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1.

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1. 有機エレクトロニクス
森泉豊栄 [ほか] 著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社 (発売), 1994.3  v, 156p ; 22cm
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2.

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2. センサの事典
高橋清 [ほか] 編集
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 1991.5  xxvi, 642p ; 22cm
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3.

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3. バイオ素子
雀部博之編 ; 相澤益男 [ほか] 共著
出版情報: 東京 : 丸善, 1991.2  x, 147p ; 22cm
シリーズ名: Maruzen advanced technology / 菅野卓雄 [ほか] 編集 ; 材料工学編 M07
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4.

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4. 電子物性・材料の事典
森泉豊栄 [ほか] 編集
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 2006.9  xii, 680p ; 22cm
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5.

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5. センサ工学
森泉豊栄, 中本高道共著
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1997.5  2, 2, 185p ; 22cm
シリーズ名: 21世紀を指向した電子・通信・情報カリキュラムシリーズ ; A-7
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1 緒言
   1.1 センサとは何か 1
   1.2 なぜセンサが重要か 2
   1.3 センサの種類 3
   演習問題 5
2 物理センサ
   2.1 光センサ 6
   2.2 機械量センサ 22
   2.3 磁気センサ 36
   2.4 温度センサ 44
   演習問題 53
3 化学センサ
   3.1 イオンセンサ 55
   3.2 ガスセンサ 63
   3.3 バイオセンサ 79
   3.4 匂いセンサ 89
   3.5 味センサ 99
   演習問題 105
4 センサ用計測回路
   4.1 アナログ計測回路 106
   4.2 A/D変換回路 119
   4.3 ディジタル計測回路 126
   4.4 ASICを利用した計測回路 133
   4.5 測定の自動化手法 136
   演習問題 138
5 センサ情報処理
   5.1 スペクトル解析 139
   5.2 波形解析 150
   5.3 多変量解析 156
   5.4 人工神経回路網 165
   演習問題 170
6 センシングパラダイム
   6.1 ロックイン計測 171
   6.2 アクティブセンシング 174
   6.3 センサフュージョン 176
   演習問題 177
   参考文献 178
   索引 183
1 緒言
   1.1 センサとは何か 1
   1.2 なぜセンサが重要か 2
6.

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6. 味とにおいの分子認識
日本化学会編
出版情報: 東京 : 学会出版センター, 1999.2  vii, 230p ; 26cm
シリーズ名: 季刊化学総説 ; No.40
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味覚のしくみ / 栗原堅三 [著]
甘味ペプチド / 網野裕右 [著]
甘味タンパク質 / 有吉安男 [著]
配糖体系甘味物質 / 田中治 [著]
糖質 / 北畑寿美雄 [著]
味を変える物質 / 栗原良枝 [著]
苦味と化学構造 / 山田恭正, 中谷延二 [著]
苦味マスキング剤 / 桂木能久 [著]
食品の味 / 福家眞也 [著]
味覚と栄養 / 駒井三千夫 [著]
味覚センサー / 都甲潔 [著]
嗅覚のしくみ / 柏柳誠 [著]
化学構造とにおい特性 / 川崎通昭, 司英隆 [著]
食品香気の形成と発現 / 小林彰夫 [著]
昆虫フェロモンの構造と作用 / 桑原保正 [著]
哺乳動物のフェロモン / 杉山長美 [著]
人間における情報伝達物質 / 印藤元一 [著]
アロマテラピー / 印藤元一 [著]
においセンサー / 中本高道, 森泉豊栄 [著]
味覚のしくみ / 栗原堅三 [著]
甘味ペプチド / 網野裕右 [著]
甘味タンパク質 / 有吉安男 [著]
7.

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7. バイオエレクトロニクス : 21世紀に向かって
森泉豊栄著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1987.1  195p ; 19cm
シリーズ名: K books ; 58
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1章 バイオとエレクトロニクス 1
2章 生体と化学感覚 5
   1.センサと電子工学 5
   2.生体における化学物質識別能力 8
   2.1 生体と化学物質
   2.2 化学感覚
   3.タンパク質の構造と特異性 16
3章 バイオセンサ 23
   1.バイオセンサの基本構成 23
   2.開発の現状 27
   2.1 酵素センサの開発状況
   2.2 過酸化水素電極を用いたグルコースセンサ
   2.3 酸素電極を用いたグルコースセンサ
   3.臨床検査への応用 35
   3.1 臨床検査
   3.2 グルコース測定装置
4章 イオン感応性電界効果トランジスタ(ISFET) 41
   1.FETとISFET 41
   2.ガラス電極とISFET 43
   3.絶縁膜と界面電位 45
   4.ISFETの電気的特性と測定回路 47
   5.ISFETのイオン選択性 49
   6.安定性,エージング特性 52
   7.ISFETの進歩とその形状 53
   7.1 ペレット型
   7.2 針形
   7.3 ウェル構造
   7.4 SOS構造
   7.5 ゲート分離構造
   7.6 微小ガラス電極付きISFET
   7.7 ISFET形状のまとめ
   8.ISFETの集積化 61
5章 固体バイオセンサ 65
   1.バイオセンサ開発の新展開 65
   2.酵素FET 69
   2.1 尿素FET
   2.2 ENFETの発達
   2.3 集積化酵素FET
   2.4 フロー測定の試み
   3.MOSガスセンサとバイオセンサへの応用 92
   3.1 水素に感ずるMOSFET
   3.2 アンモニアMOSセンサ
   4.薄膜電極を用いたバイオセンサ 97
   4.1 小型酸素電極
   4.2 薄膜過酸化水素電極とグルコースセンサ
   5.その他の固体バイオセンサ 108
   5.1 オプトバイオセンサ
   5.2 酵素サーミスタ
   5.3 免疫センサ
6章 分子電子デバイスとバイオエレクトロニクス 119
   1.カータショック 119
   2.分子電子デバイス 123
   3.バイオエレクトロニクスとの関連 126
   4.バイオチップ 126
   5.LB膜 128
   5.1 ラングミュア膜
   5.2 LB膜の成長
   5.3 LB膜の評価
   5.4 LB膜の応用
   5.5 バイオセンサへの応用
   5.6 LB膜の将来と分子電子デバイス
   6.分子素子 157
7章 生体膜とセンサ 161
   1.生体膜の構造とその機能 161
   2.黒膜と光起電力 165
   3.膜素子 169
   3.1 圧センサ
   3.2 化学センサ
   3.3 Si微細加工技術を用いた膜素子
8章 生体 驚異の集積システム 179
   1.生体集積システム 179
   2.生体における微小場とその集積 184
   3.本当に必要な物は何か? 187
   4.そして21世紀 188
索引 191
1章 バイオとエレクトロニクス 1
2章 生体と化学感覚 5
   1.センサと電子工学 5
8.

