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1.

図書

図書
Barrett, Craig R. ; Nix, William D. ; Tetelman, A. S. ; 堂山, 昌男(1927-) ; 井形, 直弘 ; 岡村, 弘之(1934-)
出版情報: 東京 : 培風館, 1980.6  vii, 196p ; 22cm
シリーズ名: 材料科学 / C.R. バレット, W.D. ニックス, A.S. テテルマン共著 ; 井形直弘, 堂山昌男, 岡村弘之共訳 ; 3
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2.

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図書
堂山昌男, 山本良一編
出版情報: 東京 : 海文堂, 1987.8  iii, 264p ; 22cm
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3.

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ザイマン [等] 著 ; 間瀬正一, 堂山昌男, 遠藤裕久訳
出版情報: 東京 : 丸善, 1973.7  xv, 422p ; 22cm
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4.

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P.H. エーベルソン, M. ドーフマン編 ; 堂山昌男, 山本良一訳
出版情報: 東京 : 東京大学出版会, 1983.3-1984.3  2冊 ; 21cm
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5.

図書

図書
B.Henderson [著] ; 堂山昌男訳
出版情報: 東京 : 丸善, 1975.5  ix, 238p ; 22cm
シリーズ名: 固体物性シリーズ ; 1
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6.

図書

図書
堂山昌男, 山本良一共編
出版情報: 東京 : 培風館, 1984  2冊 ; 19cm
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7.

図書

図書
堂山昌男著
出版情報: 東京 : 内田老鶴圃, 1990.3  vi, 254p, 図版4p ; 19cm
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8.

図書

図書
堂山昌男, 矢部正也共編
出版情報: 東京 : サイエンスフォーラム, 1989.1  29, 451p ; 31cm
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9.

