| 注 : Co[2]MnSiの[2]は下つき文字 |
| 注 : Co[2]Fe（Al，Si）の[2]は下つき文字 |
| 注 : Co[2]Cr[1-x]Fe[x]Alの[2]、[1-x]、[x]は下つき文字 |
| 注 : L1[0]の[0]は下つき文字 |
| |
| ＜基礎・物性編＞ |
| 第1章 巨大磁気抵抗効果 高梨弘毅 |
| 1 はじめに 3 |
| 2 強磁性体の一般的な磁気抵抗効果 4 |
| 3 巨大磁気抵抗効果（GMR）という現象 6 |
| 4 GMRのメカニズム 8 |
| 5 層間交換結合とGMRの振動現象 10 |
| 6 GMRの応用とスピンバルブ 11 |
| 7 CIP-GMRとCPP-GMR 12 |
| 8 グラニュラー系のGMR 13 |
| 第2章 トンネル磁気抵抗効果 大兼幹彦,宮崎照宣 |
| 1 はじめに 15 |
| 2 Al-O障壁を用いたトンネル接合 17 |
| 2.1 TMR比の障壁高さ依存性 17 |
| 2.2 TMB，AMR，PHEの比較 18 |
| 3 MgO障壁を用いたトンネル接合 20 |
| 4 ハーフメタルを用いたトンネル接合 22 |
| 5 その他のトンネル接合 26 |
| 5.1 磁性半導体のトンネル磁気抵抗効果 26 |
| 5.2 グラニュラー構造物質の巨大磁気抵抗効果 27 |
| 5.3 有機分子－強磁性体ハイブリッドトンネル接合 27 |
| 第3章 スピン注入・蓄積効果 高橋三郎,前川禎通 |
| 1 はじめに 31 |
| 2 スピン注入・検出素子 31 |
| 3 スピン伝導 33 |
| 4 スピン蓄積 34 |
| 5 スピン流 37 |
| 6 スピンホール効果 38 |
| 7 おわりに 39 |
| 第4章 スピン注入磁化反転と自励発振 鈴木義茂,久保田均 |
| 1 スピントルク42 |
| 1.1 スピントルクの理論 42 |
| 1.2 スピントルクの観測 45 |
| 2 注入磁化反転の機構46 |
| 2.1 スピン注入磁化反転の機構 46 |
| 2.2 微細素子の作製 50 |
| 2.3 測定方法 52 |
| 2.4 実験結果 52 |
| 3 自励発振 54 |
| 3.1 自励発振の機構 54 |
| 3.2 自励発振の実際 55 |
| 4 おわりに 57 |
| 第5章 スピンポンピングと磁化ダイナミクス 安藤康夫 |
| 1 はじめに 60 |
| 2 スピンポンピングとは 61 |
| 2.1 スピンポンピング現象の観測に至るまで 61 |
| 2.2 スピンポンピング現象の理論 61 |
| 3 スピンポンピングとGilbert damping 定数 63 |
| 3.1 FM/NM 接合におけるGilbert damping 定数 63 |
| 3.2 FM/NM1/NM2接合におけるGilbert damping 定数 65 |
| 3.3 FM/NM1/NM2接合のスピンポンピングを用いたスピン拡散長測定 66 |
| 3.4 FM1/NM/FM2接合構造における dmanamic exchangeとGilbert damping 67 |
| 4 スピントロニクスデバイスとスピンポンピング 67 |
| 4.1 GMR積層構造におけるGilbert damping の影響 67 |
| 4.2 ノイズとスピンポンピング 68 |
| 4.3 強磁性金属の横スピン侵入長 69 |
| 5 スピン流源としてのスピンポンピングの新たな展開 70 |
| 5.1 スピンポンピングを用いたDCスピン流の生成とスピンバイアス 70 |
| 5.2 FM/I/NMトンネル接合を用いたスピンバイアスの検出 71 |
| 5.3 純スピン流を用いたスピンホール効果 71 |
| 6 おわりに 72 |
| 第6章 磁壁制御とスピントロニクス 小野輝男 |
| 1 磁壁とは 75 |
