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1.

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東工大
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東工大
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古川静二郎執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1982.10  xi, 230p ; 22cm
シリーズ名: 電子通信学会大学シリーズ / 電子通信学会編 ; E-1
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1.半導体の基礎
   1.1 結晶とエネルギー帯域構造 1
   1.1.1 結晶と非晶質 1
   1.1.2 結晶構造 2
   1.1.3 半導体結晶のエネルギー帯構造 3
   1.1.4 半導体材料の多様性 7
   1.2 キャリヤ密度 8
   1.2.1 2種類のキャリヤと有効質量 8
   1.2.2 真性半導体と外因性半導体 10
   1.2.3 キャリヤ密度とフェルミ準位 11
   1.3 半導体中の電気伝導 17
   1.3.1 ドリフト現象 17
   1.3.2 拡散現象 19
   1.3.3 電流の式 20
   1.3.4 キャリヤの熱的発生と再結合 21
   1.3.5 電流連続の式 26
   演習問題 28
2.接合と障壁
   2.1 pn接合と整流特性 30
   2.1.1 pn接合の重要性 30
   2.1.2 階段接合の整流作用 31
   2.2 空間電荷層の特性 34
   2.2.1 階段接合の場合 34
   2.2.2 傾斜形pn接合 37
   2.3 理想pn接合の静的電圧・電流特性 39
   2.3.1 解析の仮定 39
   2.3.2 過剩キャリヤ密度 40
   2.3.3 中性領域を流れる電流 41
   2.4 金属-半導体接触の電気伝導 45
   2.4.1 理想整流接触 45
   2.4.2 理想金属-半導体整流接触の電圧電流特性 47
   2.4.3 金属-半導体オーミック接触 49
   演習問題 50
3.半導体デバイスの製作法
   3.1 半導体の精製 52
   3.2 結晶成長 53
   3.2.1 バルク結晶成長 53
   3.2.2 エピタキシアル成長 54
   3.3 不純物導入法 55
   3.3.1 結晶成長過程の不純物導入法とpn接合形成 55
   3.3.2 熱拡散法 56
   3.3.3 イオン打込み法 57
   3.4 プレーナ技術 59
   3.4.1 酸化膜の形成 59
   3.4.2 ホトリングラフィと化学エッチング 60
   3.4.3 電極付着 61
   3.4.4 プレーナダイオードの製作 62
   演習問題 63
4.半導体ダイオードとその実際
   4.1 pnダイオードの直流特性の実際 64
   4.1.1 キャリヤの発生と再結合効果 65
   4.1.2 降伏現象 67
   4.1.3 直列抵抗効果 71
   4.1.4 高水準注入効果 72
   4.2 薄いベース層を有するpn接合ダイオードの直流特性 73
   4.2.1 npp+形ダイオードの電流・電圧特性 74
   4.2.2 キャリヤのベース走行時間 75
   4.3 pn接合ダイオードの動特性 77
   4.3.1 少数キャリヤ蓄積効果 77
   4.3.2 拡散容量と接合容量 77
   4.3.3 スイッチング特性の過渡特性 78
   4.4 半導体ダイオードの回路モデル 80
   4.4.1 微小信号モデル 80
   4.4.2 大信号直流モデル 81
   4.5 半導体ダイオードの応用 82
   4.5.1 整流ダイオード 82
   4.5.2 検波ダイオード 84
   4.5.3 スイッチングダイオード 86
   4.5.4 ステップレカバリダイオード 88
   4.5.5 pinダイオード 88
   4.5.6 可変容量ダイオード 88
   4.5.7 定電圧ダイオード 89
   演習問題 90
5.トランジスタ構造とその増幅作用
   5.1 増幅用デバイスの分類 91
   5.2 動作原理 92
   5.2.1 ベース接地トランジスタの増幅作用 92
   5.2.2 エミッタ接地トランジスタの増幅作用 95
   5.2.3 電流駆動形増幅デバイス 97
   5.3 電流伝送率 98
   5.3.1 注入効率 99
   5.3.2 輸送効率 100
   5.3.3 コレクタ効率 101
   5.3.4 電流伝送率αとドーピング分布 101
   5.4 バイポーラトランジスタの小信号等価回路 102
   5.4.1 ベース接地T形等価回路 103
   5.4.2 エミッタ接地T形等価回路 103
   5.4.3 コレクタ接地T形等価回路 104
   5.4.4 トランジスタ応用の多様性 105
   5.5 四端子パラメータ 106
   演習問題 109
6.バイポーラトランズスタの動作の実際
   6.1 高周波動作 111