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東工大
目次DB

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東工大
目次DB
古川静二郎編 ; 石原健 [ほか] 共著
出版情報: 東京 : 丸善, 1991.3  xi, 262p ; 22cm
シリーズ名: Maruzen advanced technology / 菅野卓雄 [ほか] 編集 ; . 材料工学編 / 堂山昌男 [ほか] 編||ザイリョウ コウガクヘン ; M08
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目次情報: 続きを見る
1章 ULSI基礎技術の展望 (徳山 魏)
   1-1 ULSI技術の展望 1
   1-1-1 ULSIの開発動向 1
   1-1-2 ULSIプロセス技術に求められるもの 4
   1-2 ULSIプロセス基礎技術の課題と方向付け 16
   1-2-1 パターン形成 16
   1-2-2 薄膜成長と界面制御 20
   1-2-3 不純物のドーピング 24
   1-2-4 環境制御 30
   1-2-5 CAD 31
   1-2-6 評価と分析 32
   文献 33
2章 光リソグラフィー (石原 健)
   2-1 はじめに 35
   2-2 光リソグラフィーの変遷 37
   2-3 光リソグラフィーの解像度 38
   2-3-1 レンズ開口度 39
   2-3-2 プロセスファクタ 40
   2-3-3 短波長化とシミュレーション 44
   2-3-4 エキシマレーザーリソグラフィーの研究動向 47
   2-4 エキシマレーザーリソグラフィー 52
   2-4-1 発振波長 52
   2-4-2 投影レンズ 53
   2-4-3 エキシマレーザーステッパー 56
   2-5 まとめ 62
   文献 63
3章 X線リソグラフィー (鳳 紘一郎)
   3-1 はじめに 65
   3-2 X線リソグラフィーの要素技術 66
   3-2-1 X線源 66
   3-2-2 X線マスク 72
   3-2-3 レジスト 75
   3-3 X線リソグラフィーシステム 76
   3-3-1 総合性能とその支配要因 76
   3-3-2 放射光露光システム 80
   3-3-3 装置の小型化 81
   3-4 X線投影露光の可能性 83
   3-5 むすび 84
   文献 84
4章 ドライエッチング (堀池靖浩)
   4-1 はじめに 89
   4-2 低温プラズマの基礎 90
   4-2-1 プラズマの発生 90
   4-2-2 電子衝撃プラズマ反応過程 92
   4-2-3 プラズマ電位と浮遊電位 94
   4-3 プラズマ発生とドライエッチング装置 95
   4-3-1 直流放電 95
   4-3-2 高周波放電 95
   4-4 エッチング反応機構 99
   4-4-1 エッチング5要素と形状の種類 99
   4-4-2 自発反応とイオン支援反応 100
   4-4-3 ガス添加効果とSiO2選択エッチング 104
   4-4-4 側壁保護膜反応 107
   4-4-5 マクロ/マイクロローディング効果 111
   4-4-6 低温エッチング 113
   4-4-7 入射角度依存性 115
   4-5 ダウンストリーム法 116
   4-6 高速エッチング 119
   4-7 イオン衝撃による諸副作用 123
   4-7-1 照射損傷 123
   4-7-2 側壁再付着 127
   4-7-3 AI後腐食 128
   4-8 次世代高密度デバイス製作のためのエッチング技術 128
   4-8-1 エッチングの低エネルギー化と問題点 128
   4-8-2 低エネルギーエッチング 130
   4-9 結語 135
   文献 135
5章 薄膜形成技術 (大見忠弘・森田瑞穂)
   5-1 酸化の重要性と展望 139
   5-2 酸化前処理 141
   5-2-1 ウェーハの品質 141
   5-2-2 ウェーハの洗浄 142
   5-2-3 ウェーハの乾燥 146
   5-2-4 自然酸化膜の除去 148
   5-2-5 ウェーハ表面の平坦化 149
   5-3 酸化システム 151
   5-3-1 実際の酸化炉 151
   5-3-2 超清浄酸化システム 153
   5-4 酸化機構 155
   5-4-1 洗浄Siの表面状態 155
   5-4-2 熱酸化過程 156
   5-4-3 自然酸化膜形成過程 157
   5-5 酸化膜の評価 161
   5-5-1 薄い酸化膜厚の測定 161
   5-5-2 酸化膜の構造 162
   5-5-3 酸化膜の電気的特性 164
   5-6 あとがき 166
   文献 166
6章 集束イオンビーム技術 (蒲生健次)
   6-1 はじめに 171
   6-2 集束イオンビーム装置 172
   6-2-1 高輝度イオン源 172
   6-2-2 集束イオンビーム装置 174
   6-3 集束イオンビーム加工の特長の限界 177
   6-4 イオンビーム誘起効果とマスクレス加工 179
   6-5 集束イオンビームによる加工 181
   6-5-1 イオンビーム露光 181
   6-5-2 エッチングとデポジション 186
   6-5-3 マスクレスイオン注入 193
   6-6 デバイスプロセスへの応用 194
   6-7 集束イオンビーム技術の将来 196
   6-7-1 低エネルギー集束イオンビームと加工損傷の低減 197
   6-7-2 その場プロセス 198
   文献 200
7章 SOI技術 (石原 宏)
   7-1 SOI技術の特徴 203
   7-2 横方向成長法 204
   7-2-1 帯域溶融再結晶化法 205
   7-2-2 ビーム再結晶化法 206
   7-2-3 気相・液相・固相成長法 209
   7-3 エピタキシャル成長法 212
   7-3-1 バルク絶縁物基板 212
   7-3-2 絶縁物薄膜構造 214
   7-4 絶縁膜埋め込み法 217
   7-4-1 SIMOX法 217
   7-4-2 FIPOS法および関連技術 219
   7-5 帖り付け法 221
   文献 222
8章 ULSIプロセシングにおける欠陥制御 (高野幸男)
   8-1 はじめに 225
   8-2 ULSIの基板に用いられるSiウェーハ 226
   8-3 結晶欠陥とその影響 227
   8-4 結晶欠陥の発生とその制御 229
   8-4-1 微小欠陥 229
   8-4-2 不純物拡散層の欠陥 236
   8-4-3 転位 239
   8-4-4 汚染不純物とその制御 247
   8-5 ゲッタリング技術 249
   8-5-1 エキシトリンシックゲッタリング 250
   8-5-2 イントリンシックゲッタリング 251
   8-6 今後の課題 253
   文献 254
索引 257
1章 ULSI基礎技術の展望 (徳山 魏)
   1-1 ULSI技術の展望 1
   1-1-1 ULSIの開発動向 1
10.

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図書
B.R.Coles, A.D.Caplin著 ; 堂山昌男訳
出版情報: 東京 : 丸善, 1978.1  x, 169p ; 22cm
シリーズ名: 固体物性シリーズ ; 4
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