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1.

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堂山昌男, 小川恵一, 北田正弘監修
出版情報: 東京 : 内田老鶴圃, 1995.10-  冊 ; 21cm
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2.

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堂山昌男編
出版情報: 東京 : 内田老鶴圃, 1990.12  6, 220p ; 21cm
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3.

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堂山昌男著
出版情報: 東京 : 内田老鶴圃, 1990.3  vi, 254p, 図版4p ; 19cm
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4.

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edited by Masao Dōyama ... [et al.]
出版情報: Amsterdam ; New York ; Tokyo : North-Holland, 1993  2 v. ; 27 cm
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5.

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東工大
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東工大
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executive editors, Shigeyuki Sōmiya, ... [et al.]
出版情報: Kawasaki, Japan : Materials Research Society of Japan, c1992  xi, 262 p. ; 26 cm
シリーズ名: Transactions of the Materials Research Society of Japan ; v. 9
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Senior Editor's Preface
Theoretical Study of Lattice Vibration Effect on the Phase Stability of a Ⅲ-V Semiconductor Alloy T. Mohri and K. Nakamura 1
APW Based Car-Parrinello Method and Frozen Phonon Calculation of Silicon T. Oguchi and T. Sasaki 9
Open Orbits in High-Purity Aluminium H. Hosoda, Y. Ueda, Y. Deguchi and T. Kino 12
A Quantum Operator of Force and its Applications M. Senoo, Y. Suzuki and S. Kotake 18
Molecular Dynamics Study on the Dynamical Aspects of the Short-Range Order in a Liquid Metal M. Tanaka 25
Breakdown Properties of Random Systems with Distributed Conductances K. Ohashi 33
Monte-Carlo Simulation Study of Vacuum Deposition Process Y. Sasajima, T. Tsukida, S. Ozawa and R. Yamamoto 48
Computer Simulation of Gold Microclusters T. Uchida, M. Matsui and M. Doyama 58
Electrical Resistivities of Metallic Multilayers T. Kaneko, Y. Inoue and R. Yamamoto 66
The Absorption Mechanism of Hydrogen on the Aluminum Surface S. Hayashi, E. Hashimoto, Y. Kawase and T. Kino 77
Electronic States of Dislocations in Semiconductors K. Masuda-Jindo 86
Computer Simulation of [010](010) Dislocations in Anthracene Crystals N. Ide, I. Okada and K. Kojima 98
Temperature Effects on the Primary State of Displacement Cascade K. Morishita, T. Toyonaga, N. Sekimura and S. Ishino 110
Calculations on Grain Boundary and Interface Fracture M. Mori and Y. Ishida 118
Computer Simulation of Void Formation in Copper Y. Shimomura, R. Nishiguchi, T. Diaz de la Rubia and M. W. Guinan 122
