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1.

図書

図書
M. Prutton [著] ; 川路紳治訳
出版情報: 東京 : 丸善, 1977.5  viii, 145p ; 21cm
シリーズ名: オックスフォード物理学シリーズ / 柿内賢信, 土方克法監修 ; 11
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2.

図書

図書
J.N. シャイヴ [著] ; 神山雅英 [ほか]訳
出版情報: 東京 : 岩波書店, 1961.10  xvi, 403p ; 22cm
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3.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
川路紳治著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 2007.9  vii, 162p ; 22cm
シリーズ名: 朝倉物性物理シリーズ ; 6
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1. 序章 1
   1.1 表面電気伝導と表面散乱 1
   1.2 半導体界面量子効果と二次元電子 3
   1.3 二次元電子の弱局在と負磁気抵抗 6
   1.4 強磁場中の二次元電子 : 量子ホール効果 9
2. 二次元電子 14
   2.1 二次元電子 14
   2.2 二次元電子の実現可能性 17
   2.3 半導体へテロ接合量子井戸の二次元電子 20
   2.4 シリコンMOS型電界効果トランジスターとHEMT 24
   2.5 半導体表面空間電荷層 : 空乏層 26
   2.6 シリコンnチャネル反転層のエネルギー準位 27
   2.6.1 シリコンnチャネル反転層の二次元サブバンド 29
   2.6.2 表面反転層の逆三角形量子井戸近似 30
   2.7 シリコンnチャネル反転層の電子移動度の異方性 33
   2.8 シリコンnチャネル反転層の次元性と磁気抵抗効果 35
3. 二次元電子のアンダーソン局在 39
   3.1 二次元ドナーと二次元伝導帯 39
   3.2 二次元電子の低温における電気伝導 44
   3.3 アンダーソン局在 46
   3.4 アンダーソン局在のスケーリング理論 47
   3.5 二次元電子における弱局在効果 49
   3.6 有限温度における二次元電子の弱局在 50
   3.7 二次元電子の弱局在状態の磁気抵抗 53
   3.8 負磁気抵抗による電子温度の測定と電子-格子相互作用 57
   3.9 GaAsへテロ接合二次元電子の負磁気抵抗と理論の発展 60
   3.10 GaAsへテロ接合二次元電子のスピン-軌道相互作用 62
   3.11 二次元電子の金属絶縁体転移 64
   3.12 Appendix 67
   氷上,Larkinと長岡による二次元電子の負磁気抵抗の式 67
4. 強磁場中の二次元電子の電気伝導 69
   4.1 磁場中の二次元電子による電気伝導 69
   4.2 強磁場中の二次元電子 75
   4.3 強磁場中の二次元電子の対角伝導率 77
   4.4 強磁場中の二次元電子の対角伝導率と局在 82
   4.5 多体効果によるスピン分離の拡大 83
   4.6 谷分離 86
   4.7 強磁場中の二次元電子の対角伝導率とホール伝導率の測定 90
5. 量子ホール効果 96
   5.1 電子局在と量子ホール効果 96
   5.2 量子化ホール抵抗の高精度測定 101
   5.3 量子ホール効果による抵抗標準Rkと基礎物理定数 106
   5.3.1 クロスキャパシターによるΩSIの値付け 106
   5.3.2 ホール抵抗の量子化 108
   5.3.3 量子化ホール抵抗による抵抗標準 : Rk 109
   5.4 1990年以降の量子化ホール抵抗の高精度測定 112
   5.4.1 量子化ホール抵抗の高精度測定法 112
   5.4.2 量子ホール効果の高精度測定の結果とCODATA-O2 113
   5.5 量子ホール効果の理論的考察 117
   5.5.1 長距離ポテンシャルによる局在と量子ホール効果の描像 117
   5.5.2 強磁場中の二次元自由電子 119
   5.5.3 Laughlinの思考実験 121
   5.5.4 端電流模型 124
   5.6 量子ホール効果に関連する実験 128
   5.6.1 マイクロ波による量子ホール効果の測定 128
   5.6.2 量子ホール効果状態試料のエネルギー散逸と電位分布 131
   5.6.3 強磁場中の二次元電子の局在 134
   5.6.4 高電流による量子ホール効果のブレイクダウン 139
   5.6.5 高電流による量子化ホール抵抗の崩壊 146
文献 153
索引 159
1. 序章 1
   1.1 表面電気伝導と表面散乱 1
   1.2 半導体界面量子効果と二次元電子 3
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