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1.

図書
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1. Quantum photonics (: hardback)
Thomas P. Pearsall
出版情報: Cham : Springer, c2017  xvii, 292 p. ; 24 cm
シリーズ名: Graduate texts in physics
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2.

図書
図書
2. Quantum Photonics. 2nd ed
Thomas P. Pearsall
出版情報: Cham : Springer, c2020  xvii, 367 p. ; 24 cm
シリーズ名: Graduate texts in physics
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3.

図書
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3. GaInAsP alloy semiconductors
edited by T.P. Pearsall
出版情報: Chichester [West Sussex] ; New York : Wiley, c1982  xi, 468 p. ; 24 cm
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4.

図書
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4. Strained-Layer superlattices : physics
volume editor, Thomas P. Pearsall
出版情報: Boston ; Tokyo : Academic Press, c1990  ix, 275 p. ; 24 cm
シリーズ名: Semiconductors and semimetals ; Vol. 32
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5.

図書
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5. Papers presented at the European Materials Research Society 1992 Spring Conference, Symposium A: SiGe based technologies, Strasbourg, France, June 2-4, 1992
guest editors: E. Kasper, Y. Shiraki and T.P. Pearsall
出版情報: Lausanne : Elsevier Sequoia, 1992  vii, 280 p. ; 28 cm
シリーズ名: Thin solid films ; vol. 222, nos. 1-2
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6.

図書
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6. Optical fiber sources and detectors : 28-29 November 1985, Cannes, France (pbk.)
Thomas Pearsall, Jean-Pierre Noblanc, chairmen/editor ; organised by SPIE--the International Society for Optical Engineering, ANRT--Association Nationale de la Recherche Technique
出版情報: Bellingham, Wash., USA : The Society, c1986  viii, 202 p. ; 28 cm
シリーズ名: Proceedings / SPIE -- the International Society for Optical Engineering ; v. 587
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7.

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7. Photonics in the automobile II : 6 April 2006, Strasbourg, France
Patrick P. Meyrueis, Thomas P. Pearsall, chairs/editors ; sponsored by SPIE Europe ; cosponsored by Conseil General Du Bas-Rhin (France) ... [et al.] ; cooperationg organization, CNOP--Comité National d'Optique et de Photonique (France) ... [et al.] ; published by SPIE--the International Society for Optical Engineering
出版情報: Bellingham, Wash. : SPIE, c2006  1 v. (various pagings) ; 28 cm
シリーズ名: Proceedings / SPIE -- the International Society for Optical Engineering ; v. 6198
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8.

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8. Strained-Layer superlattices : materials science and technology
volume editor, Thomas P. Pearsall
出版情報: Boston ; Tokyo : Academic Press, c1991  ix, 431 p. ; 24 cm
シリーズ名: Semiconductors and semimetals ; vol. 33
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Principles and Concepts of Strained-Layer Epitaxy / R. Hull ; J.C. Bean
Device Applications of Strained-Layer Epitaxy / W.J. Schaff ; P.J. Tasker ; M.C. Foisy ; L.F. Eastman
Structure and Characterization of Strained-Layer Superlattices / S.T. Picraux ; B.L. Doyle ; J.Y. Tsao
Group IV Compounds / E. Kasper ; F. Schaffler
Molecular Beam Epitaxy of IV*b1VI Compound Heterojunctions and Superlattices / D.L. Partin
Molecular Beam Epitaxy of II*b1VI Semiconductor Microstructures / R.L. Gunshor ; L.A. Kolodziejski ; A.V. Nurmikko ; N. Otsuka
References
Index
Principles and Concepts of Strained-Layer Epitaxy / R. Hull ; J.C. Bean
Device Applications of Strained-Layer Epitaxy / W.J. Schaff ; P.J. Tasker ; M.C. Foisy ; L.F. Eastman
Structure and Characterization of Strained-Layer Superlattices / S.T. Picraux ; B.L. Doyle ; J.Y. Tsao
9.