   6.1.1 電流伝送率の遮断周波数 111
   6.1.2 高周波等価回路 113
   6.1.2 エミッタ接地回路の利得帯域幅積 115
   6.2 トランジスタの雑音特性 118
   6.2.1 雑音に関する基礎事項 118
   6.2.2 トランジスタの雑音 119
   6.3 トランジスタに見られる諸効果 120
   6.3.1 ドリフト効果 120
   6.3.2 電流増幅率のエミッタ電流依存性とキャリヤ再結合効果 121
   6.3.3 電子雪崩効果 122
   6.3.4 アーリー効果 122
   6.3.5 残留抵抗効果 123
   6.3.6 カーク効果 123
   6.3.7 電流集中効果 123
   6.4 スイッチング動作 124
   6.4.1 スイッチングの基本回路 124
   6.4.2 トランジスタの動作状態 125
   6.4.3 スイッチング速度 126
   6.5 各種トランジスタの実際と応用 128
   6.5.1 バイポーラトランジスタ増幅回路とバイアス回路 128
   6.5.2 大電力トランジスタ 130
   6.5.3 マイクロ波用トランジスタ 133
   6.5.4 スイッチングトランジスタ 134
   6.6 モノリシックバイポーラトランジスタ集積回路 135
   6.6.1 集積回路の特徴 135
   6.6.2 IC構成法 136
   6.6.3 バイポーラICの実例 137
   演習問題 138
7.金属・絶縁物・半導体構造とその増幅作用
   7.1 増幅作用の物理的意味 140
   7.2 理想MIS構造の性質 142
   7.2.1 理想MIS構造の基本特性 143
   7.2.2 誘導電荷密度のゲート電圧依存性 147
   7.3 しきい電圧に与えるその他の諸効果 149
   7.3.1 仕事関数差 149
   7.3.2 絶縁膜の電荷 150
   7.3.3 界面準位密度 151
   7.4 MISトランジスタの基本特性 153
   7.4.1 線形領域の動作 153
   7.4.2 ピンチオフ領域の動作 155
   7.4.3 エンハンスメント形およびデプレション形FET 156
   7.4.4 nチャネルとpチャネル形FET 157
   演習問題 158
8.電界効果トランジスタと関連デバイス
   8.1 MIS FETの動特性 160
   8.1.1 動的モデルと徴小信号等価回路 160
   8.1.2 利得帯域幅積 162
   8.2 MIS FET における諸効果 164
   8.2.1 基板バイアス効果 164
   8.2.2 チャネル長変調効果 165
   8.2.3 突抜けと電子雪崩降伏効果 165
   8.2.4 二次元キャリヤドリフト効果と強電界効果 166
   8.2.5 ソース残留抵抗効果 166
   8.3 MIS FETの実際と応用 167
   8.3.1 MOS FETの小信号パラメータ 167
   8.3.2 交流増幅回路 168
   8.3.3 大電力MIS FET増幅回路 169
   8.3.4 ディジタル回路 169
   8.3.5 スイッチング回路 170
   8.4 MOS集積回路(IC) 171
   8.4.1 MOSインバータ 171
   8.4.2 MOSメモリ 173
   8.4.3 電荷転送デバイス(CTD) 175
   8.5 接合およびショットキー障壁FET 177
   8.5.1 pn接合FET 177
   8.5.2 ショットキー障壁(SB)FET 180
   8.6 静電誘導形トランジスタ(SIT) 181
   8.6.1 原理と構造 182
   8.6.2 SITの応用と実祭 185
   演習問題 186
9.能動二端子デバイス
   9.1 負性抵抗と不安定性 188
   9.2 サイリスタ 189
   9.2.1 ショックレーダイオード 189
   9.2.2 SCRにおけるトリガ機構 191
   9.2.3 SCRの応用 192
   9.2.4 サイリスタの実際と変種 194
   9.3 ユニジャンクショントランジスタ 197
   9.3.1 UJTの構造と原理 197
   9.3.2 UJTの応用 198
   9.4 マイクロ波能動デバイス 199
   9.4.1 エサキダイオード 199
   9.4.2 ガンダイオード 200
   9.4.3 インパットダイオード 202
   9.4.4 その他の走行時間ダイオード 203
   演習問題 204
10.電気・光変換デバイス
   10.1 半導体の光物性 205
   10.1.1 半導体による吸収 205
   10.1.2 半導体における発光現象 206
   10.2 光検出デバイス 208
   10.2.1 光導電セル 208
   10.2.2 ホトダイオード 211
   10.2.3 雪崩ホトダイオード 213
   10.2.4 ホトトランジスタ 214
   10.3 太陽電池 215
   10.4 発光素子 218
   10.4.1 発光ダイオード 218
   10.4.2 半導体レーザ 219
   演習問題 222
付録 224
演習問題解答 225
索引 227
1.半導体の基礎
   1.1 結晶とエネルギー帯域構造 1
   1.1.1 結晶と非晶質 1
2.

