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1.

図書
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1. 電気電子材料
塩嵜忠著
出版情報: 東京 : 共立出版, 1999.11  x, 260p ; 22cm
シリーズ名: Series電気・電子・情報系 ; 6
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2.

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2. 圧電材料とその応用 = Piezoelectric materials and applications. 普及版
塩嵜忠監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2002.11  vii, 293p ; 21cm
シリーズ名: CMCテクニカルライブラリー ; 126
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3.

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3. 強誘電体材料の開発と応用 = Development and applications of ferroelectric materials
塩嵜忠監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2001.12  vi, 286p ; 27cm
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4.

図書
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4. エレクトロセラミックス
一ノ瀬昇, 塩崎忠著
出版情報: 東京 : 技報堂出版, 1984.11  ii, v, 265p ; 22cm
シリーズ名: セラミックサイエンスシリーズ / 山口喬, 柳田博明編 ; 2
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5.

図書
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5. 圧電材料の基礎と最新応用. 普及版
塩嵜忠監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2015.4  vi, 246p ; 26cm
シリーズ名: CMCテクニカルライブラリー ; 533 . エレクトロニクスシリーズ||エレクトロニクス シリーズ
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第1編 材料の特徴と製造方法 : 単結晶材料
セラミックス材料
薄膜材料
水熱合成法
高分子材料
非鉛セラミック材料
圧電薄膜
第2編 先端的製造法 : MEMSスイッチ
周波数制御通信分野
第3編 分野別 : センサー応用分野
アクチュエータ応用分野
動力応用・超音波機器
第4編 EUの規制動向 : 欧州における電子部品の鉛規制状況と無鉛圧電材料の研究開発動向
日本の有害物質規制
新規圧電材料と開発動向
第1編 材料の特徴と製造方法 : 単結晶材料
セラミックス材料
薄膜材料
6.

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東工大
目次DB
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東工大
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6. 圧電材料の基礎と最新応用 = Base and the latest application of piezoelectric materials
塩嵜忠監修 = supervisor, Tadashi Shiosaki
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2008.8  vi, 246p ; 27cm
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第1編　材料の特徴と製造方法
　第1章　単結晶材料（塩嵜忠，武田博明）
   1.　材料の特徴 3
   2.　製造方法 15
   　2.1　水熱合成法（水晶，GaPO4） 15
   　2.2　チョクラルスキー（Czochralski : Cz）法（LiTaO3，LiNbO3，Li2B4O7，ランガサイト） 17
   　2.3　ブリッジマン法（PMN-PT，PZN-PT） 19
　第2章　セラミックス材料（木村雅彦）
   1.　はじめに 23
   2.　チタン酸ジルコン酸鉛 24
   3.　チタン酸鉛 25
   4.　圧電セラミックスの作製工程 26
   5.　積層圧電セラミックス 27
   6.　圧電セラミックスの微細構造制御 28
　第3章　薄膜材料（西田貴司）
   1.　はじめに 33
   2.　ZnO圧電薄膜 33
   3.　PZT系圧電薄膜 35
   4.　その他の圧電薄膜材料 40
   5.　圧電薄膜の評価法 41
   6.　おわりに 42
　第4章　水熱合成法（竹内真一）