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9. Optical properties (pt. 1 ; pt. 2 ; pt. 3)
H. Haug ... [et al.] ; edited by C. Klingshirn
出版情報: Berlin : Springer-Verlag, c2001-2007  3 v. ; 28 cm.
シリーズ名: Landolt-Börnstein Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaften und Technik, Neue Serie / Gesamtherausgabe, K.-H. Hellwege ; Group 3 . Condensed matter ; v. 34 . Semiconductor quantum structures ; subv. C
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Landolt-Börnstein
Group III: Condensed Matter
Semiconductor Quantum Structures / Volume 34：
Optical Properties (Part 2) / Subvolume C2：
Introductory material
Low-dimensional structures of II-VI compounds / 5：
General properties / H. Kalt5.1：
Introduction / 5.1.1：
Some basic properties of bulk II-VI compounds / 5.1.2：
Band-gap energies / 5.1.2.1：
Excitonic properties / 5.1.2.2：
Alignment of electronic bands / 5.1.3：
References for 5.1 / 5.1.4：
Quantum-well structures of II-VI compounds / 5.2：
(Hg,X)Te quantum wells / 5.2.1：
Low-density regime / 5.2.1.1：
Electronic states in quantum wells / 5.2.1.1.1：
Electron-hole and excitonic transitions / 5.2.1.1.2：
Modification of the optical properties by internal fields / 5.2.1.2：
Modification of the optical properties by external fields / 5.2.1.3：
High-density regime and nonlinear optics / 5.2.1.4：
References for 5.2.1 / 5.2.1.5：
CdTe quantum wells / 5.2.2：
Excitonic transitions / 5.2.2.1：
Localized excitons / 5.2.2.1.3：
Polariton effects / 5.2.2.1.4：
Strained quantum wells / 5.2.2.2：
Piezoelectric quantum wells / 5.2.2.2.2：
Hydrostatic pressure / 5.2.2.3：
External electric fields / 5.2.2.3.2：
External magnetic fields / 5.2.2.3.3：
The intermediate-density regime / 5.2.2.4：
Exciton-exciton interaction / 5.2.2.4.1：
Excitonic lasing and optical gain / 5.2.2.4.2：
Biexcitons / 5.2.2.4.3：
The high-density regime / 5.2.2.5：
One-component plasma (2DEG) / 5.2.2.5.1：
Electron-hole plasma / 5.2.2.5.2：
Coherent dynamics and relaxation of optical excitations / 5.2.2.6：
Coherent interactions / 5.2.2.6.1：
Dephasing mechanisms and homogeneous linewidth / 5.2.2.6.2：
Relaxation processes / 5.2.2.6.3：
Transport phenomena of excitons and trions / 5.2.2.6.4：
Radiative and nonradiative recombination / 5.2.2.6.5：
References for 5.2.2 / 5.2.2.7：
(Cd,Zn)Te, (Cd,Mn)Te, and (Cd,Mg)Te quantum wells / 5.2.3：
The intermediate and high-density regimes / 5.2.3.1：
References for 5.2.3 / 5.2.3.4：
ZnTe quantum wells / 5.2.4：
Excitons and polaritons / 5.2.4.1：
Optical nonlinearities and high-density effects / 5.2.4.3：
References for 5.2.4 / 5.2.4.4：
Telluride diluted-magnetic semiconductor quantum-well structures: (Hg,Mn)Te, (Cd,Mn)Te, and (Zn,Mn)Te QWs; Se/Te type-II QWs / 5.2.5：
Zeeman splitting and its applications / 5.2.5.1：
Giant Zeeman splitting / 5.2.5.1.1：
