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1.

図書
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1. 表面分析辞典
日本表面科学会編
出版情報: 東京 : 共立出版, 1986.12  ix, 372p ; 19cm
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2.

図書
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2. 表面分析図鑑
日本表面科学会編
出版情報: 東京 : 共立出版, 1994.5  xv, 163p ; 27cm
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3.

図書
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3. アモルファス薄膜の評価
井村健著
出版情報: 東京 : 共立出版, 1989.9  v, 124p ; 19cm
シリーズ名: 表面・薄膜分子設計シリーズ / 日本表面科学会編 ; 8
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4.

図書
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4. 環境触媒 : 実際と展望
日本表面科学会編
出版情報: 東京 : 共立出版, 1997.3  viii, 219p ; 22cm
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5.

雑誌
雑誌
5. 表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan
日本表面科学会 [編集]
出版情報: 東京 : 日本表面科学会, 1980-2017.12
巻次年月次: 1巻1号 (1980.6)-38巻12号 (2017.12)
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6.

図書
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6. すごいぞ!身のまわりの表面科学 : ツルツル、ピカピカ、ザラザラの不思議
日本表面科学会編
出版情報: 東京 : 講談社, 2015.10  270p ; 18cm
シリーズ名: ブルーバックス ; B-1940
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第1章 : 日常生活の表面科学
第2章 : 動物・植物の表面科学
第3章 : 人間・健康の表面科学
第4章 : 摩擦の表面科学
第5章 : 環境・エネルギーの表面科学
第6章 : 最先端ナノテクノロジーの表面科学
第1章 : 日常生活の表面科学
第2章 : 動物・植物の表面科学
第3章 : 人間・健康の表面科学
概要: ひと口に表面といっても、その顔は千差万別。おまけに生物から物質、マクロからミクロと見方によってその姿は自在に変化。表面とは何なのか?表面はなぜあるのか?表と裏の境界はどうなっているのか?考えれば考えるほど湧き出てくる表面に関する疑問の数々。 … 今日からキミも表面科学マニア! 続きを見る
7.

図書
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7. 表面科学の基礎と応用 : 日本表面科学会創立25周年記念. 新訂版
日本表面科学会編
出版情報: 東京 : エヌ・ティー・エス, 2004.6  xxvi, 1531, 8, 16p, 図版6p ; 27cm
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8.

図書
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8. ひとの暮らしと表面科学
日本表面科学会編
出版情報: 東京 : 共立出版, 2011.7  xii, 234p, 図版1枚 ; 21cm
シリーズ名: 現代表面科学シリーズ / 日本表面科学会編 ; 5
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9.

図書
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9. 生物に学ぶ機能性分子集合体の設計指針
入山啓治著
出版情報: 東京 : 共立出版, 1989.7  vii, 119p ; 19cm
シリーズ名: 表面・薄膜分子設計シリーズ / 日本表面科学会編 ; 7
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10.