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東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
佐々木昭夫執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1983.12  ix, 222p ; 22cm
シリーズ名: 電子通信学会大学シリーズ / 電子通信学会編 ; D-2
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1.固体の概念
   1.1 固体内原子の結合 2
   1.1.1 ファン・デル・ワールス力による結合 2
   1.1.2 イオン結合 4
   1.1.3 共有結合 5
   1.1.4 金属結合 6
   1.1.5 水素結合 6
   1.1.6 混在する場合 7
   1.1.7 結合と固体の特徴 8
   1.2 固体内原子の配列 9
   1.2.1 基本事項 9
   1.2.2 点群,ブラベ格子および空間群 11
   1.2.3 結晶内の面と方向 13
   1.2.4 代表的な結晶構造 14
   1.3 原子の周期配列による回折現象 18
   1.3.1 回折現象 18
   1.3.2 ブラッグの回折則 19
   1.3.3 逆格子とブリルアン帯域 19
   1.4 原子の振動 21
   1.4.1 単一原子格子の振動姿態 22
   1.4.2 2原子格子の振動姿態 24
   1.4.3 格子振動の粒子性とその他 27
   演習問題 27
2. 固体の量子力学基礎
   2.1 量子概念の導入 29
   2.2 粒子性と波動性 30
   2.3 自由空間に対するシュレディンガー方程式 31
   2.4 シュレディンガー方程式 34
   2.5 不確定性原理 35
   2.6 電位障壁内トンネル現象 36
   2.7 電位井戸内の粒子 39
   2.8 球対称電位中の粒子 41
   2.9 パウリの排他律 45
   2.10 対応原理と演算子表示 48
   2.11 角運動量とスピン 50
   2.12 摂動法 53
   演習問題 55
3. 固体内電子
   3.1 電子の取り扱い 56
   3.2 結晶固体内周期電位とエネルギー帯構造 58
   3.3 有効質量と正孔 61
   3.4 金属,半導体,絶縁体 64
   3.5 熱平衡時の分布関数 67
   3.5.1 マクスウェル・ボルツマン分布 70
   3.5.2 ボース・アインシュタイン分布 72
   3.5.3 フェルミ・ディラック分布 73
   3.6 ボルツマン輸送方程式 74
   3.7 連続と運動量の式 75
   演習問題 78
4. 固体における電子現象〔I〕 主として半導体
   4.1 真性半導体と不純物半導体 79
   4.2 真性半導体のキャリア数とフェルミ準位 82
   4.3 不純物半導体のキャリア数とフェルミ単位 85
   4.4 各種移動度と異方性有効質量 87
   4.5 過剰少数キャリアによる電気伝導 93
   4.6 キャリア速度の高電界効果 94
   4.7 電子雪崩降伏とツェナー効果 95
   4.8 半導体表面 98
   4.9 金属・半導体接触 101
   4.10 p型・n型半導体接合 105
   演習問題 109
5.固体における電子現象〔II〕 主としてその他の固体
   5.1 金属の電子伝導 111
   5.2 半金属の電子伝導 113
   5.3 無定形質の電子伝導 114
   5.4 超伝導体の電子物性 116
   5.4.1 超伝導 116
   5.4.2 超伝導状態における電子と完全導電性 117
   5.4.3 トンネル現象 119
   演習問題 121
6. 固体の磁電,熱電および光電物性
   6.1 磁電物性 122
   6.1.1 ホール効果 122
   6.1.2 磁気抵抗効果 125
   6.2 熱電物性 126
   6.2.1 ゼーベック効果 126
   6.2.2 ペルティエ効果 127
   6.3 光電物性 128
   6.3.1 光吸収 129
   6.3.2 光導電効果 131
   6.3.3 光起電力効果 133
   6.3.4 電界ルミネセンス 136
   演習問題 140
7.固体の誘電的性質
   7.1 誘電分極と電気双極子 141
   7.2 誘電分極の種類と分極率 143
   7.2.1 誘電分極の種類 143
   7.2.2 分極率 144
   7.3 誘電体の内部電界と局所電界 146
   7.4 分極率と誘電定数 147
   7.5 誘電定数の周波数変化 149
   7.6 誘電分域と強誘電体 151
   7.6.1 誘電分域 151
   7.6.2 強誘電体 151
   7.7 圧電効果と電気光学効果 153
   演習問題 156
8.固体の磁気的性質
   8.1 磁性と磁気双極子 157
   8.2 磁気双極子の種類 159
   8.3 原子の磁気モーメント 163
   8.4 反磁性と常磁性 165
   8.4.1 反磁性 165
   8.4.2 常磁性 165
   8.5 強磁性と磁区 166
   8.6 反強磁性とフェリ磁性 171
   8.6.1 反強磁性 171
   8.6.2 フェリ磁性 172
   8.7 磁気に関するその他の諸現象 173
   演習問題 175
9.固体デバイス〔I〕 主として半導体
   9.1 固体デバイスとは 176
   9.2 パイポーラ・トランジスタ 178
   9.2.1 接合型トランジスタ内の電流 179
   9.2.2 トランジスタの増幅機構 181
   9.2.3 トランジスタの電流増幅 182
   9.3 電界効果トランジスタ 184
   9.3.1 接合型電界効果トランジスタ 184
   9.3.2 モス・トランジスタ 185
   9.4 pnpnダイオード 187
   9.4.1 スイッチング動作 188
   9.4.2 サイリスタ 189
   9.5 集積回路 189
   9.6 電荷転送デバイス 194
   演習問題 196
10.固体デバイス〔II〕 主としてその他の固体
   10.1 表面超音波デバイス 197
   10.2 磁気コア・メモリ 200
   10.3 磁気バブル・デバイス 201
   演習問題 205
付録 1.元素の(長周期型)周期表 206
   2.主な物理定数 208
文献 209
演習問題解答 211
索引 219
1.固体の概念
   1.1 固体内原子の結合 2
   1.1.1 ファン・デル・ワールス力による結合 2
3.

