| 1 基礎編 |
| 第1章 総論 ＜宮崎 栄三＞ 4 |
| 1. 汚れた表面と清浄表面 4 |
| 2. 清浄表面特有な性質 4 |
| 3. 表面分析法とそのバックグラウンド 6 |
| 第2章 結晶表面の原子配列と表示法 |
| 第1節 空間格子と単位構造 ＜河津 璋＞ 10 |
| 第2節 並進群と点群およびプラベー格子 ＜河津 璋＞ 11 |
| 1. はじめに 11 |
| 2. 並進群 11 |
| 3. 点群 11 |
| 第3節 二次元空間群 ＜河津 璋＞ 13 |
| 第4節 二次元超格子の表示法 ＜河津 璋＞ 15 |
| 1. はじめに 15 |
| 2. 行列による表示 15 |
| 3. Woodの表示法 15 |
| 第5節 二次元逆格子 ＜河津 璋＞ 18 |
| 第6節 二次元格子の性質 ＜河津 璋＞ 19 |
| 1. 逆格子と直線の直交 19 |
| 2. 直線(hk)への距離 19 |
| 3. 逆格子空間の単位格子の面積 20 |
| 第7節 微斜面の表示法 ＜河津 璋＞ 21 |
| 第8節 二次元格子の対称性の応用 ＜河津 璋＞ 23 |
| 第3章 表面の電子状態およびエネルギー |
| 第1節 内殻電子のエネルギー状態表示法 ＜中村 孝＞ 26 |
| 1. はじめに 26 |
| 2. 原子の殻構造 26 |
| 3. KLLオージェ遷移の終状態 26 |
| 4. おわりに 29 |
| 第2節 表面電位 ＜塚田 捷＞ 30 |
| 第3節 仕事関数 ＜塚田 捷＞ 33 |
| 第4節 トンネル効果 ＜塚田 捷＞ 37 |
| 第5節 科学吸着 ＜宮崎 栄三＞ 40 |
| 1. はじめに 40 |
| 2. 遷移d-金属表面における2原子分子の化学吸着 40 |
| 3. 共鳴モデルと化学吸着 43 |
| 第4章 光,電子,イオンによる表面分析の基礎 |
| 第1節 光による表面分析の基礎 ＜二瓶 好正＞ 48 |
| 1. はじめに 48 |
| 2. 電磁波と物質の相互作用 48 |
| 3. 電磁波を用いた表面分析法 56 |
| 第2節 電子の回折・放出・吸収 ＜早川 和延＞ 58 |
| 1. 本節の目的 58 |
| 2. 反射電子回折 58 |
| 3. 表面波共鳴現象 58 |
| 4. 表面波共鳴を視覚的にとらえる 60 |
| 5. 表面波共鳴を利用した表面観察-計測への応用 61 |
| 6. 二次電子放出と電子のスピン 65 |
| 7. おわりに 67 |
| 第3節 イオン ＜志水 隆一/姜 錫泰＞ 68 |
| 1. はじめに 68 |
| 2. スパッタリングの物理 68 |
| 3. 単原子試料のスパッタリング 70 |
| 4. 酸化物試料のスパッタリング 70 |
| 5. 合金試料のスパッタリング 71 |
| 6. 二次イオン収量 72 |
| 第5章 表面分析のための超高真空技術 |
| 第1節 真空の基礎 ＜辻 泰＞ 78 |
| 1. 真空の領域 78 |
| 2. 気体の圧力と分子密度 78 |
| 3. 分子速度 78 |
| 4. 平均自由行程と入射頻度 78 |
| 5. 気体の流れとコンダクタンス 79 |
| 6. 真空中の輸送現象 80 |
| 7. 吸着確率と滞留時間 80 |
| 8. 真空の質 81 |
| 第2節 真空材料 ＜山川 洋幸＞ 83 |
| 1. はじめに 83 |
| 2. 真空用構造材料 83 |
| 3. 真空用機能材料 86 |
| 第3節 真空度測定 ＜辻 泰＞ 88 |
| 1. はじめに 88 |
| 2. 全圧真空計 88 |
| 3. 分圧真空計 92 |
| 4. 真空計の校正と測定上の注意 93 |
| 第4節 真空ポンプ ＜小林 正典＞ 95 |
| 1. 真空ポンプの概念 95 |
| 2. ポンプ各論 95 |
| 第5節 排気系 ＜堀越 源一＞ 99 |
| 第6節 ガス放出現象 ＜堀越 源一＞ 104 |
| 第7節 その他 109 |
| 【1】 リークテスト ＜中村 静雄＞ 109 |
| 1. はじめに 109 |
| 2. ヘリウムリークディテクタの原理 109 |
| 3. ヘリウムリークディテクタによる漏れ捜し 110 |
| 4. ヘリウムリークディテクタと試験体との接続 111 |
| 【2】 パーツ(部品) ＜林 義孝＞ 113 |
| 1. はじめに 113 |
| 2. 真空シール 113 |
| 3. フランジ 114 |
| 4. バルブ 115 |
| 5. 運動導入器 116 |
| 6. 電流端子と光導入器 116 |
| 7. おわりに 117 |
| 第6章 清浄表面のつくり方 |
| 第1節 材料別試料調整法 120 |
| 【1】 材料の加熱 ＜斉藤 芳男＞ 120 |
| 1. 加熱洗浄の方法と注意点 120 |
| 【2】 イオンスパッタリング ＜福田 伸/山科 俊郎＞ 124 |
| 1. はじめに 124 |
| 2. イオン銃 124 |
| 3. 気体の取扱い 124 |
| 4. 照射効果 125 |
| 5. おわりに 127 |
| 【3】 へき開・破さい ＜上田 一之＞ 128 |
| 【4】 化学処理 ＜金持 徹/浦野 俊夫＞ 130 |
| 【5】 蒸着 ＜白木 靖寛＞ 135 |
| 1. はじめに 135 |
| 3. 蒸着法の実際 135 |
| 3. 高純度AI薄膜の形成と表面吸着現象 135 |
| 4. 単結晶薄膜の形成 137 |
| 5. GaAs単結晶洗浄表面の電子状態 137 |
| 6. 平坦界面の形成 139 |
| 【6】 電子衝撃加熱 ＜荒川 一郎＞ 140 |
| 1. 電子衝撃加熱法の実例 140 |
| 2. 電子衝撃加熱の利点 140 |
| 3. その他の方法 140 |
| 【7】 光刺激脱離(PSD) ＜伊佐 公男＞ 141 |
| 1. はじめに 141 |
| 2. 具体例 141 |
| 第2節 材料別表面洗浄化 143 |
| 【1】 半導体表面 143 |
| (a)化合物半導体 ＜中島 尚男＞ 143 |
| 1. はじめに 143 |
| 2. 化学エッチ 143 |
| 3. へき開 143 |
| 4. イオンおよびプラズマ照射 143 |
| 5. 真空中での熱処理 143 |
| 6. 分子線成長(MBE)法 144 |
| (b)超高真空中におけるSi結晶表面の洗浄化 ＜石坂 彰利＞ 146 |
| 1. はじめに 146 |
| 2. 洗浄Si表面とは 146 |
| 3. Si表面の汚染物とその源 147 |
| 4. 洗浄化のための環境 148 |
| 5. Si基板表面に形成した酸化皮膜の役割 148 |
| 6. 表面洗浄化法 149 |
| 7. 高温処理(＞1100℃)と低温処理(＜900℃)の比較 155 |
| 8. おわりに 155 |
| 【2】 金属表面 ＜金持 徹/浦野 俊夫＞ 156 |
| 1. はじめに 156 |
| 2. 主として加熱による洗浄化 156 |
| 3. 主としてスパッタリングによる洗浄化 156 |
| 4. 加熱法もスパッタリング法も有効でない場合 157 |
| 5. 主として蒸着法による清浄表面の作製 158 |