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8. 半導体ヘテロ接合
A.G.ミルネス, D.L.フォイヒト原著 ; 酒井善雄, 高橋清, 森泉豊栄共訳
出版情報: 東京 : 森北出版, 1974.9  xv, 410p ; 22cm
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   日本語版への序文 i
   序 ii
   謝辞 iv
   訳者序文 v
   記号の説明 x
1.半導体ヘテロ接合入門
   1.1 ヘテロ接合 1
   1.2 ヘテロ接合のエネルギー帯構造 3
   1.3 半導体ヘテロ接合の組合せ 7
   1.4 ヘテロ接合の特徴 13
   1.5 その他のヘテロ接合デバイス 18
   1.6 画像変換におけるヘテロ接合の光学的性質 31
   1.7 注入型ヘテロ接合レーザ:GaAs/AlχGa1-χAs構造 34
2.半導体p-nヘテロ接合モデルとダイオード特性
   2.1 n-pおよびp-nヘテロ接合のAndersonモデル 35
   2.2 n-p Ge-GaAsヘテロ接合の研究 40
   2.3 ヘテロ接合の再結合およびトンネル機構 46
   2.4 n-pおよびp-nヘテロ接合の容量特性 52
   2.5 界面準位を介しての再結合 57
3.ヘテロ接合トランジスタ
   3.1 理想的ヘテロ接合トランジスタの特徴 59
   3.2 ヘテロ接合トランジスタ中の無効電流成分 64
   3.3 ZnSe-Geヘテロ接合トランジスタの特性 74
   3.4 ヘテロ接合トランジスタの性能 81
4.アイソタイプ(n-n,p-p)ヘテロ接合
   4.1 はじめに 98
   4.2 界面準位が存在する場合のn-n接合のエネルギー帯構造 102
   4.3 接合容量測定からのエネルギー帯構造の決定 108
   4.4 ダブルショットキー障壁としてのn-n Ge-Siヘテロ接合の研究 110
   4.5 n-n Ge-GaAsヘテロ接合 114
   4.6 その他のアイソタイプへテロ接合の研究 118
5.ヘテロ接合の光学的性質とヘテロ接合レーザ
   5.1 はじめに 119
   5.2 p-nホモ接合の光電池動作 119
   5.3 p-nヘテロ接合光電池 122
   5.4 アイソタイプn-nヘテロ接合の光学的性質 126
   5.5 ヘテロ表面型太陽電池の考察 129
   5.6 ヘテロ接合太陽電池の解析 133
   5.7 GaAs-AlχGa1-χAsヘテロ接合レーザ 146
6.金属-半導体障壁
   6.1 ショットキーモデル 160
   6.2 障壁高さの決定 164
   6.3 各種半導体の障壁高さの観測値 169
7.金属-半導体接合の特性
   7.1 障壁を越えてのエミッションから期待される特性 174
   7.2 鏡像力による障壁の低下 175
   7.3 障壁領域中のキャリアの流れ 178
   7.4 実験的特性 181
   7.5 p-n接合のガードリングをもったショットキーダイオード 185
   7.6 電界効果による障壁低下の研究 189
   7.7 熱電子トンネル現象およびその他の概念 190
   7.8 金属-半導体接合における少数キャリアの流れ 192
   7.9 金属-半導体接合の応用 194
8.高利得光電陰極
   8.1 はじめに 203
   8.2 セシウムをつけたp+-GaAs光電陰極 205
   8.3 III-V光電陰極の障壁 213
   8.4 光電子増倍用2次電子エミッタ 219
   8.5 冷陰極電子エミッタ 224
9.ヘテロ接合の形成
   9.1 ヘテロ接合形成に対する考察 227
   9.2 ヨウ化物不均等化反応による成長法 234
   9.3 HCI輸送法 238
   9.4 水素化合物および水蒸気による成長 249
   9.5 真空蒸着およびスパッタリングによるヘテロ接合の形成 253
   9.6 ヘテロ接合の液相成長 264
   9.7 合金法によるヘテロ接合の形成 276
   9.8 測定技術 283
   9.9 半導体へのオーミックコンタクト 290
   参考文献 309
   人名索引 377
   項目索引 398
   日本語版への序文 i
   序 ii
   謝辞 iv
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