   1.　はじめに 44
   2.　水熱合成PZT多結晶膜 45
   3.　水熱合成法を用いたニードル形ハイドロホンの開発 50
   4.　水熱合成法を用いた超小型一次元アレイ超音波プローブの開発 51
   5.　まとめ 55
　第5章　高分子材料（田實佳郎）
   1.　はじめに－高分子の圧電性研究の歴史－ 57
   2.　高分子の圧電性 58
   　2.1　高分子フィルムの圧電性 60
   3.　高分子圧電体の作製法概観 61
   4.　新しい高分子研究の流れ－Molecular scienceと結晶制御－ 65
   5.　おわりに 68
　第6章　非鉛セラミック材料（柿本健一）
   1.　はじめに 70
   2.　ニオブ系非鉛セラミック材料 71
   　2.1　ニオブ酸リチウム（LiNbO3） 71
   　2.2　ニオブ酸ナトリウム（NaNbO3） 72
   　2.3　ニオブ酸カリウム（KNbO3） 74
   　2.4　ニオブ酸ナトリウムカリウム（（Na,K）NbO3） 75
   3.　おわりに 79
　第7章　圧電薄膜（小林健）
   1.　概要 81
   2.　PZT薄膜を用いた圧電マイクロ光スキャナの開発 82
   　2.1　緒言 82
   　2.2　PZT薄膜，PZTカンチレバーの基本特性 82
   　2.3　圧電マイクロ光スキャナの開発 85
   　　2.3.1　マイクロ光スキャナ 85
   　　2.3.2　膜厚1μm以上の（100）配向PZT薄膜のウエハレベル形成 86
   　　2.3.3　PZTカンチレバー作製プロセスによるダメージ 87
   　　2.3.4　圧電マイクロ光スキャナの作製と評価 90
   　　2.3.5　自己検知チューナブル圧電マイクロ光スキャナ 91
   3.　AlN薄膜を用いた圧電MEMSデバイス 93
   　3.1　c軸配向性AlN薄膜の作製 93
   　3.2　AlN薄膜を用いたチューナブルキャパシタ 94
   4.　結言 95
第2編　先端的製造法
　第1章　MEMSスイッチ（神野伊策）
   1.　はじめに 99
   　1.1　RF-MEMS 99
   　1.2　MEMSスイッチ 99
   　1.3　マイクロアクチュエータ 101
   　1.4　圧電駆動MEMSスイッチの特徴 101
   2.　圧電MEMSスイッチの作製プロセス 102
   　2.1　スパッタ法によるPZT薄膜の特徴 102
   　2.2　圧電特性評価 103
   3.　圧電RF-MEMSアクチュエータ技術 104
   　3.1　MEMSスイッチの設計 104
   　3.2　アクチュエータ特性 107
   4.　スイッチング特性 108
   5.　まとめ 111
　第2章　周波数制御通信分野（玉井誠一）
   1.　水晶振動子 113
   　1.1　はじめに 113
   　1.2　水晶の性質 114
   　1.3　水晶振動子 114
   　1.4　エネルギー閉じ込め振動 117
   　1.5　音叉型水晶振動子 119
   　1.6　水晶振動子の高周波化 121
   　1.7　水晶振動子の小型化 122
   　1.8　水晶振動子の製造工程 122
   　1.9　おわりに 124
第3編　分野別
　第1章　センサー応用分野
   1.　水中音響センサー（鎌田弘志） 129
   　1.1　はじめに 129
   　1.2　円筒形圧電セラミックスの応用 129
   　1.3　板状圧電セラミックスの応用 132
   　1.4　柱状圧電セラミックスの応用 134
   　1.5　複合圧電材料の応用 135
   　1.6　おわりに 137
   2.　粘度計（宮入啓，小田切努） 139
   　2.1　振動式粘度計 139
   　2.2　回転振動粘度計の測定原理 139
   　2.3　圧電型アクチュエータと圧電型角加速度センサー 142
   3.　ヘルスモニタリング（江鐘偉） 145
   　3.1　はじめに 145
   　3.2　セラミック圧電センサ・アクチュエータ 145
   　3.3　圧電素子を用いた構造物損傷検出方法とヘルスモニタリング計測技術 146
   　　3.3.1　AE法 （Acoustic Emission Method） 146
   　　3.3.2　パルスエコー法（Pulse Echo Method） 147
   　　3.3.3　インピーダンス計測法（Piezoelectric Impedance Based Measuring Technique） 150
   　3.4　おわりに 155
　第2章　アクチュエータ応用分野
   1.　積層アクチュエータ（栗原和明，近藤正雄） 157
   　1.1　はじめに 157
   　1.2　積層圧電アクチュエータ 157
   　　1.2.1　積層圧電アクチュエータの構造 157
   　　1.2.2　積層圧電アクチュエータの製造プロセス 158
   　1.3　高変位圧電セラミック材料 159
   　　1.3.1　PNN-PT-PZセラミックスの組成と圧電特性 160
   　　1.3.2　PNN-PT-PZセラミックスの低温焼成 162
   　1.4　おわりに 165
   2.　インクジェットヘッド（北原強） 167
   　2.1　はじめに 167
   　2.2　ピエゾヘッドの高性能化の推移 167
   　2.3　Epsonインクジェットヘッドの構造 168
   　　2.3.1　MLPタイプの構造 168