| 6. 酸化と還元 160 |
| 7. へき開・破砕 160 |
| 【3】 セラミックス(無機材料) ＜大島 忠平＞ 162 |
| 1. はじめに 162 |
| 2. 真空へき開法 162 |
| 3. 真空加熱法 163 |
| 4. イオンスパッタリングとアニール法 163 |
| 5. 雰囲気加熱法 164 |
| 6. 真空機械研磨法 164 |
| 【4】 有機材料表面 ＜稲岡紀子生/岡田 正和＞ 165 |
| 1. 特徴一酸化されない表面 165 |
| 2. ステアリン酸単結晶の(001)基盤面と(110)側面 165 |
| 3. 脂肪酸単結晶上の金属蒸着粒子の形態 166 |
| 4. ステアリン酸単結晶(001)面の特徴 167 |
| 5. 有機分子蒸着膜の表面 168 |
| 6. 超高真空有機蒸着膜 168 |
| 7. まとめ 169 |
| 【5】 粉末表面 ＜岡本 康昭＞ 171 |
| 1. はじめに 171 |
| 2. 粉末表面の汚染 171 |
| 3. 吸着水の除去 172 |
| 4. 吸着酸素,二酸化炭素等の除去 173 |
| 第7章 表面分析法の原理と測定法(I) |
| 第1節 オージェ電子分光法・走査オージェ顕微鏡(AES:Auger Electron Spectroscopy.SAM:Scanning Auger Microscope) ＜福田 安生＞ 176 |
| 1. はじめに 176 |
| 2. 原理 176 |
| 3. 装置 178 |
| 4. AES,SAMの応用 181 |
| 第2節 低速電子回折法(Low Energy Electron Diffraction:LEED) ＜塙 輝雄＞ 187 |
| 1. 概要 187 |
| 2. LEED装置 187 |
| 3. 回折像の解釈 192 |
| 第3節 反射高速電子線回折(reflection high energy electron diffraction:RHEED) ＜坂本 統徳＞ 203 |
| 1. はじめに 203 |
| 2. 原理 203 |
| 3. 装置 204 |
| 4. 表面の超構造の解析 204 |
| 5. 表面形状の解析 206 |
| 6. RHEED強度振動 210 |
| 第4節 走査電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM) ＜永谷 隆＞ 213 |
| 1. はじめに 213 |
| 2. SEMの原理 213 |
| 3. 走査電子プローブの形成 214 |
| 4. 二次電子放出・検出 215 |
| 5. 画像のコントラストとノイズ 217 |
| 6. SEM像のコントラスト 217 |
| 7. 加速電圧効果 217 |
| 8. 反射電子(後方散乱電子)像 217 |
| 9. チャネリング・コントラスト 218 |
| 10. その他のコントラスト 218 |
| 11. 高分機能SEM 219 |
| 12. おわりに 220 |
| 第5節 走査トンネル顕微鏡(Scanning Tunneling Microscopy:STM) ＜小島 勇夫＞ 222 |
| 1. はじめに 222 |
| 2. STMの原理 222 |
| 3. STM装置 224 |
| 4. STMファミリー-走査プローブ顕微鏡 228 |
| 5. STMによる原子配列の観察 229 |
| 6.STSによる電子状態の観察 231 |
| 7. 電気化学反応のin-situ測定 232 |
| 8. 表面粗さの計測 232 |
| 9. 表面の設計・加工・制御 232 |
| 第6節 電子プローブ微小部分析法(Electron Probe Micro-Analysis:EPMA) ＜副島 啓義＞ 235 |
| 1. はじめに 235 |
| 2. 利用される信号とその役割 235 |
| 3. 装置と分析モード 236 |
| 4. 分析の実際例 239 |
| 5. X線発生領域の近似評価 244 |
| 第7節 イオン散乱分光法(Ion Scattering Spectroscopy:ISS) ＜尾浦憲冶郎＞ 246 |
| 1. はじめに 246 |
| 2. ISSの原理と基礎事項 247 |
| 3. 実験装置 251 |
| 4. 応用例 253 |
| 第8節 ラザフォード後方散乱分光法(Rutherford Backscattering Spectrometry:RBS) ＜成沢 忠＞ 259 |
| 1. はじめに 259 |
| 2. RBSの原理 260 |
| 3. RBSの測定法 267 |
| 4. RBSの表面構造解析への応用 268 |
| 第9節 二次イオン質量分析法(Secondary Ion Mass Spectrometry:SIMS) ＜本多 文洋＞ 271 |
| 1. 背景 271 |
| 2. スパッタリング過程の基礎的定数 273 |
| 3. クラスターイオンの観察 279 |
| 4. 吸着層,有機物,天然物への応用 281 |
| 第10節 X線光電子分光法(X-ray photoelectron spectroscopy:XPS) ＜広川吉之助＞ 284 |
| 1. 歴史と原理 284 |
| 2. 装置 284 |
| 3. スペクトル 284 |
| 4. スペクトルからの情報 288 |
| 5. 定量性 290 |
| 6. XPS測定の問題点 292 |
| 7. 応用例 293 |
| 第11節 真空紫外光電子分光法(Ultraviolet Photoemission Spectroscopy:UPS) ＜菅 滋正＞ 295 |
| 1. 基本概念 295 |
| 2. 光電子分光実験装置と測定方法 296 |
| 3. 充満電子帯状態密度と内殻準位シフト 299 |
| 4. 角度分解を利用した測定法 301 |
| 5. スピン偏極電子を利用した測定法 303 |
| 6. おわりに 305 |
| 第12章 赤外分光法・フーリエ変換赤外分光法(Infrared Spectroscopy:IR,Fourier Transform Infrared Spectroscopy:FTIRS) ＜伊藤 正時＞ 307 |
| 1. はじめに 307 |
| 2. フーリエ変換赤外分光法 308 |
| 3. 赤外分光法の表面科学への応用 310 |
| 4. 最近の応用例 313 |
| 5. おわりに 314 |
| 第13節 昇温脱離法 ＜豊嶋 勇＞ 316 |
| 1. はじめに 316 |
| 2. 脱離スペクトルの解析 316 |
| 3. 装置について 319 |
| 4. 試料の作製,清浄化,加熱,冷却 321 |
| 5. 試料温度の制御 321 |
| 6. ガスの導入 321 |
| 7. 脱離ガスの検出、同定 321 |
| 8. ほかの分光法との組合せによる吸着・脱離の研究 322 |
| 9. 脱離スペクトルの角度分布 325 |
| 10. おわりに 326 |
| 第14節 各種表面分析法の特徴と比較 ＜最上 明矩＞ 327 |
| 1. はじめに 327 |
| 2. 分析に使われる諸量子 327 |
