度 85
   4.6 トンネル効果 86
   4.7 クローニヒーペニーモデル 88
   4.7.1 自由電子のE-kの関係 88
   4.7.2 周期ポテンシャル内の電子のE-kの関係 89
   4.7.3 許容帯 95
   4.8 有効質量,群速度 99
   4.9 正孔 103
   4.10 金属と半導体,絶縁体のバンド構造 105
5.固体のバンド理論II 107
   5.1 バンド構造の解析法 107
   5.2 逆格子とブリルアン領域 108
   5.3 束縛電子近似モデル 109
   5.3.1 バンド構造の解析法 109
   5.3.2 単純立方格子のバンド構造 112
   5.4 半導体のバンド構造 115
   5.4.1 Ge,Siのバンド構造 116
   5.4.2 GaAsのバンド構造 120
   5.4.3 遷移形,禁制帯幅 121
   5.4.4 有効質量の測定 122
6.半導体の電気物性 125
   6.1 分布則 125
   6.2 真性半導体のキャリア濃度 128
   6.3 不純物ドーピング 132
   6.3.1 n形半導体 132
   6.3.2 p形半導体 135
   6.3.3 化合物半導体への不純物ドーピング 136
   6.3.4 ドナーとアクセプタを同時にドーピングした半導体 136
   6.4 p形,n形半導体のキャリア濃度 137
   6.5 pn積 142
   6.6 導電率と移動度 142
   6.6.1 導電率 142
   6.6.2 移動度 143
   6.6.3 不純物濃度と導電率 145
   6.7 ホール効果 146
7.半導体の電気伝導機構 149
   7.1 ドリフト電流と拡散電流 149
   7.1.1 熱運動 149
   7.1.2 ドリフト電流と拡散電流 150
   7.1.3 アインシュタインの関係 151
   7.2 高電界での多数キャリアの振る舞い 152
   7.2.1 速度飽和 153
   7.2.2 微分負性抵抗 154
   7.3 多数キャリア注入と少数キャリア注入 155
   7.3.1 キャリアの注入 155
   7.3.2 少数キャリアの寿命 157
   7.3.3 非熱平衡状態のキャリア濃度の表し方 158
   7.4 キャリアの再結合過程 159
   7.4.1 直接再結合 160
   7.4.2 再結合中心 160
   7.4.3 表面再結合 161
   7.5 少数キャリア連続の方程式 162
   7.5.1 単純化されたモデル 162
   7.5.2 詳細なモデル 164
   7.6 連続の方程式の応用例 165
8.接合の物理と物性 169
   8.1 pn接合 169
   8.1.1 エネルギー準位図 169
   8.1.2 ポテンシャル分布 173
   8.1.3 理想的な電流-電圧特性 177
   8.1.4 実際の電流-電圧特性 181
   8.1.5 逆方向降伏特性 182
   8.1.6 接合容量 187
   8.2 トンネルダイオードの物理 188
   8.3 金属-半導体接触 189
   8.3.1 エネルギー準位図 189
   8.3.2 オーミック接触と整流性 191
   8.3.3 エミッション電流 193
   8.3.4 理想状態からのずれ 196
   8.4 ヘテロ接合 198
9.トランジスタ動作とキャリアの挙動 202
   9.1 トランジスタの発明と増幅作用 202
   9.1.1 歴史的背景 202
   9.1.2 増幅機構の分類 204
   9.2 バイポーラトランジスタ 205
   9.2.1 基本構造と動作 205
   9.2.2 トランジスタの増幅原理 206
   9.2.3 注入効率と輸送効率 209
   9.2.4 注入レベルと増幅特性 212
   9.2.5 アーリー効果と降伏現象 214
   9.2.6 走行時間と周波数特性 216
   9.3 電界効果トランジスタ 218
   9.3.1 金属/絶縁体/半導体接合 218
   9.3.2 MOSトランジスタ 221
   9.3.3 各種の電界効果トランジスタ 225
10.光学特性,熱電物性 226
   10.1 光の吸収と反射 226
   10.2 吸収係数 228
   10.2.1 基礎吸収 228
   10.2.2 励起子による吸収 233
   10.2.3 自由キャリアによる吸収 235
   10.3 光導電効果 235
   10.4 光起電力効果 237
   10.4.1 短絡電流,開放電圧 237
   10.4.2 光電流 239
   10.4.3 太陽電池の発電原理 242
   10.5 半導体の発光遷移 243
   10.5.1 発光過程 243
   10.5.2 自然放出と誘導放出 246
   10.5.3 半導体レーザ 248
   10.6 熱電効果 250
   10.6.1 ゼーベック効果 250
   10.6.2 ペルチェ効果 252
   10.6.3 熱発電と電子冷凍 253
参考文献 256
演習問題解答 257
付表 267
索引 271
1.物質の構造 1
   1.1 結晶系 1
   1.1.1 結晶と非晶質 1
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