   　　2.3.2　MLChipsタイプの構造 169
   　2.4　メニスカス制御技術 171
   　　2.4.1　微小インク滴の形成技術 171
   　　2.4.2　インク滴変調技術 172
   　2.5　おわりに 174
　第3章　動力応用・超音波機器
   1.　圧電材料及び音響材料の開発とその医用超音波診断装置への応用（山下洋八，細野靖晴，逸見和弘） 175
   　1.1　緒言 175
   　1.2　医用超音波診断装置と超音波プローブ 175
   　1.3　リラクサ系圧電材料 177
   　　1.3.1　圧電材料の歴史とリラクサ系圧電材料 177
   　　1.3.2　新しい圧電材料 180
   　1.4　医用超音波プローブに用いられている各種の粉体材料 180
   　　1.4.1　圧電材料に用いられている粉末原料 180
   　　1.4.2　音響レンズに用いられている音響材料 180
   　1.5　まとめ 183
   2.　圧電トランス（中川亮，松尾泰秀） 186
   　2.1　はじめに 186
   　2.2　圧電トランスの原理と特性 186
   　　2.2.1　圧電トランスの原理 186
   　　2.2.2　圧電トランスの特性 189
   　2.3　圧電トランスの製造プロセス 192
   　　2.3.1　材料 192
   　　2.3.2　粉砕 193
   　　2.3.3　成形 193
   　　2.3.4　脱脂および焼成 193
   　　2.3.5　電極形成 194
   　　2.3.6　分極 194
   　　2.3.7　組立て実装 195
   　　2.3.8　検査 196
   　2.4　圧電トランスの用途 196
   　　2.4.1　CCFL用インバータ 197
   　　2.4.2　電子写真機器用 197
   　　2.4.3　イオン発生器用 197
   　2.5　おわりに 199
   3.　超音波モータ（前野隆司） 199
   　3.1　はじめに 199
   　3.2　特徴と駆動原理 204
   　3.3　応用例 206
   　3.4　おわりに
第4編　EUの規制動向
　第1章　欧州における電子部品の鉛規制状況と無鉛圧電材料の研究開発動向（塩嵜忠）
   1.　まえがき 209
   2.　EUの立法，行政，司法機関 210
   3.　持続的発展と環境政策 210
   4.　環境行政と環境行動プログラム 211
   5.　EUにおける鉛規制 212
   　5.1　電気電子機器中の特定有害物質使用制限指令の中の鉛規制 213
   　5.2　使用済み自動車に関する指令中の鉛含有電子セラミックスに関する規制 214
   6.　鉛規制に対する非難 215
   7.　EUにおける鉛フリー圧電材料の研究 215
   8.　あとがき 217
　第2章　日本の有害物質規制（塩嵜忠）
   1.　まえがき 218
   2.　これまでの経過 218
   3.　規制の基本的考え方 219
   4.　有害物質削減目標 220
　第3章　新規圧電材料と開発動向（竹中正）
   1.　はじめに 221
   2.　ペロブスカイト型非鉛強誘電体セラミックス 223
   　2.1　BaTiO3-（Bi1/2K1/2）TiO3系 223
   　2.2　（Bi1/2Na1/2）TiO3-（Bi1/2K1/2）TiO3-BaTiO3三成分系 226
   　2.3　（Bi1/2Na1/2）TiO3-（Bi1/2Li1/2）TiO3-（Bi1/2K1/2）TiO3三成分系 229
   　2.4　KNbO3系強誘電体セラミックス 235
   3.　おわりに 241
第1編　材料の特徴と製造方法
　第1章　単結晶材料（塩嵜忠，武田博明）
   1.　材料の特徴 3
7.

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東工大
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7. 強誘電体材料の応用技術. 普及版
塩嵜忠監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2008.8  vi, 286p ; 21cm
シリーズ名: CMCテクニカルライブラリー ; 293
所蔵情報: loading…
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【I　材料の製法，特性および評価】
第1章　酸化物単結晶の育成と評価（小松隆一）
   1.　単結晶とその育成法 3
   2.　Cz育成炉と単結晶育成 4
   3.　Cz法単結晶育成の実際と育成単結晶の評価 7
   　3.1　光学用四ほう酸リチウム単結晶育成 8
   　3.2　四ほう酸リチウム単結晶の光学評価（紫外領域での波長変換特性） 9
   4.　まとめ 12
第2章　強誘電体セラミックス（竹中正）
   1.　はじめに 14
   2.　強誘電体セラミックスとペロブスカイト構造 15
   　2.1　ペロブスカイト構造 15
   　2.2　Pbペロブスカイト二成分・三成分系強誘電体セラミックス 16
   3.　非鉛系ペロブスカイト構造強誘電体セラミックス 20
   　3.1　BaTiO3系セラミックス 20
   　3.2　KNbO3-NaNbO3系強誘電体セラミックス 21
   　3.3　（Bi1/2Na1/2）TiO3系強誘電体セラミックス 22