| 3. 各種量子と物質との相互作用 327 |
| 4. 主な分析手法とその特徴 330 |
| 5. 深さ方向分析 332 |
| 6. 表面分析における真空 333 |
| 7. おわりに 333 |
| 第8章 その他の測定法 |
| 第1節 表面電位・仕事関数 ＜山本 恵彦＞ 336 |
| 1. 仕事関数測定法の分類 336 |
| 2. 絶対測定法 336 |
| 3. 相対測定法 338 |
| 第2節 温度測定 ＜阿竹 徹＞ 342 |
| 1. 温度目盛 342 |
| 2. 温度測定の基礎 342 |
| 3. 各種実用温度計と使用上の注意 343 |
| 第3節 表面電気伝導 ≦渡辺 正夫＞ 347 |
| 1. はじめに 347 |
| 2. フックス-ゾンドハイマー(Fuchs-Sondheimer)理論の問題点 347 |
| 3. 理論と実験の比較 350 |
| 4. ガス吸着と薄膜抵抗の増加 357 |
| 5. 可視光の反射 360 |
| 6. ZnO結晶の表面伝道とガス吸着 364 |
| 7. おわりに 366 |
| 第4節 吸着量 ＜枝元 一之＞ 369 |
| 1. はじめに 369 |
| 2. 特殊な定量分析法 369 |
| 3. 分析法の複合化 370 |
| 第5節 表面積 ＜井上 泰宣＞ 374 |
| 1. はじめに 379 |
| 2. 吸着法 374 |
| 3. 液体吸着法 378 |
| 4. 浸漬熱法 378 |
| 5. 透過法 378 |
| 第6節 表面張力 ＜近沢 正敏/金澤 孝文＞ 379 |
| 2. 液体の表面張力の測定 379 |
| 3. 固体の表面張力の測定 382 |
| II 基礎発展編 |
| 第1章 総論 ＜青野 正和＞ 388 |
| 第2章 表面の組織および結晶構造の変化 |
| 第1節 表面組成 ＜中村 勝吾＞ 392 |
| 1. はじめに 392 |
| 2. 放射線照射に誘起された偏析 392 |
| 3. イオンスパッタ誘起偏析 393 |
| 4. 酸化および化学エッチ等による表面組成 394 |
| 第2節 表面再配列と緩和 ＜塙 輝雄＞ 396 |
| 1. 金属表面の緩和構造 396 |
| 2. 点イオンモデル 396 |
| 3. Zinc Blende型結晶の(110)面 398 |
| 4. 金属表面の再配列 399 |
| 5. Si表面の再配列構造 400 |
| 第3節 表面格子欠陥 ＜大坂 敏明＞ 402 |
| 1. 表面に存在する欠陥の種類 402 |
| 2. 表面格子欠陥の形成 402 |
| 第4節 表面拡散 ＜大坂 敏明＞ 406 |
| 1. はじめに 406 |
| 2. 蒸着原子の表面拡散 406 |
| 3. 表面拡散による表面トポグラフィーの変化 407 |
| 第5節 表面偏析 ＜吉原 一絋＞ 409 |
| 1. はじめに 409 |
| 2. 表面組成の定義 409 |
| 3. 表面偏析の熱力学 409 |
| 4. 表面偏析のエネルギー 410 |
| 5. 微量成分の表面偏析 410 |
| 6. 表面析出 411 |
| 7. 表面析出現象の応用 412 |
| 8. おわりに 413 |
| 第6節 非晶質表面 ＜作花 済夫＞ 414 |
| 1. はじめに 414 |
| 2. 表面の生成 414 |
| 3. 酸化物ガラスの表面 414 |
| 4. 非晶質表面の化学作用 415 |
| 5. 非晶質の触媒特性 416 |
| 6. 非晶質表面のフラクタル特性 416 |
| 第3章 表面薄膜形成の基礎過程 |
| 第1節 核生成過程と成長様式 ＜阿津 璋＞ 420 |
| 1. はじめに 420 |
| 2. 薄膜形成の素過程 420 |
| 3. 核生成過程 421 |
| 4. 薄膜の成長様式 423 |
| 5. おわりに 432 |
| 第2節 エピタキシー ＜太田 公廣＞ 434 |
| 1. はじめに 434 |
| 2. エピタキシーの定義 434 |
| 3. エピタキシーの種類 434 |
| 4. エピタキシー技術 435 |
| 5. エピタキシャル成長の基礎過程 438 |
| 6. 微傾斜面上エピタキシーと表面拡散 440 |
| 第4章 表面の電子構造 |
| 第1節 バルクの原子配列と電子状態 ＜花村 榮一＞ 446 |
| 【1】 k空間 447 |
| 【2】 ブリルアンゾーン 448 |
| 1. 単純立方格子の逆格子とブリルアンゾーン 448 |
| 2. 体心立方格子の逆格子とブリルアンゾーン 449 |
| 3. 面心立方格子の逆格子とブリルアンゾーン 449 |
| 【3】 フェルミ準位 450 |
| 1. 金属 450 |
| 2. 半導体 452 |
| 【4】 状態密度 453 |
| 【5】 各結晶の特徴(半導体,金属,イオン結晶,分子性結晶) 455 |
| 第2節 表面の電子状態 458 |
| 【1】表面準位 ＜中村 勝吾＞ 458 |
| 1. Tamm準位とSchokley準位 458 |
| 2. 半導体の表面準位 458 |
| 3. LaB6の表面準位 459 |
| 4. 金属の表面準位 460 |
| 5. 半導体の表面準位とバンドの湾曲 461 |
| 【2】 表面の状態密度 ＜石井 靖＞ 462 |
| 【3】 吸着層のバンド構造 ＜匂坂 康男＞ 466 |
| 1. 概説 466 |
| 2. 孤立層と吸着層のバンド構造(化学吸着系の場合) 466 |
| 3. スピン-軌道相互作用が重要でない吸着系 467 |
| 4. スピン-軌道相互作用が重要な吸着系 468 |
| 5. バンド幅と吸着子間距離の関係 469 |
| 【4】 クラスターの電子状態 ＜足立 裕彦＞ 470 |
| 【5】 表面格子欠陥と電子状態 ＜里子 允敏＞ 476 |
| 1. はじめに 476 |
| 2. イオン結晶表面 476 |
| 3. 吸着子との相互作用 478 |
| 4. 共有化合物 478 |
| 【6】 表面ダングリングボンド ＜太田 英二＞ 480 |
| 【7】 半導体表面 ＜前田 正雄＞ 484 |
| 1. はじめに 484 |
| 2. 再構成とその機構 484 |
| 3. おわりに 487 |
| 第5章 表面における振動励起 |
| 第1節 電子による励起 ＜西嶋 光昭＞ 490 |
| 1. はじめに 490 |
| 2. 長距離双極子散乱(long-range dipole scatteering) 490 |
| 3. 短距離衝突散乱(short-range impact scattering),熱散漫散乱(thermal diffuse scattering) 492 |
| 4. 短距離負イオン共鳴散乱(short-range negative-ion resonance scattering) 495 |
| 第2節 中性粒子による振動励起 ＜馬越 健次＞ 498 |
| 1. 中性粒子とは 498 |
| 2. 軽い原子 499 |
| 3. 重い原子 500 |
| 第6章 表面における電子励起 |
| 第1節 価電子励起、内殻電子励起(EELSの基礎) ＜斉木幸一郎＞ 504 |