| 2 磁場駆動から電流駆動へ 76 |
| 3 スピントランスファー効果による磁壁の電流駆動とは 70 |
| 4 強磁性細線における磁壁の電流駆動 77 |
| 5 スピントロニクスデバイスヘの応用 80 |
| 第7章 スピン依存単一電子トンネル現象 三谷誠司,高梨弘毅 |
| 1 はじめに 83 |
| 2 ナノ粒子を含む多重トンネル接合の作製 85 |
| 3 強磁性ナノ粒子におけるスピン依存単一電子トンネル効果 87 |
| 4 非磁性ナノ粒子におけるスピン蓄積と単一電子トンネル効果 91 |
| 5 今後の課題と展望 92 |
| 第8章 強磁性半導体におけるスピン依存伝導現象 松倉文礼 |
| 1 はじめに 94 |
| 2 分子線エピタキシ 94 |
| 3 磁気的性質 95 |
| 4 伝導現象 96 |
| 4.1 磁気抵抗効果 96 |
| 4.2 ホール効果 97 |
| 4.3 異方性磁気抵抗効果 98 |
| 5 磁壁と伝導 99 |
| 6 磁性の電界制御 101 |
| 7 おわりに 102 |
| 第9章 2次元半導体のスピン軌道相互作用と量子伝導 井上順一郎，大成誠一郎 |
| 1 はじめに 105 |
| 2 スピン軌道相互作用 106 |
| 2.1 原子内スピン軌道相互作用 106 |
| 2.2 半導体中のスピン軌道相互作用 107 |
| 2.3 グラフェンにおけるスピン軌道相互作用 109 |
| 3 2次元系における量子物性 110 |
| 3.1 2次元電子ガスにおける電気伝導 110 |
| 3.2 2次元電子ガスにおけるスピン蓄積 112 |
| 3.3 グラフェンにおけるスピンホール効果 113 |
| 4 おわりに 114 |
| 第10章 磁性半導体における光誘起磁化 宗片比呂夫 |
| 1 はじめに 116 |
| 2 時間分解磁気光学測定法 117 |
| 3 光励起による磁化の才差運動 118 |
| 4 2つの励起光パルスによる磁化才差運動のコヒーレント制御 121 |
| 5 強励起光による超高速消磁 123 |
| 6 おわりに |
| 第11章 磁性金属における高速磁化応答と光誘起磁化反転 塚本新 |
| 1 はじめに 127 |
| 2 フェリ磁性GdFeCoの高速磁化応答計測 128 |
| 2.1 フェリ磁性体における共鳴モードと角運動量補償点 128 |
| 2.2 超高速磁化応答計測法 129 |
| 2.3 フェリ磁性GdFeCoの動特性計測 130 |
| 2.4 角運動量補償点近傍での磁化ダイナミクス 131 |
| 3 光誘起高速磁化反転 133 |
| 3.1 非熱的光磁気効果 133 |
| 3.2 GdFeCo薄膜の非熱的光磁気作用の計測 134 |
| 3.3 全光型磁化反転136 |
| 4 まとめと今後の展望 138 |
| 第12章 半導体中の核スピン制御と光検出 大野裕三 |
| 1 はじめに 141 |
| 2 半導体量子井戸における光学遷移の選択則と電子・核スピン間相互作用 142 |
| 3 核スピンコヒーレンスの光検出 142 |
| 4 核スピン位相制御と量子ゲート操作の光検出145 |
| 5 おわりに 147 |
| 第13章 スピンホール効果の理論 村上修一 |
| 1 はじめに 149 |
| 2 内因性スピンホール効果 150 |
| 3 スピンホール効果の計算 151 |
| 3.1 波数空間のベリー位相による計算 151 |
| 3.2 線形応答理論による計算 152 |
| 3.3 有限系での計算 153 |
| 3.4 補遺 153 |
| 4 内因性と外因性との区別 154 |
| 5 量子スピンホール効果 155 |
| 6 おわりに 156 |
| 第14章 スピンホール効果－金属ナノ構造を中心に－ 大谷義近，木村崇 |
| 1 はじめに 159 |