図書

東工大
目次DB
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東工大
目次DB
10. 表面新物質創製
日本表面科学会編
出版情報: 東京 : 共立出版, 2011.9  xii, 192p, 図版1枚 ; 21cm
シリーズ名: 現代表面科学シリーズ / 日本表面科学会編 ; 4
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第1章　欠陥制御エピタキシャル成長技術による表面物質創製 1
   1.1　Si表面上Ge歪エピタキシャル成長によるナノアイランド形成 1
   　1.1.1　はじめに 1
   　1.1.2　Si表面上GeのStranski-Krastanov(SK)成長 2
   　1.1.3　透過型電子顕微鏡法によるhut clusterと格子欠陥の観察 3
   　1.1.4　hut cluster上Geマクロアイランドの成長過程 6
   　1.1.5　アイランド化を誘引する成長欠陥の多様性 8
   　1.1.6　アイランド化機構の成長温度依存性 9
   　1.1.7　Si(001)表面上Ge成長のその場反射高速電子線回折 11
   　1.1.8　Si(001)表面上Geアイランドの形成メカニズム 13
   　1.1.9　まとめ 15
   1.2　高規則化刃状転位ネットワーク形成による均一歪Si(1-x)Gex・Ge層の創製 16
   　1.2.1　はじめに 16
   　1.2.2　歪系ヘテロ界面における転位制御の意義 17
   　1.2.3　60°転位と刃状転位 18
   　1.2.4　ヘテロ界面における転位構造の変換と歪緩和制御 21
   　1.2.5　歪緩和Si(1-x)Gex層における局所領域微細構造の評価 26
   　1.2.6　刃状転位ネットワークの有効性 30
   　1.2.7　まとめ 31
   1.3　GaNのエピタキシャル横方向成長と自己組織的転位伝播 31
   　1.3.1　はじめに 31
   　1.3.2　HVPEによるエピタキシャル横方向成長 33
   　1.3.3　サファイアc面上GaN層中の貫通転位 35
   　1.3.4　ELO-GaN膜中の転位・欠陥構造 35
   　1.3.5　ELO初期の転位形態 39
   　1.3.6　ELO-GaN膜の表面形態と成長様式 41
   　1.3.7　転位が曲がるメカニズム 43
   　1.3.8　ELO中期の転位形態 45
   　1.3.9　自己組織的転位伝播のメカニズム 47
   　1.3.10　マスク上欠陥形成と転位低減機構 51
   　1.3.11　まとめ 53
   引用・参考文献 53
第2章　走査型プローブ顕微鏡による表面物質創製 57
   2.1　原子操作による表面物質創製 57
   　2.1.1　はじめに 57
   　2.1.2　原子操作創成期(1980年代) 59
   　2.1.3　原子操作の確立(1989年～) 60
   　2.1.4　機能創出(1990年代より) 62
   　2.1.5　化学反応(ナノケミストリ) 64
   　2.1.6　AFMによる原子操作の実現 66
   　2.1.7　原子操作の将来像 67
   　2.1.8　おわりに 69
   2.2　原子操作による導電性分子デバイス 70
   　2.2.1　はじめに 70
   　2.2.2　分子配線材料と導電性高分子 71
   　2.2.3　分子配線1本の電気物性測定法の確立 72
   　2.2.4　導電性高分子1本の電気物性測定 73
   　2.2.5　SPMを分子カッターとして利用した1本レベルの特性評価 76
   　2.2.6　導電性ナノファイバー1本レベルでの電子機能計測 79
   　2.2.7　おわりに 81
   引用・参考文献 82
第3章　自己組織化によるナノワイヤ，ナノドット形成 87
   3.1　VLS法によるナノワイヤ成長 87
   　3.1.1　はじめに 87
   　3.1.2　VLS成長法 89
   　3.1.3　ナノワイヤの結晶構造 94
   　3.1.4　ナノワイヤのヘテロ構造 96
   　3.1.5　ナノワイヤの成長 98
   　3.1.6　おわりに 110
   3.2　シリコン基板上ナノワイヤのヘテロ構造，3次元構造 110
   　3.2.1　シリコン(Si)基板上Ⅲ－Ⅴ族半導体成長 110
   　3.2.2　ヘテロ構造で3次元デバイス 112
   　3.2.3　実験 115
   　3.2.4　軸方向のヘテロ構造による曲がったナノワイヤ 116
   　3.2.5　動径方向のヘテロ構造によるコア－マルチシェルナノワイヤ 120
   　3.2.6　長波長帯発光のためのGaInAs/AlInAsヘテロ構造ナノワイヤ 122
   　3.2.7　おわりに 124
   3.3　生体物質を用いた金属ナノドット形成 125
   　3.3.1　はじめに 125
   　3.3.2　タンパク質バイオテンプレートとナノ粒子 126
   　3.3.3　フェリチンタンパク質とリステリアDpsタンパク質を用いたナノ粒子の作製 128
   　3.3.4　応用展開および将来展望 137
   3.4　自己組織化による界面のデザイン : 有機膜形成 139
   　3.4.1　はじめに 139
   　3.4.2　アルカンチオールSAMの基本特性 139
   　3.4.3　機能性自己組織化膜の基本特性 143
   　3.4.4　機能性自己組織化膜の応用 145
   引用・参考文献 154
第4章　表面を利用した炭素系ナノ材料の創製 163
   4.1　基板表面上のグラフェンの創製 163
   　4.1.1　グラフェン 163
   　4.1.2　金属表面上でのグラフェン創製 164
   　4.1.3　SiC表面上でのグラフェン創製 168
   　4.1.4　SiC(0001)表面上でのエピタキシャルグラフェン成長の実際 172
   4.2　表面構造を利用したカーボンナノチューブの配列制御 174
   　4.2.1　単層カーボンナノチューブの成長 174
   　4.2.2　表面原子列による配列制御 176
   　4.2.3　原子ステップによる配列制御 180
   　4.2.4　表面構造物を利用した自己組織化成長 185
引用・参考文献 187
索引 189
第1章　欠陥制御エピタキシャル成長技術による表面物質創製 1
   1.1　Si表面上Ge歪エピタキシャル成長によるナノアイランド形成 1
   　1.1.1　はじめに 1
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