| 1. 表面電子励起 504 |
| 2. 電子のエネルギー損失過程 504 |
| 3. 電子遷移における選択則 505 |
| 4. 表面電子励起の観察例 506 |
| 第2節 表面プラズモン励起 ＜林 真至＞ 508 |
| 1. 表面プラズモンとは 508 |
| 2. 表面プラズモンポラリトンの電磁気理論 508 |
| 3. 非輻射的SPPの励起と観測 510 |
| 4. 表面科学的な応用 512 |
| 第3節 表面エキシトン、表面ポラリトン ＜中山 正敏＞ 514 |
| 1. 概説 514 |
| 2. 表面ポラリトン 515 |
| 3. 表面エキシトン 516 |
| 4. 表面(状態)エキシトン表面ポラリトン 517 |
| 第7章 表面と中性および準安定粒子との相互作用 |
| 第1節 イオンの中性化と中性粒子のイオン化 ＜左右田龍太郎＞ 522 |
| 1. イオンの中性化 522 |
| 2. Heの中性化と再イオン化 522 |
| 3. He0のイオン化とその機構 523 |
| 4. He*と固体表面との相互作用 524 |
| 5. Heと表面との電子交換 525 |
| 第2節 準安定粒子-電子放出 ＜原田 義也/石井 久夫＞ 526 |
| 第8章 表面と放射光 |
| 第1節 放射光の原理と特徴 ＜籏野 嘉彦＞ 532 |
| 第2節 表面分析への応用 ＜太田 俊明＞ 535 |
| 1. はじめに 535 |
| 2. 表面構造の研究 535 |
| 3. 表面電子状態の研究 537 |
| 4. 将来の動向 537 |
| 第9章 表面分析法の原理と測定法(II) |
| 第1節 主として単結晶表面の構造を調べるのに用いられる手法 540 |
| 【1】 低速電子回折(Low-Energy Electron Diffraction:LEED(IV曲線) ＜河津 璋＞ 540 |
| 1. はじめに 540 |
| 2. 原理と計算法 540 |
| 3. 測定方法 547 |
| 4. 表面構造の決定例 548 |
| 5. おわりに 550 |
| 【2】 X線光電子回折(X-Ray Photoelectron Diffraction:XPD) ＜河野 省三＞ 552 |
| 【3】 電界放射顕微鏡(Field Emission Microscope:FEM) ＜石塚 和彦＞ 556 |
| 1. はじめに 556 |
| 2. FEMの原理 556 |
| 3. 清浄表面の放射像 557 |
| 4. FEMの吸着への応用 557 |
| 5. 個々の金属原子およびクラスターの観察 559 |
| 【4】電界イオン顕微鏡(Field Ion Microscope:FIM) ＜寺尾 光身＞ 562 |
| 1. はじめに 562 |
| 2. 原理,基本構造,およびFIM像 562 |
| 3. 電界蒸発および電界脱離 563 |
| 4. アトムプローブ電界イオン顕微鏡 564 |
| 5. 表面科学とFIM 565 |
| 第2節 主として表面の局所構造を調べるのに用いられる手法 567 |
| 【1】 表面広域X線吸収微細構造(Surface Extended X-Ray Absorption Fine Structure:SEXAFS) ＜大柳 宏之＞ 567 |
| 1. はじめに 567 |
| 2. 原理と得られる情報 567 |
| 3. 実験および解析法 568 |
| 4. 表面構造研究への応用 569 |
| 5. 界面構造への応用 570 |
| 6. おわりに 571 |
| 【2】 広域電子エネルギー損失微細構造(Extended Electron Energy Loss Fine Structure:EELFS) ＜宇佐美誠二＞ 572 |
| 1. はじめに 572 |
| 2. 内殻電子の励起と関連する光吸収ならびに電子エネルギー損失 572 |
| 3. EXAFSと対応する電子エネルギー損失スペクトルの微細構造 572 |
| 4. 電子の光による励起(光吸収)と電子の非弾性散乱との類似性 573 |
| 5. 実験装置 574 |
| 6. 測定と解析結果の実例 574 |
| 7. 低エネルギー前方散乱EELFSの特徴 575 |
| 8. これからの問題 575 |
| 9.おわりに 575 |
| 【3】超高真空電子顕微鏡(Ultra Vacuum Electron Microscope) ＜高柳 邦夫＞ 577 |
| 1. 特徴 577 |
| 2. 電子顕微鏡のタイプ 577 |
| 3. 超高真空電子顕微鏡の構成 577 |
| 4. 表面の観察法 577 |
| 5. 表面顕微鏡法の発展 581 |
| 【4】 直衝突イオン散乱分光法,同軸型直衝突イオン散乱分光法(Impact-Collision Ion Scattering Spectroscopy:ICISS, Coaxial Impact-Cllision Ion Scattering Spectroscopy:CAICISS) ＜青野 正和＞ 583 |
| 1. はじめに 583 |
| 2. ICISSの特徴 583 |
| 3. ICISSの応用例 584 |
| 4. CAICISSの特徴 584 |
| 5. CAICISSの応用例 585 |
| 6. おわりに 591 |
| 第3節 主として表面全体の電子状態を調べるのに用いられる手法 593 |
| 【1】 角度分解真空紫外光電子分光法(Angle-Resolved Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy:ARUPS) ＜宮崎 栄三＞ 593 |
| 1. ARUPSと分解能 593 |
| p-偏光,s-偏光と吸着COへの応用 593 |
| 3. 軌道対称性と光電子スペクトル 594 |
| 4. 結晶内電子の光励起と直接遷移 595 |
| 5. 二次元結晶系の電子状態 596 |
| 6. 三次元系のバンド構造 596 |
| 7. 表面状態(Surface state) 599 |
| 8. 吸着種間の相互作用および吸着種の配向状態 600 |
| 【2】 定始状態分光法・定終状態分光法(Constant-Initial-State Spectroscopy:CIS・Constant-Final-State Spectroscopy:CFS) ＜関 一彦＞ 601 |
| 1. はじめに 601 |
| 2. 定始状態分光(CIS) 602 |
| 3. 定終状態分光(CFS) 603 |
| 【3】 出現電位(しきい値)分光法(appearance potential spectroscopy:APS) ＜徳高 平蔵/西守 克己＞ 605 |
| 1. はじめに 605 |
| 2. APSの原理 605 |
| 3. DAPS電子とAEAPS電子 605 |
| 4. 応用例 606 |
| 5. 新しい表面構造解析法EAPFS 608 |
| 6. おわりに 609 |
| 【4】 逆光電子分光法(Inverse Photoelectron Spectroscopy:IPES) ＜高橋 隆＞ 610 |
| 1. はじめに 610 |