   4.　タングステン・ブロンズ型強誘電体セラミックス 32
   　4.1　（Ba1-xSrx）2NaNb5O15［BSNN］ 32
   　4.2　Ba2Na1-xBix/3Nb5O15［BNBN］ 33
   5.　ビスマス層状構造強誘電体と粒子配向型強誘電体セラミックス 33
   　5.1　ビスマス層状構造強誘電体（BLSF） 33
   　5.2　粒子配向型ビスマス層状構造強誘電体セラミックス 37
   　5.3　RTGG法による高配向Bi層状強誘電体セラミックス 41
   6.　おわりに 43
第3章　高分子材料（田實佳郎）
   1.　高分子強誘電体の研究 47
   2.　高分子強誘電体の作製 50
   　2.1　はじめに 50
   　2.2　合成法 51
   　　2.2.1　ラジカル重合 51
   　　2.2.2　蒸着重合 53
   　2.3　film成形 54
   　　2.3.1　溶融押し出し成形 54
   　　2.3.2　溶媒キャスト 55
   　2.4　配向制御 56
   　　2.4.1　一軸延伸 57
   　　2.4.2　圧延 57
   　　2.4.3　二軸延伸 57
   　2.5　poling処理 58
   　　2.5.1　熱poling 58
   　　2.5.2　コロナpoling 59
   　2.6　工業的な制御技術の実際 59
   3.　特性と評価 59
   　3.1　はじめに 59
   　3.2　D-Eヒステリシス 60
   　3.3　スイッチング特性 61
   　3.4　圧電性 64
   　3.5　相転移 64
   　3.6　薄膜効果 65
   　3.7　電気光学効果 66
   　3.8　光デバイス 66
   4.　最近の研究から 67
   　4.1　二次元強誘電体 67
   　4.2　大きな電歪効果 68
   　4.3　負性容量 69
   5.　おわりに 70
第4章　薄膜（塩嵜忠，岡村総一郎）
   1.　はじめに 74
   2.　化学溶液堆積法（Chemical Solution Deposition；CSD） 74
   3.　高周波スパッタリング法（rf-Sputtering） 78
   4.　有機金属化学気相堆積法（Metalorganic Chemical Vapor Deposition；MOCVD） 81
   5.　パルス・レーザー・デポジション法（Pulse Laser Deposition；PLD） 85
   6.　液体ミスト化学堆積法（Liquid Source Misted Chemical Deposition；LSMCD） 88
   7.　電気泳動堆積法（Electrophoretic Deposition；EPD） 90
   8.　おわりに 92
第5章　強誘電性液晶（竹原貞夫，楠本哲生）
   1.　はじめに 94
   2.　液晶相と強誘電性 94
   3.　強誘電性液晶材料の構成と要求特性 97
   4.　強誘電性液晶の表示モード 97
   5.　素子の作成 99
   6.　液晶組成物の特性とその評価 100
   7.　強誘電性液晶化合物 102
   8.　実用材料の調製 106
   9.　おわりに 106
第6章　コンポジット（坂野久夫）
   1.　はじめに 108
   2.　圧電コンポジットの構造による分類 108
   3.　3-3型圧電コンポジット 110
   4.　3-1型，3-2型圧電コンポジット 110
   5.　1-3型圧電コンポジット 111
   6.　0-3型圧電コンポジット 112
   7.　3-0型圧電コンポジット 113
   8.　ハイドロホン用材料としての評価 113
   9.　0-3型圧電コンポジットの応用 115
   10.　おわりに 116
【II　応用とデバイス】
第1章　誘電応用
   1.　キャパシタ（岸弘志） 121
   　1.1　はじめに 121
   　1.2　積層セラミックコンデンサの技術動向 122
   　1.3　高容量積層セラミックコンデンサ用誘電体材料の開発 124
   　　1.3.1　低温焼結材料の開発 124
   　　1.3.2　リラクサ材料の開発 124
   　　1.3.3　耐還元性誘電体材料の開発 125
   　1.4　高容量Ni電極積層コンデンサの特性 131
   　1.5　おわりに 133
   2.　高周波誘電体（大里齊） 135
   　2.1　はじめに 135
   　2.2　マイクロ波誘電体に望まれる特性と応用 135
   　2.3　マイクロ波誘電体材料 138
   　2.4　材料の設計指針 141
   　2.5　今後の展望 145
第2章　圧電応用
   1.　弾性表面波デバイス（佐藤良夫） 148
   　1.1　はじめに 148
   　1.2　弾性表面波デバイスの具体的構造と諸技術 149
   　1.3　弾性表面波の伝搬モードについて 150
   　1.4　圧電材料について 151
   　1.5　くし形電極設計技術について 153
   　1.6　高耐電力化とアンテナ分波器 155
   　1.7　微細パターンプロセスと高周波化 157
   　1.8　おわりに 158
   2.　フィルタ（平間宏一，斎藤哲男） 160
   　2.1　はじめに 160
   　2.2　帯域通過水晶フィルタの設計 161
   　2.3　素子の設計 163
   　　2.3.1　モノリシック・フィルタ素子の設計 163
   　2.4　実用例 165
   　　2.4.1　Chebyshev特性フィルタ 165