| 2 スピン蓄積の電気的検出とスピン吸収 161 |
| 3 スピン吸収によるスピンホール効果の電気的検出 164 |
| 4 おわりに 168 |
| ＜物質・材料編＞ |
| 第15章 高効率スピン源の理論設計 白井正文 |
| 1 はじめに 173 |
| 2 ハーフメタル磁気トンネル接合 173 |
| 2.1 現状と問題点 173 |
| 2.2 スピン軌道相互作用の影響 174 |
| 2.3 原子配列不規則化の影響 175 |
| 2.4 スピンの熱ゆらぎと電子相関の影響 176 |
| 3 高効率スピン源の理論設計 177 |
| 3.1 ハーフメタル／酸化物接合 177 |
| 3.2 ハーフメタル／半導体接合 178 |
| 4 今後の展望へ 181 |
| 第16章 ハーフメタル薄膜とトンネル磁気抵抗効果 猪俣浩一郎，介川裕章 |
| 1 はじめに 183 |
| 2 フルホイスラー合金の物理的性質と初期の研究 185 |
| 3 Co[2]MnSi膜の構造とトンネル磁気抵抗 187 |
| 4 Co[2]Fe（Al，Si）膜の構造とトンネル磁気抵抗 189 |
| 4.1 Cr バッファー 190 |
| 4.2 MgOバッファー 190 |
| 5 その他のCo基ホイスラー合金 193 |
| 6 おわりに 194 |
| 第17章 結晶MgOトンネル障壁の巨大なトンネル磁気抵抗効果 湯浅新治 |
| 1 TMR効果の歴史と背景 196 |
| 2 結晶MgO（001）トンネル障壁のTMR効果の理論 200 |
| 3 結晶MgO（001）障壁の作製と巨大TMR効果の実現 202 |
| 4 デバイス応用に適したCoFeB/MgO／CoFeB構造のMTJ素子の開発 204 |
| 5 MgO-MTJ素子のデバイス応用 206 |
| 第18章 磁性絶縁体とスピンフィルター接合 長浜太郎,柳原英人 |
| 1 はじめに 209 |
| 2 原理 210 |
| 2.1 材料 : ユーロピウムカルコゲナイト 212 |
| 2.2 遷移金属酸化物 213 |
| 3 今後のスピントロニクスデバイスヘの発展 215 |
| 第19章 L1[0]型規則合金垂直磁化膜とスピントロニクス 関剛斎，高梨弘毅 |
| 1 はじめに 218 |
| 2 L1[0]型FePt規則合金薄膜 219 |
| 3 FePt垂直スピン注入源を用いたスピン注入磁化反転 220 |
| 4 FePt垂直スピン注入源を用いたスピンホール効果 223 |
| 5 今後の課題 226 |
| 第20章 ナノ狭窄構造スピンバルブ薄膜素子におけるスピン依存伝導とスピンダイナミクス 佐橋政司,土井正品,三宅耕作 |
| 1 はじめに 229 |
| 1.1 面内通電型（Current-In-Plane : CIP）巨大磁気抵抗（GMR）膜における電子の鏡面反射層 229 |
| 1.2 NOLを電流狭窄（COP）層に用いた垂直通電型（Current-Perpendicular-to-Plane : CPP）-GMR 230 |
| 1.3 NOL中に強磁性ナノ接点（Nano Contact（NC））を形成したナノ接点磁壁型MR（DWMR） 230 |
| 1.4 DWMR素子を用いたコヒーレント位相スピントランスファーナノオシレータ（STNO） 230 |
| 1.5 電気磁気効果を有する反強磁性体NOLによる交換結合バイアスを下り用した磁化の操作 231 |
| 2 電流狭窄型CPP-GMB 231 |
| 3 ナノ接点磁壁型MR（DWMR） 235 |
| 4 DWMR素子を用いたスピントルクナノオシレータ（STNO） 240 |
| 5 おわりに 245 |
| 第21章 強磁性半導体へテロ構造－スピン依存トンネル現象を中心に－ 田中雅明 |
| 1 はじめに 248 |
| 2 GaMnAs強磁性半導体ヘテロ構造 249 |