| 2. 逆光電子分光の原理 610 |
| 3. X線逆光電子分光 610 |
| 4. 紫外線逆光電子分光 611 |
| 5. 逆光電子分光の今後の発展 613 |
| 【5】 電子エネルギー損失分光法(Electron Energy Loss Spectroscopy:EELS) ＜市ノ川竹男＞ 614 |
| 【6】 分子線回折(Molecular Beam Diffraction:MBD) ＜楠 勲＞ 616 |
| 1. 実験方法 616 |
| 2. 回折散乱 617 |
| 第4節 主として表面の局所電子および振動状態を調べるのに用いられる手法 620 |
| 【1】 X線吸収端構造(X-Ray Absorption Near Edge Structure:XANES) ＜小杉 信博＞ 620 |
| 1. はじめに 620 |
| 2. 吸着分子の配向の決定 620 |
| 3. 吸着分子の結合距離の決定 620 |
| 4. 吸着分子の結合状態の決定 621 |
| 5. 原子の吸着サイトの決定 622 |
| 【2】 高分解能電子エネルギー損失分光法(High Resolution Electron Energy Loss Spectroscopy:HREELS) 623 |
| (a) 表面フォノン ＜大島 忠平＞ 623 |
| 1. 固体表面に局在した原子振動 623 |
| 2. エネルギー分散関係 624 |
| 3. 電子エネルギー損失分光法による表面フォノンの測定例 624 |
| (b)吸着 ＜西嶋 光昭＞ 627 |
| 1. はじめに 627 |
| 2. 有機分子の吸着状態,表面反応 627 |
| 【3】 準安定原子脱励起分光法(Metastable Deexcitation Spectroscopy:MDS) ＜栃原 浩＞ 632 |
| 1. はじめに 632 |
| 2. 脱励起のメカニズム 632 |
| 3. MDSの応用例 633 |
| 4. おわりに 635 |
| 【4】 電子励起脱離(Electron Stimulated Desorption:ESD) ＜荒川 一郎＞ 636 |
| 1. はじめに 636 |
| 2. 電子励起脱離の機構 636 |
| 3. 脱離粒子の検出と質量分析 637 |
| 4. 脱離粒子の運動エネルギー 637 |
| 5. 入射電子エネルギー依存症 638 |
| 6. 脱離方向分布 638 |
| 7. 電子励起脱離の衝突断面積 638 |
| 【5】 光脱離(光刺激脱離)(Photo-Desorption:PD, Photo-Stimulated Desorption:PSD) ＜伊佐 公男＞ 641 |
| 1. はじめに 641 |
| 2. 実験装置 641 |
| 3. 実験結果 642 |
| 4. イオン脱離の理論の現状 642 |
| 5. ESD/PSDの最近の興味深い例 644 |
| 6. 今後のPSDの展望 645 |
| 【6】 巨大ラマン散乱(Surface-enhanced Raman scattering:SERS) ＜高橋真知子＞ 646 |
| 1. はじめに 646 |
| 2. SERSの特徴 646 |
| 3. SERSが観測された系 646 |
| 4. SERSの機構 648 |
| 5. おわりに 649 |
| 第5節 主として表面層の元素分析に用いられる手法 651 |
| 【1】高速原子衝撃二次イオン質量分析計(Fast Atom Bomberdment Ion Mass Spectrometry:FAB-SIMS) ＜長井 一敏＞ 651 |
| 1. はじめに 651 |
| 2. 高速原子による固体の衝撃 651 |
| 3. ガス放電型高速原子線源 652 |
| 4. FAB-SIMSとマススペクトル 653 |
| 5. おわりに 654 |
| 【2】 スカニール(Surface Composition Analysis by Neutral and Ion Radiation:SCANIIR) ＜野田 保/井上 雅彦＞ 656 |
| III 応用編 |
| 第1章 総論 ＜新居 和嘉＞ 664 |
| 1. はじめに 664 |
| 2. 固体の表面熱力学 664 |
| 3. 表面の制御技術 666 |
| 4. おわりに 667 |
| 第2章 実用表面とその評価法 |
| 第1節 金属材料 ＜大坪 孝至＞ 670 |
| 1. 金属材料と表面特性 670 |
| 2. 実用金属材料の表面 671 |
| 第2節 セラミックス材料 ＜小島 勇夫＞ 678 |
| 1. はじめに 678 |
| 2. セラミックス分析の問題点 678 |
| 3. 定量分析の精度 681 |
| 4. 化学結合状態の分析 684 |
| 5. 微小(ナノメートル)領域の分析 685 |
| 6. 振動状態の測定 686 |
| 7. 三次元分析 687 |
| 第3節 高分子材料 ＜添田 房美＞ 689 |
| 1. はじめに 689 |
| 2. 高分子材料の表面分析 689 |
| 3. 最近の事例 690 |
| 4. おわりに 697 |
| 第4節 生体材料 ＜井街 宏＞ 699 |
| 1. 生体材料の種類と用途 699 |
| 2. 生体材料の条件 700 |
| 3. 生体適合性付与のための表面修飾 700 |
| 4. 生体材料の評価 701 |
| 5. まとめ 702 |
| 第3章 実用界面とその評価法 |
| 第1節 粒界拡散 ＜守吉 佑介/伊熊 泰郎＞ 704 |
| 1. はじめに 704 |
| 2. 粒界の構造的特徴 704 |
| 3. 粒界における偏析と析出 705 |
| 4. 粒界拡散 707 |
| 5. 粒界の移動度 708 |
| 6. おわりに 709 |
| 第2節 金属/金属界面 ＜石田 洋一＞ 710 |
| 1. 金属界面の特徴 710 |
| 2. 金属界面の種類 710 |
| 3. 積層欠陥や双晶境界の構造評価技術 710 |
| 4. 結晶粒界の構造評価技術 711 |
| 5. 異相境界の構造評価技術 712 |
| 6. おわりに 713 |
| 第3節 金属/セラミックス界面 ＜浜島 和雄/野牧 耕二＞ 715 |
| 1. はじめに 715 |
| 2. セラミックスと金属の接合界面 715 |
| 3. ガラスと金属の接合界面 719 |
| 4. セラミックス/金属複合材料における界面 721 |
| 第4節 金属/半導体界面 ＜平木 昭夫/伊藤 利道＞ 725 |
| 1. はじめに 725 |
| 2. ショットキー障壁の形成 725 |
| 3. 金属/半導体接合における種々の問題点 727 |
| 第5節 絶縁体/半導体界面 ＜服部 健雄＞ 732 |
| 1. はじめに 732 |
| 2. SiO2/Si界面構造解明の手法 732 |
| 3. SiO2/Si界面構造 732 |
| 4. 今後の課題 735 |
| 第6節 半導体ヘテロ界面 ＜佐野 直克＞ 738 |
| 1. はじめに 738 |
| 2. III-V化合物半導体超格子のヘテロ界面の作製 738 |
| 3. 電子顕微鏡による評価 739 |