Computer Simulation of the Interaction between an Edge Dislocation and a Self-Interstitial Atom Related to a Bias Factor in Void Swelling E. Kuramoto and T. Tsutsumi 129
Characterization of the Lamellar Structure in Ti-Rich TiAl Compounds by High-Resolution Electron Microscopy and Computer Image Simulation H. Inui and M. Yamaguchi 137
Studies on the Materials Design and Structure of Glasses by Molecular Dynamics A. Makishima and H. Inoue 150
An Electronic Approach to the Twin Deformation Process in TiAl J. Saito, M. Morinaga and H. Adachi 160
An Electronic Approach to the Hydrogen Overpotential of Transition Metals and Alloys H. Ezaki, J. Saito and M. Morinaga 170
Design of α+α2 High Temperature Titanium Alloys by the Aid of Thermodynamics H. Onodera, S. Nakazawa, K. Ohno, T. Yamagata and M. Yamazaki 182
Numerical Analysis of Dissolution of αPhase in γ/α/γ Diffusion Couples of the Ternary Fe-Cr-Ni System M. Kajihara and M. Kikuchi 191
Thermodynamic Databases for Alloy Phase Diagrams H. Ohtani, K. Ishida and T. Nishizawa 199
Method for Calculation of Bonding Energies in Ternary Off-Stoichiometric Intermetallic Compounds to Predict their Defect Types, Site Preference, and Antiphase Boundary Energy H. Hosoda, Y. Mishima and T. Suzuki 205
Granular Modeling and Simulation for Powder Compaction and Flowability Evaluation T. Aizawa, S. Tamura and J. Kihara 214
The Mathematical Model of a Cold Crucible K. Iwai, M. Kuwabara, K. Sassa and S. Asai 228
Microscopic Model of Porosity Formation during Solidification H. Yasuda and I. Ohnaka 239
Design Automation in Multiple Criteria Problems Using Knowledge Engineering and Fuzzy Control G. Yagawa, S. Yoshimura and Y. Mochizuki 244
Integration of Materials Data Systems for Materials Design H. Chen and S. Iwata 254
Index of Contributors 262
Senior Editor's Preface
Theoretical Study of Lattice Vibration Effect on the Phase Stability of a Ⅲ-V Semiconductor Alloy T. Mohri and K. Nakamura 1
APW Based Car-Parrinello Method and Frozen Phonon Calculation of Silicon T. Oguchi and T. Sasaki 9
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古川静二郎編 ; 石原健 [ほか] 共著
出版情報: 東京 : 丸善, 1991.3  xi, 262p ; 22cm
シリーズ名: Maruzen advanced technology / 菅野卓雄 [ほか] 編集 ; . 材料工学編 / 堂山昌男 [ほか] 編||ザイリョウ コウガクヘン ; M08
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1章 ULSI基礎技術の展望 (徳山 魏)
   1-1 ULSI技術の展望 1
   1-1-1 ULSIの開発動向 1
   1-1-2 ULSIプロセス技術に求められるもの 4
   1-2 ULSIプロセス基礎技術の課題と方向付け 16
   1-2-1 パターン形成 16
   1-2-2 薄膜成長と界面制御 20
   1-2-3 不純物のドーピング 24
   1-2-4 環境制御 30
   1-2-5 CAD 31
   1-2-6 評価と分析 32
   文献 33
2章 光リソグラフィー (石原 健)
   2-1 はじめに 35