   　　2.4.2　遅延平坦フィルタ 166
   　　2.4.3　HFF-MCF 166
   　　2.4.4　その他のフィルタ 168
   　　2.4.5　モノリシックフィルタの発展経緯 168
   　2.5　おわりに 170
   3.　センサ（一ノ瀬昇） 172
   　3.1　はじめに 172
   　3.2　超音波センサ 172
   　3.3　角速度センサ 177
   　3.4　赤外線センサ 180
   4.　圧電アクチュエータ・超音波モータ（上羽貞行） 185
   　4.1　はじめに 185
   　4.2　圧電アクチュエータの種類と特徴 185
   　4.3　超音波モータの動作原理 187
   　4.4　超音波モータの典型例 189
   　4.5　超音波モータの特徴と応用例 193
   5.　圧電トランス（松尾泰秀，橋口裕作） 196
   　5.1　まえがき 196
   　5.2　圧電トランスの原理と構造 196
   　　5.2.1　原理 196
   　　5.2.2　構造 198
   　　5.2.3　入出力・保持方法など 203
   　5.3　特徴と諸特性 204
   　　5.3.1　形状 204
   　　5.3.2　負荷依存性 205
   　　5.3.3　発熱・非線形 205
   　　5.3.4　材料 206
   　5.4　応用 207
   　　5.4.1　小電流高電圧電源用 207
   　　5.4.2　大容量大電流電源用 210
   　5.5　あとがき 210
第3章　焦電・光学応用
   1.　強誘電体薄膜を用いた焦電型赤外線センサ（高山良一） 213
   　1.1　まえがき 213
   　1.2　薄膜焦電材料 214
   　　1.2.1　焦電材料とその薄膜化 214
   　　1.2.2　焦電薄膜の作製 215
   　　1.2.3　焦電薄膜の特性 215
   　1.3　薄膜焦電型赤外線センサとその応用 217
   　　1.3.1　マイクロポイント形センサ 217
   　　1.3.2　アレイ形センサ 221
   　　1.3.3　薄膜焦電センサの応用 221
   　1.4　おわりに 224
   2.　光学応用（安達正利） 226
   　2.1　はじめに 226
   　2.2　光学用単結晶の育成法 226
   　　2.2.1　LN，LTおよびKLN 228
   　　2.2.2　ストイキオメトリー（化学量論比）組成LN，LT単結晶の連続チャージ二重るつぼ法による育成 229
   　　2.2.3　K3Li2Nb5O15（KLN）単結晶の育成 231
   　2.3　光学特性 235
   　　2.3.1　LN，LTおよびKLNの電気光学効果 235
   　　2.3.2　非線形光学結晶 237
   　　2.3.3　擬似位相整合（QPM） 238
   　　2.3.4　フォトリフラクティブ効果 240
   　2.4　おわりに 240
第4章　記憶・記録・表示デバイス（塩嵜忠）
   1.　強誘電体とメモリ 242
   2.　強誘電体薄膜メモリ 243
   3.　FRAM研究の最近の進歩 244
   4.　強誘電体ゲートFETメモリ 248
   5.　強誘電体薄膜と液晶を組み合わせたメモリ性液晶表示デバイス 252
   6.　半導体光伝導効果を用いた強誘電体薄膜メモリデバイスの提案 252
   7.　強誘電体メモリの今後 254
【III　新しい現象および評価法】
第1章　新しい材料，製法および評価法（岡村総一郎，西田貴司）
   1.　はじめに 259
   2.　強誘電体材料 259
   　2.1　新規Bi層状構造強誘電体 259
   　2.2　Bi2SiO5添加強誘電体材料 261
   3.　パターン作製法 262
   　3.1　電子線誘起反応微細加工プロセス 264
   　3.2　光感光性ゾル・ゲル溶液法 267
   　3.3　インクジェットプリンティング（Inkjet Printing : IJP） 268
   　3.4　スキャン塗布法 269
   4.　評価 269
   　4.1　ヒステリシス測定回路 270
   　4.2　ヒステリシス測定におけるリーク電流等の影響 272
   　4.3　微細強誘電体キャパシタの電気的特性評価 275
   　4.4　強誘電体薄膜の微小領域評価 277
   　4.5　強誘電体薄膜の圧電ひずみ測定 278
   　4.6　強誘電体薄膜の分極ドメイン分布観測 279
   　4.7　その他の微小領域評価手法 280
   　4.8　熱刺激電流測定 282
   5.　おわりに 283
【I　材料の製法，特性および評価】
第1章　酸化物単結晶の育成と評価（小松隆一）
   1.　単結晶とその育成法 3
8.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
8. 絶縁・誘電セラミックスの応用技術. 普及版
塩嵜忠監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2003.8  viii, 262p ; 21cm
シリーズ名: CMCテクニカルライブラリー ; 155
所蔵情報: loading…
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【基礎編】
第1章　電気絶縁性と伝導性［塩嵜　忠］
   1.　はじめに 3
   2.　導体・半導体・絶縁体の現象論 3