| 4. X線回折による評価 740 |
| 5. ルミネセンス・スペクトルによる評価 742 |
| 6. ラマン分光法による評価 743 |
| 7. おわりに 745 |
| 第7節 セラミックス界面 ＜河本 邦仁＞ 747 |
| 1. はじめに 747 |
| 2. 粒界と素機能概念 747 |
| 3. 複合化による高靱化 748 |
| 4. おわりに 749 |
| 第8節 電極/溶液界面 ＜板谷 謹悟＞ 750 |
| 1. はじめに 750 |
| 2. 界面電気二重層 750 |
| 3. 電極表面の電気化学反応 751 |
| 4. 溶存化学種への電子移動反応 752 |
| 5. 半導体電極 753 |
| 6. UHV-電気化学測定法 753 |
| 7. In-situ STM法 754 |
| 第9節 生体細胞の細胞膜 ＜山岸 俊一＞ 756 |
| 1. 細胞と細胞膜 756 |
| 2. 細胞膜の構造 756 |
| 3. 細胞膜の機能 758 |
| 4. おわりに 760 |
| 第4章 表面・界面分析の各種産業への応用 |
| 第1節 半導体材料 762 |
| 【1】 シリコン ＜岩田 誠一＞ 762 |
| 1. はじめに 762 |
| 2. 薄いSi酸化膜の厚さの測定 762 |
| 3. Si極表面の不純物濃度 764 |
| 4. おわりに 768 |
| 【2】 化合物 ＜尾崎 正治＞ 770 |
| 1. はじめに 770 |
| 2. 放射光利用光電子分光 770 |
| 3. 表面EXAFS法 774 |
| 4. 表面X線回折 775 |
| 5. EELS 776 |
| 6. AES 777 |
| 7. SIMS 778 |
| 8. CL 779 |
| 9. STM 780 |
| 【3】 アモルファス半導体 ＜浜川 圭弘＞ 782 |
| 1. アモルファスシリコンとその特質 782 |
| 2. アモルファスシリコン太陽電池 783 |
| 3. 薄膜トランジスタ(a-SiTFT)への応用 785 |
| 4. カラーセンサ,固体撮像装置など 786 |
| 5. 電子写真用感光ドラム 786 |
| 6. 可視面発光LED 787 |
| 第2節 電子部品材料 789 |
| 【1】 導電材料 ＜土井 清三＞ 789 |
| 1. はじめに 789 |
| 2. スペクトルの化学効果 789 |
| 3. AES-EELS法による分析例 790 |
| 4. 表面分析の際の問題点 792 |
| 5. おわりに 793 |
| 【3】 接点材料 ＜岡本 英男＞ 798 |
| 1. はじめに 798 |
| 2. 接点間の放電と接点表面の相関 798 |
| 3. 電着Rh接点表面の酸化物 800 |
| 4. おわりに 801 |
| 【4】 絶縁体・誘電体材料 ＜小出 康夫/安田 幸夫＞ 802 |
| 1. はじめに 802 |
| 2. MOSキャパシタおよびMOSFET 802 |
| 3. パッシベーション 807 |
| 4. 封止材料 810 |
| 【5】 センサ材料 ＜森泉 豊栄＞ 813 |
| 1. はじめに 813 |
| 2. 湿度センサ 815 |
| 3. ガスセンサ 815 |
| 4. イオンセンサ 818 |
| 5. バイオセンサ 819 |
| 6. おわりに 821 |
| 【6】 記録材料 822 |
| (a) 垂直磁気記録材料 ＜内山 晋＞ 822 |
| 1. 垂直磁気記録方式 822 |
| 2. 垂直磁化の条件 822 |
| 3. 磁気ヘッドと記録媒体 822 |
| 4. Co-Cr単層膜 823 |
| 5. Co-Cr二層膜媒体 823 |
| 6. Baフェライト 824 |
| (b)光磁気膜 ＜今村 修武＞ 825 |
| (c) 孔形成および相変化記録材料 ＜真下 正夫＞ 828 |
| 1. はじめに 828 |
| 2. 孔形成記録材料 828 |
| 3. 相変化記録材料 831 |
| 【7】 二次電子放出材料 ＜畑中 義式＞ 834 |
| 1. 二次電子放出 834 |
| 2. 二次電子放出材料 834 |
| 【8】 非線形光学材料 ＜佐々木敬介＞ 838 |
| 1. はじめに 838 |
| 2. 物質の非線形光学特性の評価 839 |
| 【9】 表示材料 846 |
| (a) 液晶 ＜廣嶋 綱紀＞ 846 |
| 1. はじめに 846 |
| 2. 液晶の分類と相 846 |
| 3. 表示材料としての液晶物性 847 |
| 4. 液晶表示素子の動作モード 847 |
| 5. 液晶の配向処理法 848 |
| 6. おわりに 849 |
| (b) EL表示 ＜中西洋一郎＞ 851 |
| 1. はじめに 851 |
| 2. 分散形ACEL 851 |
| 3. 分散形DCEL 852 |
| 4. 薄膜系EL 853 |
| (c) エレクトロクロミズム ＜馬場 宣良＞ 856 |
| 1. 動作原理 856 |
| 2. エレクトロクロミズム材料の分離 856 |
| 3. 材料各論 856 |
| 4. 薄膜作成法 860 |
| 5. 最近の製品から-坊眩ミラー,調光めがね,漏電検知器 861 |
| 【10】 マイクロリソグラフィ用レジスト ＜津田 穣＞ 863 |
| 1. フォトレジスト 863 |
| 2. 電子線,X線,SRリソフラフィ用レジスト 866 |
| 第3節 耐熱・耐食材料(表面処理,表面改質を含む) ＜瀬尾 眞浩＞ 868 |
| 1. はじめに 868 |
| 2. 水溶液環境で形成される表面皮膜 868 |
| 3. 表面酸化および初期酸化 873 |
| 4. 高温腐食 875 |
| 5. おわりに 878 |
| 第4節 ガラス材料 ＜川副 博司＞ 880 |
| 1. はじめに 880 |
| 2. ガラスの溶解現象解明に対する応用 880 |
| 3. 化学強化ガラスに対する応用 884 |
| 4. 表面改質への応用 885 |
| 5. おわりに 885 |
| 第5節 触媒材料 887 |
| 【1】 金属触媒の反応性と物性 ＜内島 俊雄＞ 887 |
| 1. 金属触媒の働き 887 |
| 2. 金属の超微粒子化 888 |
| 3. 金属粒子径の評価 889 |
| 4. 触媒作用に対する担体と添加物の効果 889 |
| 5. SMSIと触媒作用に対するその効果 890 |
| 6. 金属・酸化物相互作用 891 |
| 【2】 金属化合物触媒(特徴とそのキャラクタリゼーション) ＜水野 哲孝/御園生 誠＞ 893 |
| 1. 表面状態と反応性 893 |
| 2. 表面構造と活性 893 |
| 3. 複合効果 895 |
| 4. 反応機構と表面構造 895 |
| 5. ケーススタディ 896 |
| 第6節 核融合炉壁材料 ＜村上 義夫＞ 900 |
| 1. はじめに 900 |
| 2. 核融合炉第一壁の諸問題 900 |
| 3. 壁面の制御 901 |
| 4. 壁面のスパッタリング 905 |
| 5. 壁面における水素同位体のリサイクリング 906 |
| 6. 壁面の表面分析 907 |