図書

東工大
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図書
東工大
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当麻喜弘執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1986.1  7,193p ; 22cm
シリーズ名: 電子通信学会大学シリーズ / 電子通信学会編 ; G-2
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1.論理代数
   1.1 論理代数の諸性質 1
   1.1.1 2値変数と論理演算 1
   1.1.2 基本の演算 2
   1.1.3 諸性質 3
   1.2 論GF関数とその表現形式 8
   1.2.1 完全定義論理関数と不完全定義論理関数 8
   1.2.2 極小項表現 9
   1.2.3 極大項表現 11
   1.2.4 Reed-Muller展開 13
   1.3 論理等式の解釈 17
   1.4 論理代数方程式とその解 18
   演習問題 21
2.論理関数の諸性質
   2.1 ユネイト関数 23
   2.2 双対関数 28
   2.3 その他の関数 32
   2.4 同族性による類別 35
   演習問題 39
3.論理関数の分解・合成
   3.1 論理関数の実現 42
   3.2 NOT-AND-OR/NOT-OR-AND形式 44
   3.2.1 Quine-McCluskeyの方法 45
   3.2.2 Karnaugh の図を用いる方法 50
   3.2.3 複数の論理関数の実現 54
   3.2.4 NOT-OR-AND形式 57
   3.3 NAND/NOR形式 57
   3.3.1 NAND形式 57
   3.3.2 NOR形式 61
   3.4 補償関数 61
   3.5 万能論理関数集合 64
   演習問題 71
4.順序回路とその実現
   4.1 順序回路の基本構成 74
   4.2 順序回路の表現 78
   4.2.1 状態遷移図 78
   4.2.2 状態遷移表 79
   4.2.3 不完全定義順序回路 80
   4.2.4 δ,ωの拡張 80
   4.3 順序回路の実現 82
   4.3.1 状態割当てと状態変数関数 82
   4.3.2 遅延回路を用いた実現 88
   4.3.3 フリップフロップを用いた実現 88
   演習問題 101
5.状態の等価性と両立性
   5.1 状態の等価性 106
   5.2 順序回路の等価性と簡単化 111
   5.3 状態を区別する入力系列 113
   5.4 両立性 117
   演習問題 128
6.順序回路の分解
   6.1 遷移合同性 133
   6.2 並列分解 140
   6.2.1 状態遷移関数の決定 141
   6.2.2 出力関数の決定 144
   6.3 縦続分解 147
   演習問題 154
7.順序回路と形式言語
   7.1 正規表現 157
   7.2 形式方語 161
   7.3 3型文法と順序回路 166
   演習問題 173
文献 176
演習問題略解 177
索引 191
1.論理代数
   1.1 論理代数の諸性質 1
   1.1.1 2値変数と論理演算 1
4.

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図書
末松安晴著
出版情報: [出版地不明] : [Amazon], 2019.11  315p ; 21cm
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5.

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図書
日本科学技術振興財団ECE懇談会編
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1974  10, 282p ; 22cm
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6.

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図書
沢田敏男編
出版情報: 東京 : 日本学術振興会 , 東京 : 丸善(発売), 1991.3-1993.6  3冊 ; 18cm
シリーズ名: 学振新書 ; 5,6,17
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7.

図書

図書
末松安晴
出版情報: 東京工業大学, 1988.3
所蔵情報: loading…
8.

図書

図書
末松安晴
出版情報: 東京工業大学, 1990
所蔵情報: loading…
9.

図書

図書
末松安晴
出版情報: 東京工業大学, 1992
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10.

学位論文

学位
末松安晴
出版情報: 東京 : 東京工業大学
所蔵情報: loading…
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