   　2.1　導電率による分類 3
   　2.2　絶縁性セラミックスの導電機構 4
   　2.3　良伝導体と絶縁体の働き 4
   3.　導体・半導体・絶縁体の電子論 5
   　3.1　金属・絶縁体・半導体 5
   　3.2　セラミックスの電気指導 6
   　3.3　比較的高抵抗セラミックスの電子伝導機構 7
   　　3.3.1　酸化物半導体などの伝導 7
   　　3.3.2　ポーラロンによる伝導 8
   　　3.3.3　ホッピング伝導 8
   　　3.3.4　温度による金属－絶縁体転移 9
   　　3.3.5　還元・酸化と原子価制御 9
   　3.4　イオン伝導 10
第2章　誘電性と強誘電性［塩嵜　忠］
   1.　絶縁体と誘電体 12
   2.　誘電分極と自発分極 12
   3.　誘電現象 13
   　3.1　誘電分極と誘電率 13
   　3.2　内部電界 14
   　3.3　分極の機構 15
   　　3.3.1　電子分極Pe 15
   　　3.3.2　イオン分極Pi 16
   　　3.3.3　配向分極Po 16
   　　3.3.4　界面分極 17
   　3.4　複素誘電率と誘電損失 19
   4.　誘電率の周波数特性 20
   　4.1　誘電緩和と誘電異常分散 20
   　4.2　電子分極とイオン分極の周波数特性 22
   　4.3　配向分極の周波数依存症 23
   　4.4　界面分極の周波数特性 24
   5.　強誘電性 25
【材料編】
第3章　絶縁性セラミックス
   1.　酸化物系絶縁性セラミックス［吉田　真］ 31
   　1.1　はじめに 31
   　1.2　酸化物系セラミックスの製造方法 31
   　　1.2.1　粉砕，混合 31
   　　1.2.2　乾燥 33
   　　1.2.3　成形 33
   　　1.2.4　焼成 34
   　　1.2.5　メタライズ 36
   　1.3　アルミナセラミックス 36
   　1.4　ムライト（3Al2O3・2SiO2） 41
   　1.5　フォルステライト（2MgO・SiO2） 43
   　1.6　ステアタイト（MgO・SiO2） 44
   　1.7　普通磁器 44
   　1.8　ガラスセラミックス 45
   2.　窒化物系セラミックス（AIN）［篠崎和夫，柘植章彦］ 49
   　2.1　絶縁性セラミックスとしての窒化物 49
   　2.2　窒化アルミニウムの概要 49
   　2.3　絶縁基板材料としての窒化アルミニウムの位置付け 50
   　2.4　窒化アルミニウムの製造と高熱伝導化 51
   　2.5　窒化アルミニウムの応用 53
   　　2.5.1　厚膜多層基板 53
   　　2.5.2　DBC基板 53
   　　2.5.3　パッケージ 54
   　2.6　おわりに 55
   3.　炭化物系セラミックス（SiC）［浦　満］ 57
   　3.1　はじめに 57
   　3.2　新SiC基板の製造方法 57
   　3.3　新SiC基板の諸特性 59
   　　3.3.1　熱的特性 59
   　　3.3.2　電気的特性 61
   　　3.3.3　その他の特性 62
   　3.4　メタライズ 63
   　3.5　半導体実装への応用 63
   　3.6　おわりに 63
第4章　誘電性セラミックス［塩嵜　忠］
   1.　はじめに 65
   2.　強誘電体 66
   　2.1　強誘電体の分類 66
   　2.2　ペロブスカイト構造 66
   　2.3　チタン酸バリウム 67
   3.　チタン酸バリウム磁器 69
   　3.1　チタン酸バリウム磁器の誘電率 69
   　3.2　チタン酸バリウムの変成 70
   4.　磁器コンデンサー材料 72
   　4.1　容量の特性による分類 72
   　　4.1.1　温度補償用磁器コンデンサー材料 72
   　　4.1.2　高誘電率磁器コンデンサー材料 72
   　　4.1.3　半導体磁器コンデンサ－材料 74
   　4.2　形状による分類と電極材料 75
   　4.3　低温焼結と還元性雰囲気焼結 76
   　　4.3.1　液相焼結 76
   　　4.3.2　還元性雰囲気焼結 77
【応用編】
第5章　厚膜回路基板［大西洋一郎，飛田敏男］
   1.　厚膜回路基板の概要 81
   2.　材料・プロセスと構成 82
   　2.1　構造 82
   　2.2　プロセス・材料 82
   3.　素子形成 84
   　3.1　素子設計 84
   　　3.1.1　導体 84
   　　3.1.2　多層配線部 84
   　　3.1.3　抵抗体 85
   　3.2　厚膜形成 86
   　　3.2.1　印刷 86
   　　3.2.2　焼成 87
   　　3.2.3　トリミング 87
   　　3.2.4　検査 87
   4.　材料・プロセスと特性・信頼性 87
   　4.1　基板 87
   　4.2　導体 88
   　　4.2.1　接着強度 88
   　　4.2.2　ハンダ付性・ハンダ耐熱性 89
   　　4.2.3　ボンディング性 89
   　4.3　抵抗体 89
   　4.4　誘電体 90
   　　4.4.1　クロスガラス 90
   　　4.4.2　オーバーガラス 90
   　　4.4.3　厚膜コンデンサ 90
   5.　適用例と技術動向 91
   　5.1　適用例 91
   　　5.1.1　自動車 91
   　　5.1.2　映像・音響機器 91
   　　5.1.3　コンピュータ・通信機器 91