Magnetic-field induced type-I to type-II transition / 5.2.5.1.2：
Interface effects in non-DMS/DMS QW structures / 5.2.5.1.3：
Magnetic-field induced circular birefringence / 5.2.5.1.4：
Coulomb-bound electron-hole pairs and complexes (low-density regime) / 5.2.5.2：
Magnetic polarons / 5.2.5.2.1：
Donor-acceptor pair recombination / 5.2.5.2.3：
The intermediate and high-density regime / 5.2.5.3：
Spin-aligned excitons / 5.2.5.3.1：
Spin-aligned magnetoplasma / 5.2.5.3.2：
Two-dimensional electron or hole gas / 5.2.5.3.3：
Coherent spin dynamics and spin injection / 5.2.5.4：
Spin relaxation / 5.2.5.4.2：
Exciton dephasing and homogeneous broadening / 5.2.5.4.3：
Formation dynamics of magnetic polarons / 5.2.5.4.4：
Recombination processes / 5.2.5.4.5：
References for 5.2.5 / 5.2.5.5：
Telluride/Selenide quantum wells / 5.2.6：
High-density regime and dynamics / 5.2.6.1：
References for 5.2.6 / 5.2.6.3：
HgSe and (Hg,Cd)Se quantum wells / 5.2.7：
References for 5.2.7
CdSe quantum wells / 5.2.8：
High-density regime / 5.2.8.1：
Relaxation dynamics / 5.2.8.3：
References for 5.2.8 / 5.2.8.4：
(Cd,Zn)Se quantum wells / 5.2.9：
Modifications of the optical properties by internal fields / 5.2.9.1：
Piezoelectric fields / 5.2.9.2.1：
Modifications of the optical properties by external fields / 5.2.9.3：
Excitonic interactions and Pauli blocking / 5.2.9.3.1：
Two-photon absorption and second harmonic generation / 5.2.9.4.2：
Localized biexcitons / 5.2.9.4.3：
Excitonic and biexcitonic stimulated emission and optical gain / 5.2.9.4.4：
Fermi-edge singularity / 5.2.9.5：
Correlated electron-hole plasma / 5.2.9.5.2：
Coherent interactions and dephasing / 5.2.9.6：
Transport phenomena / 5.2.9.6.2：
Dynamics of gain and stimulated emission / 5.2.9.6.4：
Radiative and non-radiative recombination / 5.2.9.6.5：
References for 5.2.9 / 5.2.9.7：
ZnSe quantum wells / 5.2.10：
Strain and piezoelectric fields / 5.2.10.1：
Transient internal space charge fields / 5.2.10.2.2：
Electric fields / 5.2.10.3：
Magnetic fields / 5.2.10.3.3：
Excitonic gain and lasing / 5.2.10.4：
Nonlinear optical effects / 5.2.10.4.4：
Optical gain and lasing / 5.2.10.5：
Hot-exciton relaxation / 5.2.10.6：
Lateral transport / 5.2.10.6.4：
References for 5.2.10 / 5.2.10.6.6：
Selenide-based quantum wells containing Be, Mg, or S in the well / 5.2.11：
References for 5.2.11
Selenide diluted-magnetic semiconductor quantum-well structures: (Cd,Mn)Se, (Zn,Mn)Se, and (Zn,Fe)Se QWs / 5.2.12：
Two-dimensional electron gas / 5.2.12.1：
Spin dephasing and relaxation / 5.2.12.4：
Dynamics of magnetic polarons / 5.2.12.4.2：
References for 5.2.12 / 5.2.12.4.3：
Zincblende Sulphide/Selenide type-II quantum wells / 5.2.13：
References for 5.2.13
CdS/ZnS and (Cd,Zn)S/ZnS quantum wells / 5.2.14：
Intermediate and high-density regime / 5.2.14.1：