| 2.1 GaMnAs量子井戸二重障壁へテロ構造の作製 249 |
| 2.2 スピン依存トンネル伝導特性 250 |
| 2.3 GaMnAs量子井戸における量子準位の定量的考察 253 |
| 2.4 まとめ 256 |
| 3 MnAs微粒子を含むⅢ－Ⅴ族へテロ構造 256 |
| 3.1 GaAs : MnAsを有する強磁性金属／半導体ハイブリッド・エピタキシャルMTJ素子の作製 256 |
| 3.2 MnAs／半導体／GaAs : MnAs MTJ素子におけるTMR 258 |
| 3.3 TMRのAlAs障壁膜厚依存性 259 |
| 3.4 まとめ 262 |
| 第22章 強磁性半導体 安藤功兒 |
| 1 磁性半導体開発の歴史 265 |
| 2 磁性半導体の本質はスピン－キャリア相互作用 266 |
| 3 s，p-d 交換相互作用の検出方法 267 |
| 4 各種“強磁性半導体”におけるスピン－キャリア相互作用 270 |
| 5 室温強磁性半導体を求めて 272 |
| 第23章 分子スピントロニクス 白石誠司 |
| 1 分子スピントロニクスとは 276 |
| 2 分子スピントロニクスの課題とその解決への道Ⅰ（分子ナノコンポジットの導入） 277 |
| 3 グラフェンとは 279 |
| 4 分子スピントロニクスの課題とその解決への道Ⅱ（グラフェンスピントロニクス） 280 |
| 第24章 スピントロニクス材料と微細構造制御 高橋有紀子,宝野和博 |
| 1 はじめに 286 |
| 2 スピントロニクスデバイスの微細構造の解析手法 286 |
| 3 CCP-CPP-GMR素子の高分解能電子顕微鏡による微細構造解析 288 |
| 4 Co[2]MnSiを用いた強磁性トンネル接合のHAADFによる微細構造解析 290 |
| 5 Co[2]Cr[1-x]Fe[x]AlのTEMと3DAPによる微細構造解析 293 |
| 6 おわりに 295 |
| 第25章 放射光を用いたスピントロニクス材料の電子状態評価 藤森淳 |
| 1 はじめに 297 |
| 2 光電子分光 297 |
| 2.1 価電子帯の光電子分光 298 |
| 2.2 スピン偏極光電子分光 300 |
| 2.3 内殻光電子分光 300 |
| 3 X線吸収分光・磁気二色性 301 |
| 3.1 電子状態の同定 301 |
| 3.2 強磁性成分と常磁性成分の分離 303 |
| ＜応用・デバイス編＞ |
| 第26章 スピントロニクスにおける微細加工技術 秋永広幸 |
| 1 はじめに 307 |
| 2 微細加工技術の概要 308 |
| 3 リソグラフィ技術 309 |
| 4 成膜技術 310 |
| 5 エッチング技術 313 |
| 5.1 反応性イオンエッチング 314 |
| 5.2 選択エッチング 316 |
| 6 おわりに 317 |
| 第27章 スピン機能CMOSによる不揮発性高機能・高性能ロジック 山本修一郎，周藤悠介，菅原聡 |
| 1 はじめに 319 |
| 2 パワーゲーティングシステムと不揮発性ロジック 320 |
| 3 スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM 321 |
| 4 擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性ロジック 326 |
| 5 おわりに 329 |
| 第28章 電界スピン回転制御とスピンFET 新田淳作 |
| 1 はじめに 331 |
| 2 半導体中のスピン軌道相互作用 331 |
| 3 スピン軌道相互作用を用いたデバイス応用 333 |
| 3.1 電界効果スピントランジスタ 333 |
| 3.2 スピン干渉デバイス 334 |
| 3.3 スピンフィルター 338 |