   　5.2　今後の技術動向 92
   　　5.2.1　高密度化技術 92
   　　5.2.2　新しい製造技術 93
   　　5.2.3　新しい材料技術 93
第6章　薄膜回路基板［巽　豊］
   1.　はじめに 96
   2.　サーマルヘッド 96
   　2.1　基本構造 96
   　2.2　サーマルヘッド用基板 98
   　　2.2.1　発熱体領域 98
   　　2.2.2　導体領域 100
   3.　おわりに 104
第7章　多層回路基板［高見澤秀男］
   1.　はじめに 105
   2.　厚膜印刷多層方法 106
   　2.1　ペースト 107
   　　2.1.1　導体ペースト 107
   　　2.1.2　絶縁ペースト 108
   　　2.1.3　抵抗体ペースト 110
   　2.2　プロセス技術 111
   　　2.2.1　スクリーン印刷技術 111
   　　2.2.2　焼成方法 112
   3.　グリーンシート多層方法 113
   　3.1　セラミック泥漿の作成 113
   　3.2　成膜 114
   　3.3　孔あけ 116
   　3.4　印刷，積層 117
   　3.5　焼結 118
   4.　多層回路基板の応用 119
   　4.1　大型コンピュータ用厚膜多層配線基板 119
   　　4.1.1　Au厚膜ペースト使用多層基板 119
   　　4.1.2　Cu厚膜ペースト使用多層基板 119
   　　4.1.3　厚膜多層CR基板 120
   　　4.1.4　グリーンシート法LSIマルチチップパッケージ 120
   　　4.1.5　低温焼結多層セラミックス基板 122
   5.　今後の動向 125
第8章　セラミック・パッケージ［浦　満］
   1.　パッケージの定義と分類 127
   2.　パッケージ用セラミックス材料への要請 130
   3.　高熱伝導性ニュー・セラミックスのパッケージ実装への応用 131
   　3.1　SiCセラミックスによるパッケージ 131
   　　3.1.1　ECL－LSIパッケージ 131
   　　3.1.2　バイポーラ・メモリICのマルチチップ・モジュール 133
   　　3.1.3　ピン・グリッド・アレイ・パッケージ 134
   　　3.1.4　半導体レーザーのサブマウント 135
   　3.2　AINセラミックスによるパッケージ 137
第9章　サージアブソーバ［内田秋夫，尾野幹也］
   1.　はじめに 139
   2.　サージについて 140
   3.　サージアブソーバの種類 141
   　3.1　放電管型 141
   　3.2　固体素子 142
   4.　マイクロギャップサージアブソーバ 143
   　4.1　マイクロギャップの放電性 143
   　　4.1.1　マイクロギャップの放電電圧 143
   　　4.1.2　火花の遅れ 144
   　4.2　マイクロギャップサージアブソーバ 145
   　　4.2.1　マイクロギャップサージアブソーバの特性 146
   　5.　サージアブソーバの基本回路 147
   　6.　おわりに 147
第10章　マイクロ波用誘電体基板と導波路［脇野喜久男，田村博］
   1.　はじめに 149
   2.　導波路 149
   　2.1　同軸路線と導波管 149
   　　2.1.1　同軸線路 150
   　　2.1.2　導波管 151
   　2.2　誘導体線路 151
   3.　マイクロ波用誘電体基板 153
   　3.1　アルミナ基板 154
   　3.2　高誘電率系誘電体基板 155
   　3.3　テフロン・ガラスクロス基板 155
   4.　まとめ 156
第11章　マイクロ波用誘電体立体回路［脇野喜久男，田村博］
   1.　はじめに 158
   2.　誘電体共振器材料の特性 159
   　2.1　マイクロ波帯における誘電特性 159
   　2.2　誘電体共振器の特性 161
   3.　誘電体共振器の使用法とその応用例 163
   　3.1　TE01δモード誘電体共振器 163
   　3.2　TEMモード誘電体共振器 165
   　3.3　応用例 166
第12章　温度補償用セラミックコンデンサ（種類1）［小泉衛，井上純一］
   1.　温度補償用セラミックコンデンサの概要 169
   2.　誘電体材料（常誘電体） 170
   3.　構造（形状） 172
   4.　種類 173
   5.　製造方法 173
   6.　性能規格 176
   7.　用途別コンデンサ 179
   　7.1　自動挿入機用コンデンサ（種類1，2，3共通） 179
   　　7.1.1　ラジアルテーピングコンデンサ 179
   　　7.1.2　アキシァルテーピングコンデンサ 181
   　7.2　チューナ・カーラジオ用コンデンサ（種類1，2，3共通） 181
   　　7.2.1　貫通型コンデンサ 181
   　　7.2.2　クサビ型コンデンサ（種類1，2共通） 182
   　　7.2.3　円筒型コンデンサ（種類1，2，3共通） 182
   　7.3　中高圧用セラミックコンデンサ（種類1，2共通） 183
   　7.4　高圧電源用セラミックコンデンサ（種類1，2共通） 183
   　7.5　高周波用電力用セラミックコンデンサ（種類1，2共通） 183
   　7.6　超高周波用マイクロチップコンデンサ（種類1，2共通） 185
   　7.7　トリマーコンデンサ 186
   8.　今後の動向 187
