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1.

図書

図書
Richard A Dunlap
出版情報: San Rafael, CA : Morgan & Claypool, c2018  1 v. (various pagings) ; 26 cm
シリーズ名: IOP concise physics
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2.

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東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
柳井久義, 酒井善雄著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1969.5  xi, 342p ; 22cm
シリーズ名: 標準電気工学講座 ; 5
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第1章 序論
第2章 導電材料
   2・2 導電材料および電気伝導現象 8
   2・1・1 導電材料 8
   2・1・2 電子のふるまい 9
   2・1・3 電子散乱と導電率 12
   2・1・4 交流電界による電気伝導 14
   2・1・5 超電導現象 17
   2・2 金属材料の種類と性質 19
   2・2・1 純金属の種類と性質 19
   2・2・2 銅 20
   2・2・3 アルミニウム 21
   2・2・4 合金 22
   2・2・5 銅合金 23
   2・2・6 アルミニウム合金 24
   2.・3 半導体材料およびその現象 25
   2・3・1 半導体の導電機構 25
   2・3・2 半導体の界面現象 28
   2・3・3 半導体における諸現象 30
   2・3・4 半導体の精製と単結晶の作成 33
   2・3・5 半導体材料の種類と特性 36
   2・3・6 半導体材料の使用法 39
   2・3・7 半導体材料試験法 47
   2・4 抵抗材料 49
   2・4・1 概説 49
   2・4・2 金属抵抗材料 50
   2・4・3 非金属抵抗材料 56
   2・4・4 液体抵抗材料 57
   2・5 特殊導電材料 58
   2・5・1 ヒューズ 58
   2・5・2 ろう付け材料 60
   2・5・3 金属薄膜 61
   2・5・4 超電導材料その他 62
   問題 63
第3章 接点材料および接触子材料
   3・1 接触子面における導電 66
   3・1・1 皮膜抵抗 67
   3・1・2 集中抵抗 67
   3・1・3 接触抵抗に及ぼす影響 67
   3・2 接点材料 68
   3・2・1 接点材料の具備条件 68
   3・2・2 各種接点材料 70
   3.・3 ブラシ材料 71
   3・3・1 ブラシ材料の具備条件 71
   3・3・2 炭素および炭素ブラシ 71
   問題 73
第4章 磁性材料
   4・1 磁性材料の種類と磁気特性 74
   4・1・1 磁性体の分類 74
   4・1・2 磁気モーメント 76
   4・1・3 常磁性と逆磁性 78
   4・1・4 強磁性 81
   4・1・5 フェリ磁性と反強磁性 83
   4・1・6 鉄損 84
   4・1・7 結晶形と磁性,磁気ひずみ作用,磁化の遅れ 85
   4・1・8 磁性材料の製造 87
   4・1・9 磁性材料の分類 88
   4・2 高周波における磁性材料の特性 89
   4・3 金属磁性材料 93
   4・3・1 鉄 94
   4・3・2 けい素鋼 95
   4・3・3 Fe-Al,Fe-Si-Al系合金 99
   4・3・4 Fe-Ni合金 100
   4・3・5 恒透磁率材料 103
   4・4 圧粉磁心材料および管フェライト 103
   4・4・1 圧粉磁心材料 104
   4・4・2 フェライト 105
   4・5 永久磁石材料 107
   4・5・1 永久磁石材料の具備条件 107
   4・5・2 焼入れ硬化材料 109
   4・5・3 析出硬化材料 109
   4・5・4 焼結材料 109
   4・5・5 その他の永久磁石材料 112
   4・6 特殊磁性材料 112
   4・6・1 角形ヒステリシス曲線材料 112
   4・6・2 整磁材料,非磁性鉄鋼 113
   4・6・3 磁気ひずみ材料 113
   4・6・4 磁気録音材料 114
   4・6・5 その他 114
   4・7 磁性材料試験法 114
   4・7・1 磁化特性 115
   4・7・2 鉄損試験 115
   4・7・3 高周波試験 117
   4・7・4 永久磁石材料の試験 121
   問題 122
第5章 絶縁材料
   5・1 絶縁材料の種類と電気の特性 125
   5・1・1 絶縁材料の種類と要求される性質 125