Exciton dynamics / 5.2.14.4：
References for 5.2.14 / 5.2.14.5：
ZnS/(Zn,Mg)S quantum wells / 5.2.15：
References for 5.2.15
ZnO and (Zn,Cd)O quantum wells / 5.2.16：
Dynamics of optical excitations / 5.2.16.1：
References for 5.2.16 / 5.2.16.5：
Superlattices and coupled quantum-well structures of II-VI compounds / 5.3：
(Hg,X)Te superlattices / 5.3.1：
Electronic states in superlattices / 5.3.1.1：
References for 5.3.1 / 5.3.1.1.2：
CdTe/(Cd,X)Te and (Cd,X)Te/ZnTe superlattices and coupled quantum wells / 5.3.2：
Transient effects and dynamics / 5.3.2.1：
References for 5.3.2 / 5.3.2.5：
Telluride diluted magnetic semiconductor superlattices and coupled quantum wells / 5.3.3：
Electronic states in DMS SLs / 5.3.3.1：
Spin states in DMS SLs / 5.3.3.2：
Polaritons / 5.3.3.3：
Dynamic processes / 5.3.3.5：
References for 5.3.3 / 5.3.3.6：
Telluride/Selenide and Telluride/Sulphide superlattices / 5.3.4：
Electronic states in type-II SLs / 5.3.4.1：
Excitons and isoelectronic traps / 5.3.4.2：
High-excitation regime / 5.3.4.3：
References for 5.3.4 / 5.3.4.5：
CdSe, ZnSe, (Cd,Zn)Se, and (Zn,Mg)(S,Se) superlattices and coupled quantum wells / 5.3.5：
Electronic states in strained-layer superlattices / 5.3.5.1：
Optical functions in superlattices and multiple quantum wells / 5.3.5.1.2：
Magnetic field / 5.3.5.1.3：
References for 5.3.5 / 5.3.5.4：
Selenide DMS superlattices and coupled quantum wells / 5.3.6：
Electronic states in diluted magnetic semiconductor superlattices (DMS SLs) / 5.3.6.1：
Spin-relaxation and spin injection / 5.3.6.1.2：
References for 5.3.6 / 5.3.6.3：
CdSe/CdS and CdS/ZnSe intrinsic Stark superlattices / 5.3.7：
References for 5.3.7 / 5.3.7.1：
Zincblende Sulphide/Selenide superlattices / 5.3.8：
References for 5.3.8
CdS/ZnS, CdS/(Cd,ZnS), and (Cd,Zn)S/ZnS superlattices / 5.3.9：
References for 5.3.9
Quantum-wire structures / 5.4：
Telluride quantum wires / 5.4.1：
Selenide quantum wires / 5.4.1.1：
Electron-phonon coupling / 5.4.2.1：
Optical gain / 5.4.2.1.3：
Exciton recombination / 5.4.2.3：
Sulfide quantum wires / 5.4.3：
Oxide quantum wires / 5.4.4：
Semimagnetic quantum wires / 5.4.5：
Mn-related transitions / 5.4.5.1：
Magneto-optics / 5.4.5.2：
References for 5.4 / 5.4.6：
II-VI Quantum dots I - Nanocrystals / U. Woggon ; S.V. Gaponenko5.5：
HgTe / 5.5.1：
CdTe / 5.5.2：
The low-density regime / 5.5.2.1：
Size-dependent energy states / 5.5.2.1.1：
Splitting of states / 5.5.2.1.2：
Interaction with phonons / 5.5.2.1.3：
Impurity states / 5.5.2.1.4：
Coherent dynamics, relaxation and recombination of optical excitations / 5.5.2.2：
Dot-dot interactions, quantum dot arrays / 5.5.2.5：
(Cd,Hg)Te / 5.5.3：
Cd(Te,Se) and Cd(Te,S) / 5.5.4：
ZnTe / 5.5.5：
HgSe / 5.5.6：
CdSe / 5.5.7：
Biexciton states / 5.5.7.1：
Nonlinear optical coefficients / 5.5.7.2.2：
Stimulated emission and optical gain / 5.5.7.2.3：