   2-2 光リソグラフィーの変遷 37
   2-3 光リソグラフィーの解像度 38
   2-3-1 レンズ開口度 39
   2-3-2 プロセスファクタ 40
   2-3-3 短波長化とシミュレーション 44
   2-3-4 エキシマレーザーリソグラフィーの研究動向 47
   2-4 エキシマレーザーリソグラフィー 52
   2-4-1 発振波長 52
   2-4-2 投影レンズ 53
   2-4-3 エキシマレーザーステッパー 56
   2-5 まとめ 62
   文献 63
3章 X線リソグラフィー (鳳 紘一郎)
   3-1 はじめに 65
   3-2 X線リソグラフィーの要素技術 66
   3-2-1 X線源 66
   3-2-2 X線マスク 72
   3-2-3 レジスト 75
   3-3 X線リソグラフィーシステム 76
   3-3-1 総合性能とその支配要因 76
   3-3-2 放射光露光システム 80
   3-3-3 装置の小型化 81
   3-4 X線投影露光の可能性 83
   3-5 むすび 84
   文献 84
4章 ドライエッチング (堀池靖浩)
   4-1 はじめに 89
   4-2 低温プラズマの基礎 90
   4-2-1 プラズマの発生 90
   4-2-2 電子衝撃プラズマ反応過程 92
   4-2-3 プラズマ電位と浮遊電位 94
   4-3 プラズマ発生とドライエッチング装置 95
   4-3-1 直流放電 95
   4-3-2 高周波放電 95
   4-4 エッチング反応機構 99
   4-4-1 エッチング5要素と形状の種類 99
   4-4-2 自発反応とイオン支援反応 100
   4-4-3 ガス添加効果とSiO2選択エッチング 104
   4-4-4 側壁保護膜反応 107
   4-4-5 マクロ/マイクロローディング効果 111
   4-4-6 低温エッチング 113
   4-4-7 入射角度依存性 115
   4-5 ダウンストリーム法 116
   4-6 高速エッチング 119
   4-7 イオン衝撃による諸副作用 123
   4-7-1 照射損傷 123
   4-7-2 側壁再付着 127
   4-7-3 AI後腐食 128
   4-8 次世代高密度デバイス製作のためのエッチング技術 128
   4-8-1 エッチングの低エネルギー化と問題点 128
   4-8-2 低エネルギーエッチング 130
   4-9 結語 135
   文献 135
5章 薄膜形成技術 (大見忠弘・森田瑞穂)
   5-1 酸化の重要性と展望 139
   5-2 酸化前処理 141
   5-2-1 ウェーハの品質 141
   5-2-2 ウェーハの洗浄 142
   5-2-3 ウェーハの乾燥 146
   5-2-4 自然酸化膜の除去 148
   5-2-5 ウェーハ表面の平坦化 149
   5-3 酸化システム 151
   5-3-1 実際の酸化炉 151
   5-3-2 超清浄酸化システム 153
   5-4 酸化機構 155
   5-4-1 洗浄Siの表面状態 155
   5-4-2 熱酸化過程 156
   5-4-3 自然酸化膜形成過程 157
   5-5 酸化膜の評価 161
   5-5-1 薄い酸化膜厚の測定 161
   5-5-2 酸化膜の構造 162
   5-5-3 酸化膜の電気的特性 164
   5-6 あとがき 166
   文献 166
6章 集束イオンビーム技術 (蒲生健次)
   6-1 はじめに 171
   6-2 集束イオンビーム装置 172
   6-2-1 高輝度イオン源 172
   6-2-2 集束イオンビーム装置 174
   6-3 集束イオンビーム加工の特長の限界 177
   6-4 イオンビーム誘起効果とマスクレス加工 179
   6-5 集束イオンビームによる加工 181
   6-5-1 イオンビーム露光 181
   6-5-2 エッチングとデポジション 186
   6-5-3 マスクレスイオン注入 193
   6-6 デバイスプロセスへの応用 194
   6-7 集束イオンビーム技術の将来 196
   6-7-1 低エネルギー集束イオンビームと加工損傷の低減 197
   6-7-2 その場プロセス 198
   文献 200
7章 SOI技術 (石原 宏)
   7-1 SOI技術の特徴 203
   7-2 横方向成長法 204
   7-2-1 帯域溶融再結晶化法 205
   7-2-2 ビーム再結晶化法 206
   7-2-3 気相・液相・固相成長法 209
   7-3 エピタキシャル成長法 212
   7-3-1 バルク絶縁物基板 212
   7-3-2 絶縁物薄膜構造 214
   7-4 絶縁膜埋め込み法 217
   7-4-1 SIMOX法 217
   7-4-2 FIPOS法および関連技術 219
   7-5 帖り付け法 221
   文献 222
8章 ULSIプロセシングにおける欠陥制御 (高野幸男)
   8-1 はじめに 225
   8-2 ULSIの基板に用いられるSiウェーハ 226
   8-3 結晶欠陥とその影響 227
   8-4 結晶欠陥の発生とその制御 229
   8-4-1 微小欠陥 229
   8-4-2 不純物拡散層の欠陥 236
   8-4-3 転位 239
   8-4-4 汚染不純物とその制御 247
   8-5 ゲッタリング技術 249
   8-5-1 エキシトリンシックゲッタリング 250
   8-5-2 イントリンシックゲッタリング 251
   8-6 今後の課題 253
   文献 254
索引 257
1章 ULSI基礎技術の展望 (徳山 魏)
   1-1 ULSI技術の展望 1
   1-1-1 ULSIの開発動向 1
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