   5・1・2 絶縁物での電気伝導 128
   5・1・3 絶縁破壊現象と絶縁耐力 131
   5・1・4 誘電分極と誘電特性 135
   5・1・5 誘電体現象とその説明 143
   5・1・6 物質構造と誘電特性 151
   5・1・7 絶縁材料の劣化 153
   5・2 気体絶縁材料 156
   5・2・1 気体による絶縁 156
   5・2・2 火花放電 156
   5・2・3 各種気体絶縁物 158
   5・3 液体絶縁材料 160
   5・3・1 絶縁油の種類と特性 160
   5・3・2 鉱物性絶縁油 162
   5・3・3 合成絶縁油 165
   5・4 無機固体絶縁材料 166
   5・4・1 天然無機固体絶縁材料 167
   5・4・2 ガラス 171
   5・4・3 磁器 174
   5・4・4 無機薄膜材料 181
   5・5 有機固体絶縁材料 182
   5.・5・1 天然有機固体絶縁材料 182
   5・5・2 高分子材料概説 188
   5・5・3 熱可塑性合成樹脂 192
   5・5・4 熱硬化性合成樹脂 198
   5・5・5 ゴムおよび合成ゴム 206
   5・5・6 ろう類 212
   5・6 絶縁ワニスおよびコンパウンド 215
   5・6・1 ワニスの種類と特性 215
   5・6・2 絶縁コンパウンド 217
   5・6・3 ワニス処理品 217
   5・7 絶縁材料試験法 219
   5・7・1 固体材料 219
   5・7・2 気体材料 227
   5・7・3 液体材料 227
   問題 229
第6章 強誘電材料および圧電材料
   6・1 強誘電体および圧電現象 233
   6・2 強誘電材料および圧電材料 236
   6・2・1 水晶 236
   6・2・2 ロシェル塩 237
   6・2・3 りん酸アンモンおよびりん酸カリ 238
   6・2・4 EDTおよびDKT 238
   6・2・5 チタン酸バリウムおよび固溶体 238
   6・2・6 ジルコン酸鉛固溶体 242
   6・2・7 ニオブ酸塩 242
   問題 243
第7章 電線,ケーブル
   7・1 裸電線 244
   7・1・1 電線の製法 244
   7・1・2 裸電線の種類 244
   7・1・3 主要な裸電線 245
   7・1・4 裸電線の電流容量 247
   7・2 絶縁電線 247
   7・2・1 巻線類 248
   7・2・2 塗覆線 248
   7・2・3 通信機器配線用被覆線 248
   7・2・4 綿絶縁電線 249
   7・2・5 ゴム絶縁電線 249
   7・2・6 合成樹脂絶縁電線 251
   7・2・7 絶縁電線の許容電流 252
   7・3 電力ケーブル 252
   7・3・1 種類と構造 252
   7・3・2 各種ケーブル 253
   7・3・3 最高使用温度と許容電漢 255
   7・4 電気通信用ケーブル 255
   7・4・1 市内ケーブル 256
   7・4・2 市外ケーブル 258
   7・4・3 局内ケーブル 259
   7・4・4 同軸ケーブル 259
   7・4・5 特殊ケーブル 261
   7・4・6 ケーブルの電気的特性 264
   7・4・7 高周波伝送線路 264
   問題 268
第8章 電子回路部品
   8・1 抵抗器 270
   8・1・1 抵抗器の種類と特性 270
   8・1・2 巻線抵抗器 272
   8・1・3 炭素系体抵抗器 273
   8・1・4 炭素系皮膜抵抗器 278
   8・1・5 金属皮膜抵抗器 281
   8・1・6 酸化金属皮膜抵抗器その他 283
   8・2 コンデンサ 284
   8・2・1 コンデンサの種類と特性 284
   8・2・2 真空および空気コンデンサその他 289
   8・2・3 紙コンデンサ 292
   8・2・4 プラスチックフィルムコンデンサ 295
   8・2・5 雲母コンデンサ,ガラスコンデンサ 298
   8・2・6 磁器コンデンサ 299
   8・2・7 電解コンデンサ 302
   8・2・8 薄膜コンデンサ 306
   8・3 コイルおよび変成器 306
   8・4 半導体回路素子 309
   8・4・1 半導体ダイオード 310
   8・4・2 トランジスタ 311
   8・4・3 サイリスタ 314
   8・4・4 その他 315
   8・5 集積回路 316
   8・5・1 集積化と集積回路 316
   8・5・2 集積回路の種類 317
   8・5・3 半導体集積回路 318
   8・5・4 薄膜および厚膜集積回路 323
   8・5・5 半導体および薄膜あるいは厚膜集積回路と大規模集積化 327
   8・5・6 集積回路の特長 328
   問題 331
   解答 333
   索引 335
第1章 序論
第2章 導電材料
   2・2 導電材料および電気伝導現象 8
3.