| 7. おわりに 908 |
| 第7節 歯科材料 ＜杉田 利男/森主 宜延/神尾 賢＞ 910 |
| 1. 歯科材料(Dental materials)とは 910 |
| 2. 歯科用金属 910 |
| 3. 歯冠材料 911 |
| 4. 義歯床材料 912 |
| 5. 歯科用新材料 913 |
| 6. まとめ 913 |
| 第8節 自動車 ＜三吉 康彦＞ 915 |
| 1. はじめに 915 |
| 2. 冷延鋼版 915 |
| 3. 亜鉛系めっき鋼版 916 |
| 4. 化成処理皮膜 917 |
| 5. 塗膜劣化 917 |
| 6. 腐食 918 |
| 7. おわりに 918 |
| 第9節 接着および接着剤 ＜齋藤 隆則＞ 920 |
| 1. 接着の意味 920 |
| 2. 接着の現象 920 |
| 3. 接着のメカニズム 920 |
| 4. 表面・界面分析の接着への応用 921 |
| 5. 界面化学的特性解析と接着 924 |
| 第10節 高温超伝導薄膜 ＜糸崎 秀夫＞ 927 |
| 1. はじめに 927 |
| 2. 薄膜の作製および評価方法 927 |
| 3. 結果および考察 927 |
| 4. おわりに 931 |
| 第5章 コンピュータによる波形・画像データ処理 |
| 総論 ＜南 茂夫＞ 934 |
| 1. はじめに 934 |
| 2. データの種類と処理・解析 934 |
| 3. データ収集 936 |
| 4. 点処理(point operation) 937 |
| 5. 局所領域処理(neighboring operation) 939 |
| 6. 大局処理(global operation) 941 |
| 第1節 測定の自動化とデータ処理 ＜副島 啓義＞ 943 |
| 1. はじめに 943 |
| 2. 分析の流れと自動化構成 943 |
| 3. 二次元化のための自動化構成 945 |
| 4. データ処理の内容 946 |
| 第2節 スペクトルの解析 ＜副島 啓義＞ 947 |
| 1. はじめに 947 |
| 2. 前処理 947 |
| 3. ピーク判定(ピーク検出) 947 |
| 4. 多数ピークのピーク名判定(定性判定) 948 |
| 5. 波形分離 948 |
| 6. 波形の特徴の抽出 950 |
| 第3節 コンピュータ画像処理 ＜深町 正利＞ 952 |
| 1. はじめに 952 |
| 2. 電子顕微鏡写真を鮮明にする 952 |
| 3. 計測対象を抽出する 953 |
| 4. 分析装置の性能を向上させる 954 |
| 5. おわりに 954 |
| 第4節 シュミレーション ＜姜 錫泰/志水 隆一＞ 955 |
| 1. はじめに 955 |
| 2. 弾性散乱と非弾性散乱 955 |
| 3. シュミレーション手順 957 |
| 4. シュミレーションの結果 958 |
| 5. 単結晶試料への拡張について 959 |
| 第5節 データ・画像処理の将来 ＜山本 和彦＞ 960 |
| 1. 画像と知識 960 |
| 2. 対象の構造に関する知識 960 |
| 3. 画像処理技術に関する知識 960 |
| 4. 画像解析エキスパートシステム 960 |
| 5. 知識獲得による画像処理システム 961 |
| IV 応用発展編 |
| 第1章 総論 表面・界面の評価と各種材料への設計・作成の応用 ＜岡田 正和＞ 966 |
| 1. 配列制御超薄膜 966 |
| 2. 超薄膜エレクトロニクス 966 |
| 3. 配列制御超薄膜研究の特徴 967 |
| 4. 配列制御超薄膜形成の意義と他分野への波及効果 967 |
| 5. 従来の半導体超薄膜の原子層の膜厚制御技術 967 |
| 6. 原子層・分子層の膜厚制御技術の課題 968 |
| 7. 従来の超薄膜研究と「配列制御超薄膜」研究-まとめにかえて- 968 |
| 第2章 薄膜形成・表面改質とその評価 |
| 第1節 真空蒸着法 ＜大坂 敏明＞ 972 |
| 1. はじめに 972 |
| 2. 蒸発過程 972 |
| 3. 蒸気の方向性 972 |
| 4. 真空蒸着装置 973 |
| 5. 真空蒸着法 974 |
| 6. 膜厚測定 976 |
| 第2節 MBE法による原子・分子層レベルでの薄膜制御 -MBEとMEE,ALE- ＜八百 隆文＞ 978 |
| 1. はじめに 978 |
| 2. MBE 978 |
| 3. マイグレイション・エンハンスド・エピタキシ法(MEE法) 986 |
| 4. 原子層エピタキシ法(ALE法) 988 |
| 5. 今後の展開 991 |
| 第3節 スパッタリング・プラズマ法 ＜金原 粲＞ 993 |
| 1. スパッタリングとは 993 |
| 2. スパッタリング装置の基礎 993 |
| 3. スパッタリング用放電プラズマ 993 |
| 4. 放電用気体 994 |
| 5. スパッタリングされる粒子 994 |
| 6. 代表的スパッタリング法 994 |
| 7. HCDとイオンプレーティング 995 |
| 8. プラズマCVD法 996 |
| 第4節 CVD法 ＜廣瀬 全孝/田中 武＞ 998 |
| 1. はじめに 998 |
| 2. プラズマ反応と光化学反応 998 |
| 3. プラズマCVD 1000 |
| 4. レーザーCVD 1001 |
| 5. CVDによる多層超格子構造の形成 1002 |
| 第5節 MOCVD法 ＜真下 正夫＞ 1004 |
| 1. はじめに 1004 |
| 2. 装置 1004 |
| 3. 成長方法 1005 |
| 4. 原料の分解方法 |
| 5. 成長機構 1008 |
| 6. 成長膜の制御 1009 |
| 7. MOCVDの将来 1010 |
| 第6節 イオン注入法 ＜斎藤 一男＞ 1013 |
| 1. はじめに 1013 |
| 2. イオン注入に伴う物理的・化学的現象 1013 |
| 3. 表面界面改質・薄膜形成への応用 1014 |
| 第7節 SOR光の利用 ＜宇理須恒雄/内海 裕一/高橋 淳一＞ 1021 |
| 1. はじめに 1021 |
| 2. 放射光励起の特徴 1021 |
| 3. 実験系 1022 |
| 4. CVDへの応用 1023 |
| 5. エッチングの実験例 1023 |
| 6. エッチングの反応機構 1025 |
| 7. おわりに 1026 |
| 第8節 めっき・ほうろう法 ＜安谷屋武志＞ 1027 |
| 1. 電気めっき 1027 |
| 2. 溶融めっき 1032 |
| 3. ほうろう 1034 |
| 第3章 無機界面の設計・作成および評価 |
| 第1節 MOS界面 ＜米田 清/秋月 誠＞ 1038 |
| 1. はじめに 1038 |
| 2. MOS構造 1038 |
| 3. 酸化膜中および界面の電荷 1039 |
| 4. 酸化膜中の電荷,界面準位の評価方法 1040 |
| 5. 界面構造の評価 1042 |
| 6. 熱酸化膜形成技術 1043 |
| 7. 電荷のプロセス依存症 1044 |
| 8. 酸化膜中のトラップ電荷の蓄積と酸化膜の劣化 1045 |