第13章　高誘電率セラミックコンデンサ（種類2）［小泉衛，井上純一］
   1.　高誘電率セラミックコンデンサの概要 188
   2.　誘電体材料（強誘電体） 189
   3.　構造（形状） 190
   4.　種類 190
   5.　製造方法 192
   6.　性能規格 192
   7.　用途別コンデンサ 193
   　7.1　安全規格認定コンデンサ 193
   　7.2　交流電源用コンデンサ 195
   　7.3　低損失中高圧コンデンサ 196
   8.　今後の動向 197
第14章　半導体セラミックコンデンサ（種類3）［小泉衛，井上純一］
   1.　半導体セラミックコンデンサの概要 199
   2.　誘電体材料（半導体） 200
   3.　構造（形状） 200
   4.　種類 200
   5.　製造方法 202
   　5.1　堰層形（接合容量形） 203
   　5.2　表層形（還元再酸化形） 203
   　5.3　粒界層形 203
   6.　性能規格 204
   　6.1　静電容量（C） 204
   　6.2　誘電正接（DF，tanδ） 204
   　6.3　絶縁抵抗（IR） 204
   　6.4　温度特性 206
   　6.5　周波数特性（静電容量，誘電正接） 206
   　6.6　周波数特性（インピーダンス） 206
   　6.7　バイアス特性 206
   7.　用途別特性とその展望 208
   　7.1　低電圧大容量コンデンサ 208
   　7.2　低損失，低歪率コンデンサ 208
   　7.3　バリスタ性半導体コンデンサ 208
   8.　今後の動向 209
第15章　積層コンデンサ［米澤正智］
   1.　はじめに 211
   2.　規格 212
   3.　容量範囲と寸法形状 214
   4.　積層コンデンサ用誘電体材料 216
   5.　積層コンデンサの製造法 216
   　5.1　誘電体粉末の作成 216
   　5.2　泥漿作成と成膜 217
   　5.3　内部電極印刷と積層・切断 218
   　5.4　脱バインダ熱処理と焼結 218
   　5.5　外部電極 218
   6.　最近の動向 218
   　6.1　卑金属内部電極コンデンサ 219
   　6.2　低温焼結コンデンサ 220
   　6.3　大容量化への技術 223
第16章　碍子，碍管［森田健児，松井宗吾］
   1.　はじめに 228
   2.　種類と構造 228
   　2.1　材質による分類 228
   　　2.1.1　磁器碍子 228
   　　2.1.2　ガラス碍子 229
   　　2.1.3　樹脂碍子（ノンセラミック碍子） 230
   　2.2　構造による分類 230
   　　2.2.1　ピン碍子 231
   　　2.2.2　懸垂碍子 231
   　　2.2.3　長幹碍子 233
   　　2.2.4　ラインポスト碍子 233
   　　2.2.5　ステーションポスト碍子 234
   　　2.2.6　碍管 235
   3.　製造方法 235
   　3.1　磁器碍子の製作 235
   　　3.1.1　原料の粉砕・調合 236
   　　3.1.2　搾土 236
   　　3.1.3　成形 237
   　　3.1.4　乾燥 239
   　　3.1.5　施釉 239
   　　3.1.6　焼成 239
   4.　性能 239
   　4.1　電気的性能 240
   　　4.1.1　電撃 240
   　　4.1.2　開閉サージ 240
   　　4.1.3　汚損 241
   　4.2　機械的性能 241
   　　4.2.1　強度設計 241
   　　4.2.2　疲労特性 242
   　　4.2.3　動的強度設計 242
   5.　今後の課題 242
   6.　おわりに 244
第17章　スパークプラグと絶縁セラミック［加藤倫朗］
   1.　はじめに 245
   2.　スパークプラグの構造と使用条件 245
   　2.1　構造 245
   　2.2　使用条件 246
   3.　スパークプラグ用絶縁体 248
   　3.1　絶縁体用セラミック材料 248
   　3.2　アルミナ原料 250
   4.　絶縁体の製造方法 251
   5.　評価方法 251
   6.　おわりに 254
第18章　機能性ガラス窓［富永雅晴，木島駿］
   1.　ガラス組成 255
   2.　表面処理 256
   　2.1　前処理 256
   　2.2　表面処理法 257
   　　2.2.1　無電解メッキ法（附－複層ガラス） 257
   　　2.2.2　CLD(Chemical Liquid Deposition)法 257
   　　2.2.3　ホットスプレー法 257
   　　2.2.4　CVD(Chemical Vapour Deposition)法 258
   　　2.2.5　真空蒸着法 258
   　　2.2.6　スパッター法 258
   3.　その他の機能性ガラス 261
   　3.1　住宅用・学校用強化ガラス窓 261
   　3.2　合わせガラス 261
   　3.3　防火ガラス 261
   　3.4　導電性ガラス窓 261
   　3.5　結晶化ガラス・オパールガラス 262
   　3.6　調光ガラス 262
【基礎編】
第1章　電気絶縁性と伝導性［塩嵜　忠］
   1.　はじめに 3
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