図書

図書
仁田勇[ほか]編
出版情報: 京都 : 化学同人, 1968  279p ; 26cm
シリーズ名: 化学増刊 ; 35
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4.

図書

図書
西嶋光昭著
出版情報: 東京 : アイピーシー, 2002.7  ix, 182p ; 27cm
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5.

図書

図書
Walter R. Beam
出版情報: New York : McGraw-Hill , Tokyo : Kôgakusha Co., c1965  xvii, 633 p. ; 21 cm
シリーズ名: McGraw-Hill physical and quantum electronics series
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6.

図書

図書
出版情報: London ; New York : Gordon and Breach Science Publishers, 1986  99-161 p. ; 22 cm
シリーズ名: Comments on modern physics ; pt B . Comments on condensed matter physics ; v. 12, no. 3
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7.

図書

図書
editors, Esther Belin-Ferré ... [et al.]
出版情報: Singapore : World Scientific, c2000  xii, 532 p. ; 23 cm
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8.

図書

図書
editor: D.J. Fisher
出版情報: [Uetikon-Zuerich] : Scitec Publications, c1998-  v. ; 25 cm
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Original Papers
IR Studies of Oxygen-Vacancy Related Defects in Irradiated Silicon / C.A.Londos ; L.G.Fytros ; G.J.Georgiou
Calculation of Cd Diffusion Profiles in GaAs / E.Antoncik
Theory of Enhanced/Retarded Diffusion of Donor/Acceptor Dopants in Predoped Silicon
Ga Self-Diffusion in GaAs / P.Murugan ; K.Ramachandran
Abstracts: Defects and Diffusion in Semiconductors
Author Index
Keyword Index
Invited Papers
Defect Distribution on Epilayer/Substrate Interfaces of ISOVPE-MCT Films / U.Gilabert ; A.B. Trigubo ; R. Gonzalez ; N.E. Walsoe de Reca
Defects in Implanted Hg[subscript 1-x]Cd[subscript x]Te: Electrical and Structural Characterization / M.Aguirre ; H. Canepa ; E. Heredia
Dislocations in GaAs: Their Impact on Electronic and Atomic Processes / T.Wosinski ; T.Figielski
Electronic Structures of Dangling-Bond Structures Fabricated on Hydrogen-Terminated Si(100)-2 x 1 Surfaces / T. Hitosugi ; T. Hashizume ; S. Heike ; H. Kajiyama ; Y. Wada ; S. Watanabe ; T. Hasegawa ; K. Kitazawa
Recent Progress in the Understanding of Surface Diffusion: Influence of Phase Transitions and Surface Heterogeneities / F. Nieto ; A.A. Tarasenko ; C. Uebing
Some Non-Fickian Diffusion Equations: Theory and Applications / A.K. Das
Dopant Migration Caused by Point Defect Gradients / K. Maser
Original Papers
IR Studies of Oxygen-Vacancy Related Defects in Irradiated Silicon / C.A.Londos ; L.G.Fytros ; G.J.Georgiou
Calculation of Cd Diffusion Profiles in GaAs / E.Antoncik
9.

図書

図書
W. Kurz, D.J. Fisher
出版情報: Aedermannsdorf, Switzerland : Trans Tech Publications, 1998  305 p. ; 25 cm
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Introduction / Wilfried Kurz; David Fisher
Atom Transfer at the Solid/Liquid Interface
Morphological Instability of a Solid/Liquid Interface
Solidification Microstructure: Cells and Dendrites
Solidification Microstructure: Eutectic and Peritectic
Solute Redistribution
Rapid Solidification Microstructures
Summary
Appendices
Symbols
Index
Introduction / Wilfried Kurz; David Fisher
Atom Transfer at the Solid/Liquid Interface
Morphological Instability of a Solid/Liquid Interface
10.

図書

図書
editors R. Rivas & M.A. López-Quintela
出版情報: Singapore : World Scientific, c1998  xx, 593 p. ; 23 cm
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