Dephasing times and homogeneous linewidth / 5.5.7.3：
Cd(Se,S) / 5.5.7.4.2：
(Cd,Mn)Se / 5.5.8.1：
(Cd,Zn)Se / 5.5.10：
ZnSe / 5.5.11：
HgS / 5.5.11.1：
CdS / 5.5.13：
Nonlinear-optical coefficients / 5.5.13.1：
(Zn,Cd)S / 5.5.13.2.3：
(Zn,Mn)S / 5.5.15：
ZnS / 5.5.16：
CdO / 5.5.16.1：
ZnO / 5.5.18：
References for 5.5 / 5.5.18.1：
II-VI Quantum dots II - Self-organized, epitaxially grown nanostructures / 5.6：
Excitonic states and their fine structure / 5.6.1：
Charged excitons / 5.6.2.1.2：
(Cd,Mn)Te, (Cd,Mg)Te / 5.6.2.1.3：
CdSe and ZnCdSe / 5.6.4：
References for 5.6 / 5.6.6.1：
Landolt-Börnstein
Group III: Condensed Matter
Semiconductor Quantum Structures / Volume 34：
10.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
10. エッセンシャルフォトニクスデバイス : 原理と実験
Thomas P.Pearsall著 ; 木村達也訳
出版情報: 東京 : オーム社, 2007.7  xii, 278p ; 21cm
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序文 vii
訳者のまえがき xi
第I部　基本の概念
第1章　はじめに 3
第2章　電子と光子 7
   2.1　まえがき 7
   2.2　基本的な関係式 8
   2.3　光子の性質 10
   2.4　電子の性質 15
   2.5　簡単な歴史 20
   2.6　固体中の電子の振る舞い 23
   2.7　まとめ 31
第II部　光デバイス
第3章　フォトダイオード 37
   3.1　まえがき 37
   3.2　フォトダイオードの電流・電圧の関係式 38
   3.3　フォトダイオードの動作 : 光電流モードと光起電力モード 47
   3.4　フォトダイオードの特性 48
   3.4.1　スペクトル応答 49
   3.4.2　量子効率 52
   3.5　まとめ 56
第4章　ダイオードの電気応答時間 61
   4.1　まえがき 61
   4.2　フォトダイオードの応答時間のモデル化 62
   4.3　拡散時間 63
   4.4　ドリフト 65
   4.5　抵抗・容量応答時間 66
   4.6　順方向バイアスにおけるダイオードの静電容量 70
   4.7　ダイオード静電容量とキャリヤ密度の測定 71
   4.8　発光ダイオードへの応用 73
   4.9　まとめ 73
第5章　光伝導 77
   5.1　まえがき 77
   5.2　伝導度と移動度 77
   5.3　利得と帯域幅 79
   5.4　光伝導の設計 83
   5.5　写真フイルムと光伝導 86
   5.6　増感 90
   5.7　まとめ 96
第6章　発光ダイオード 99
   6.1　まえがき 99
   6.2　過剰キャリヤの再結合―光の直接発生 102
   6.3　光のエネルギースペクトル 105
   6.4　量子効率 112
   6.5　専門家を凌ぐ : 効率向上策の新しい思考 114
   6.6　応答時間 120
   6.7　定常的な入力電流とLED光出力パワー 121
   6.8　発光ダイオードの立上り時間 126
   6.9　まとめ 133
   6.10　重要な概念の復習 134
第7章　レーザ 139
   7.1　まえがき 139
   7.2　増幅器とフィードバック 140
   7.3　自然放出と誘導放出 142
   7.4　光利得 145
   7.5　反転分布の実現 148
   7.6　光フィードバック―レーザを作る 154
   7.7　しきい値―一線を越える 159
   7.8　実話 162
   7.9　まとめ 165
第III部　高度な話題
第8章　レーザダイオードの直接変調 169
   8.1　まえがき 169
   8.2　電流変調時のレーザダイオードの時間依存特性 170
   8.3　まとめ 180
第9章　光ファイバと光ファイバ増幅器 183
   9.1　まえがき 183
   9.2　ガラス 186
   9.3　光ファイバエ学 189
   9.4　光ファイバによる導波 190
   9.5　もっと容量を 196
   9.6　光増幅器 203
   9.7　まとめ 211
第IV部　実験室での光デバイス評価
第10章　フォトニクスの測定 219
   10.1　まえがき 219
   10.2　レンズ 220
   10.3　モノクロメータと分光器 222
   10.4　回折格子 223
   10.5　反射鏡 226
   10.6　分光器/モノクロメータシステム 227
   10.7　ロックイン増幅器 228
   10.8　チョッパ 229
   10.9　光子検出器 231
   10.10　カーブトレーサ 232
   10.11　まとめ 232
第11章　フォトニクスの実験 : 実験室でのデバイス評価 235
   11.1　まえがき 235
   11.2　フォトダイオードとLEDの電流・電圧特性 236
   11.3　ロックイン増幅器を使う検出 239
   11.4　モノクロメータと分光器を使う光測定 242
   11.5　発光ダイオードの光特性 247
   11.6　デバイスの静電容量 249
   11.7　レーザの特性 254
索引 269
序文 vii
訳者のまえがき xi
第I部　基本の概念
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