| 9. おわりに 1045 |
| 第2節 センサの表面 ＜荒井 弘通＞ 1047 |
| 1. はじめに 1047 |
| 2. 湿度センサ 1047 |
| 3. 接触燃焼式センサ 1050 |
| 4. 半導体型ガスセンサ 1052 |
| 5. 固体電解質型センサ 1053 |
| 6. 焦電センサ 1056 |
| 第3節 触媒 ＜岩澤 康裕＞ 1059 |
| 1. はじめに 1059 |
| 2. 超微粒子の作製 1068 |
| 3. 粒子サイズ・形について 1068 |
| 4. ガス圧のコントロールで種々の化合物の生成する例 1070 |
| 5. 逆二段のボート法,多段ボート法 1071 |
| 第5節 金属多層膜(人口格子) ＜新庄 輝也＞ 1073 |
| 1. はじめに 1073 |
| 2. 人口格子の生成とその構造 1073 |
| 3. エピタキシャル人口格子 1074 |
| 4. ノンエピタキシャル人口格子 1076 |
| 5. おわりに 1078 |
| 第6節 超硬質薄膜(ダイヤモンドおよびBN膜) ＜難波 義捷＞ 1080 |
| 1. はじめに 1080 |
| 2. 結晶構造と物性 1080 |
| 3. 各種合成装置 1081 |
| 4. 合成機構 1085 |
| 5. 今後の課題と展望 1087 |
| 第4章 分子性薄膜の設計・作成および評価 |
| 第1節 LB法 ＜杉 道夫＞ 1090 |
| 1. はじめに 1090 |
| 2. 水面単分子層の形成・制御 1090 |
| 3. 単分子層の累積操作 1091 |
| 4. LB法に基づく発展技法 1092 |
| 5. 単分子累積法の特徴 1095 |
| 第2節 有機分子蒸着膜の秩序化 ＜稲岡紀子生/佐々木 隆/八瀬 清志/岡田 正和＞ 1098 |
| 1. はじめに 1098 |
| 2. 分子配向の評価 1099 |
| 3. 分子配向制御 1101 |
| 4. 薄膜形成機構 1103 |
| 5. 超薄膜における分子配向 1104 |
| 6. 長鎖分子の超薄膜の成長機構 1107 |
| 7. 分子配向における熱処理効果 1108 |
| 8. おわりに 1109 |
| 第3節 有機分子エレクトロニクス 1111 |
| 【1】 有機光メモリ ＜安藤 栄司＞ 1111 |
| 1. はじめに 1111 |
| 2. フォトクロミックLB法 1111 |
| 3. スピロピランLB膜の会合体 1112 |
| 4. 色素LB膜の会合体 1112 |
| 5. 最近のその他の可能性 1114 |
| 【2】 バイオチップ ＜岡本 正義/石森 義雄＞ 1115 |
| 1. はじめに 1115 |
| 2. バイオチップの歴史 1115 |
| 3. McAlearらの特許-リソグラフィーへの応用- 1115 |
| 5. スイッチングデバイスへの応用 1116 |
| 5. モルトン(Moleton) 1117 |
| 6. バイオチップの問題点 1117 |
| 7. おわりに 1118 |
| 【3】 バイオコンピュータ ＜相澤 益男＞ 1119 |
| 1. バイオコンピュータへの道 1119 |
| 2. ニューロネットワーク形成へのアプローチ 1119 |
| 3. 神経素子 1120 |
| 4. 人工感覚 1120 |
| 5. バイオ素子構築からバイオコンピュータへ 1121 |
| 【4】 分子デバイス ＜森田 愼三＞ 1123 |
| 1. はじめに 1123 |
| 2. 周期ポテンシャル中の電子トンネル制御デバイス 1123 |
| 【5】ポルフィリン分子デバイス ＜菅原 昌敬＞ 1128 |
| 1. はじめに 1128 |
| 2. ポルフィリンについて 1128 |
| 3. 分子デバイスとしてのポルフィリン 1129 |
| 4. 金属ポルフェリンの電子状態 1131 |
| 5. おわりに 1134 |
| 【6】 導電性累積膜 ＜川端康治郎＞ 1135 |
| 1. はじめに 1135 |
| 2. 導電性LB膜研究の経緯 1135 |
| 3. 最近の発展-分子種の拡大 1135 |
| 4. 導電性LB膜の導電挙動 1136 |
| 5. 疎水性基の修飾-パッキングの向上と機能化 1136 |
| 6. 導電性LB膜の次元性増大の試み 1137 |
| 【7】 光化学ホールバーニング(PHB) ＜谷 俊朗＞ 1139 |
| 1. PHBとは 1139 |
| 2. 波長多重記録の可能性 1140 |
| 3. 現状と今後の展望 1141 |
| 第4節 有機超微粒子 ＜豊玉 英樹/小倉 和仁＞ 1144 |
| 1. はじめに 1144 |
| 2. 生成法 1144 |
| 3. 超微粒子の特性 1144 |
| 4. 応用展開 1147 |
| 5. おわりに 1148 |
| 第5章 生体機能分子の設計・作成および評価 |
| 第1節 人工血液 ＜土田 英俊/長谷川悦雄＞ 1150 |
| 1. 人工血液とは 1150 |
| 2. 血液の役割 1150 |
| 3. 人口赤血球 1151 |
| 4. 人工血液の国際動向 1154 |
| 第2節 人工臓器 ＜山下 明泰/酒井 清孝＞ 1156 |
| 1. はじめに 1156 |
| 2. 物質移動型人工臓器 1156 |
| 3. 人工腎臓,補助肝臓 1156 |
| 4. 人口肺 1159 |
| 5. おわりに 1160 |
| 第3節 生体膜 ＜豊島 喜則＞ 1161 |
| 1. はじめに 1161 |
| 2. 葉緑体チラコイド膜の構造と機能の概略 1161 |
| 3. 光化学系II(PSII)と紅色光合成細菌の光化学反応中心の構造と機能 1161 |
| 4. 光化学系の動的側面 1167 |
| 第4節 脂質 ＜高原 淳＞ 1169 |
| 1. はじめに 1169 |
| 2. 脂質2分子膜集合体の表面構造 1170 |
| 3. 脂質表面における生体反応 1172 |
| 4. ドラッグ・デリバリー・システム(DDS) 1173 |
| 第5節 人工血管 ＜児玉 亮＞ 1175 |
| 1. はじめに 1175 |
| 2. 人工血管の問題点 1175 |
| 3. 人工血管の構造 1176 |
| 4. 新しい人工血管の試み 1176 |
| 第6節 生理活性物質 ＜矢内原 昇＞ 1178 |
| 1. はじめに 1178 |
| 2. 神経活性物質 1178 |
| 3. 内分泌ホルモン 1179 |
| 4. 下垂体ホルモン以外のタンパク質ホルモンおよび成長因子 1182 |
| 5. その他の生理活性化物質 1182 |
| 6. おわりに 1184 |
| 第7節 タンパク質 ＜太田 隆久＞ 1185 |
| 1. タンパク質とタンパク質工学(プロテイン・エンジニアリング) 1185 |
| 2. タンパク質の構造と機能 1185 |
| 3. タンパク質の分子設計・作成および評価に必要な技術 1186 |
| 4. タンパク質工学の例 1187 |
| 5. タンパク質の機能設計と将来の展望 1189 |
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