| 第1章 欠陥制御エピタキシャル成長技術による表面物質創製 1 |
| 1.1 Si表面上Ge歪エピタキシャル成長によるナノアイランド形成 1 |
| 1.1.1 はじめに 1 |
| 1.1.2 Si表面上GeのStranski-Krastanov(SK)成長 2 |
| 1.1.3 透過型電子顕微鏡法によるhut clusterと格子欠陥の観察 3 |
| 1.1.4 hut cluster上Geマクロアイランドの成長過程 6 |
| 1.1.5 アイランド化を誘引する成長欠陥の多様性 8 |
| 1.1.6 アイランド化機構の成長温度依存性 9 |
| 1.1.7 Si(001)表面上Ge成長のその場反射高速電子線回折 11 |
| 1.1.8 Si(001)表面上Geアイランドの形成メカニズム 13 |
| 1.1.9 まとめ 15 |
| 1.2 高規則化刃状転位ネットワーク形成による均一歪Si(1-x)Gex・Ge層の創製 16 |
| 1.2.1 はじめに 16 |
| 1.2.2 歪系ヘテロ界面における転位制御の意義 17 |
| 1.2.3 60°転位と刃状転位 18 |
| 1.2.4 ヘテロ界面における転位構造の変換と歪緩和制御 21 |
| 1.2.5 歪緩和Si(1-x)Gex層における局所領域微細構造の評価 26 |
| 1.2.6 刃状転位ネットワークの有効性 30 |
| 1.2.7 まとめ 31 |
| 1.3 GaNのエピタキシャル横方向成長と自己組織的転位伝播 31 |
| 1.3.1 はじめに 31 |
| 1.3.2 HVPEによるエピタキシャル横方向成長 33 |
| 1.3.3 サファイアc面上GaN層中の貫通転位 35 |
| 1.3.4 ELO-GaN膜中の転位・欠陥構造 35 |
| 1.3.5 ELO初期の転位形態 39 |
| 1.3.6 ELO-GaN膜の表面形態と成長様式 41 |
| 1.3.7 転位が曲がるメカニズム 43 |
| 1.3.8 ELO中期の転位形態 45 |
| 1.3.9 自己組織的転位伝播のメカニズム 47 |
| 1.3.10 マスク上欠陥形成と転位低減機構 51 |
| 1.3.11 まとめ 53 |
| 引用・参考文献 53 |
| 第2章 走査型プローブ顕微鏡による表面物質創製 57 |
| 2.1 原子操作による表面物質創製 57 |
| 2.1.1 はじめに 57 |
| 2.1.2 原子操作創成期(1980年代) 59 |
| 2.1.3 原子操作の確立(1989年～) 60 |
| 2.1.4 機能創出(1990年代より) 62 |
| 2.1.5 化学反応(ナノケミストリ) 64 |
| 2.1.6 AFMによる原子操作の実現 66 |
| 2.1.7 原子操作の将来像 67 |
| 2.1.8 おわりに 69 |
| 2.2 原子操作による導電性分子デバイス 70 |
| 2.2.1 はじめに 70 |
| 2.2.2 分子配線材料と導電性高分子 71 |
| 2.2.3 分子配線1本の電気物性測定法の確立 72 |
| 2.2.4 導電性高分子1本の電気物性測定 73 |
| 2.2.5 SPMを分子カッターとして利用した1本レベルの特性評価 76 |
| 2.2.6 導電性ナノファイバー1本レベルでの電子機能計測 79 |
| 2.2.7 おわりに 81 |
| 引用・参考文献 82 |
| 第3章 自己組織化によるナノワイヤ，ナノドット形成 87 |
| 3.1 VLS法によるナノワイヤ成長 87 |
| 3.1.1 はじめに 87 |
| 3.1.2 VLS成長法 89 |
| 3.1.3 ナノワイヤの結晶構造 94 |
| 3.1.4 ナノワイヤのヘテロ構造 96 |
| 3.1.5 ナノワイヤの成長 98 |
| 3.1.6 おわりに 110 |
| 3.2 シリコン基板上ナノワイヤのヘテロ構造，3次元構造 110 |
| 3.2.1 シリコン(Si)基板上Ⅲ－Ⅴ族半導体成長 110 |
| 3.2.2 ヘテロ構造で3次元デバイス 112 |
| 3.2.3 実験 115 |
| 3.2.4 軸方向のヘテロ構造による曲がったナノワイヤ 116 |
| 3.2.5 動径方向のヘテロ構造によるコア－マルチシェルナノワイヤ 120 |
| 3.2.6 長波長帯発光のためのGaInAs/AlInAsヘテロ構造ナノワイヤ 122 |
| 3.2.7 おわりに 124 |
| 3.3 生体物質を用いた金属ナノドット形成 125 |
| 3.3.1 はじめに 125 |
| 3.3.2 タンパク質バイオテンプレートとナノ粒子 126 |
| 3.3.3 フェリチンタンパク質とリステリアDpsタンパク質を用いたナノ粒子の作製 128 |
| 3.3.4 応用展開および将来展望 137 |
| 3.4 自己組織化による界面のデザイン : 有機膜形成 139 |
| 3.4.1 はじめに 139 |
| 3.4.2 アルカンチオールSAMの基本特性 139 |
| 3.4.3 機能性自己組織化膜の基本特性 143 |
| 3.4.4 機能性自己組織化膜の応用 145 |
| 引用・参考文献 154 |
| 第4章 表面を利用した炭素系ナノ材料の創製 163 |
| 4.1 基板表面上のグラフェンの創製 163 |
| 4.1.1 グラフェン 163 |
| 4.1.2 金属表面上でのグラフェン創製 164 |
| 4.1.3 SiC表面上でのグラフェン創製 168 |
| 4.1.4 SiC(0001)表面上でのエピタキシャルグラフェン成長の実際 172 |
| 4.2 表面構造を利用したカーボンナノチューブの配列制御 174 |
| 4.2.1 単層カーボンナノチューブの成長 174 |
| 4.2.2 表面原子列による配列制御 176 |
| 4.2.3 原子ステップによる配列制御 180 |
| 4.2.4 表面構造物を利用した自己組織化成長 185 |
| 引用・参考文献 187 |
| 索引 189 |
| 第1章 欠陥制御エピタキシャル成長技術による表面物質創製 1 |
| 1.1 Si表面上Ge歪エピタキシャル成長によるナノアイランド形成 1 |
| 1.1.1 はじめに 1 |
図書