| 4 おわりに 338 |
| 第29章 磁気ヘッドヘの応用 上原裕二,小林和雄 |
| 1 はじめに 341 |
| 2 磁気ヘッド概観 342 |
| 3 磁気へツド技術 346 |
| 3.1 各種の絶縁層材料によるTMRヘッドの磁気抵抗特性349 |
| 3.1.1 低抵抗Al-OバリアMTJの特性 350 |
| 3.1.2 Ti-OバリアMTJの特性 350 |
| 3.1.3 MgOバリアMTJの特性 351 |
| 3.2 TMRヘッドの実用化 353 |
| 3.3 TMRヘッドの信頼性 355 |
| 3.3.1 TMR膜のピンホール数密度 355 |
| 3.3.2 TMR膜の寿命 357 |
| 4 おわりに 358 |
| 第30章 MRAMからスピンRAMへ 與田博明 |
| 1 はじめに 361 |
| 2 動作原理 362 |
| 2.1 記憶保持原理 362 |
| 2.2 書き込み原理 363 |
| 2.3 読み出し原理 364 |
| 3 磁界書き込みMRAM 365 |
| 3.1 誤書き込み防止技術（Disturb Robust技術） 366 |
| 4 スピン注入MRAM 368 |
| 5 スケーラビリティー 371 |
| 6 おわりに 371 |
| 第31章 Racetrack Memory 林将光,Stuart S.P. Parkin |
| 1 序論 373 |
| 2 電流駆動による磁壁の移動 374 |
| 3 Racetrack memoryの動作原理 375 |
| 4 ピン止めした磁壁の移動制御 378 |
| 5 シフトレジスタの動作実証実験 380 |
| 6 今後の展望 382 |
| 第32章 スピントロニクス素子のシステムLSIへの応用とその課題 齋藤好昭 |
| 1 はじめに 384 |
| 2 システムLSIの課題と再構成可能ロジックデバイス 384 |
| 3 再構成可能ロジックデバイスの現状と将来 386 |
| 4 スピンFPGA回路構成 388 |
| 5 MR比スペックとスピンMOSFET構造 389 |
| 6 半導体を介したスピン依存伝導の現状と課題 391 |
| 7 おわりに 395 |
| 第33章 光スピントロニクスデバイス－集積光非相反デバイス－ 清水大雅 |
| 1 はじめに 397 |
| 2 半導体強磁性金属ハイブリッド光アイソレータの動作原理 398 |
| 2.1 ファラデー効果を利用したバルク型光アイソレータの動作原理 398 |
| 2.2 CdMnTe導波路光アイソレータ 398 |
| 2.3 非相反損失変化に基づく半導体導波路光アイソレータ 399 |
| 2.4 非相反位相変化に基づく導波路光アイソレータ 401 |
| 3 半導体強磁性金属ハイブリッド光アイソレータの実証 401 |
| 3.1 TEモード導波路光アイソレータ 401 |
| 3.2 単一波長半導体レーザとの一体集積化 402 |
| 3.3 エピタキシャル強磁性金属MnAs，MnSbを用いたハイブリッド光アイソレータ 403 |
| 4 バルク型光アイソレータと半導体導波路光アイソレータの比較，課題，応用可能性 405 |
| 5 おわりに 406 |
| 第34章 量子コンピュータとスピントロニクス 伊藤公平 |
| 1 量子コンピュータの基礎と性能指標 408 |
| 2 量子コンピュータ開発最前線 412 |
| 3 シリコン量子コンピュータ 414 |
| 3.1 ケーン型シリコン量子コンピュータ 415 |
| 3.2 全シリコン量子コンピュータ 417 |
| 4 まとめ 418 |
| 注 : Co[2]MnSiの[2]は下つき文字 |
| 注 : Co[2]Fe（Al，Si）の[2]は下つき文字 |
| 注 : Co[2]Cr[1-x]Fe[x]Alの[2]、[1-x]、[x]は下つき文字 |
図書
学位
