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1.

図書

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[by] A.G. Milnes and D.L. Feucht
出版情報: New York : Academic Press, 1972  xix, 408 p. ; 24 cm
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2.

図書

東工大
目次DB

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東工大
目次DB
A.G.ミルネス, D.L.フォイヒト原著 ; 酒井善雄, 高橋清, 森泉豊栄共訳
出版情報: 東京 : 森北出版, 1974.9  xv, 410p ; 22cm
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   日本語版への序文 i
   序 ii
   謝辞 iv
   訳者序文 v
   記号の説明 x
1.半導体ヘテロ接合入門
   1.1 ヘテロ接合 1
   1.2 ヘテロ接合のエネルギー帯構造 3
   1.3 半導体ヘテロ接合の組合せ 7
   1.4 ヘテロ接合の特徴 13
   1.5 その他のヘテロ接合デバイス 18
   1.6 画像変換におけるヘテロ接合の光学的性質 31
   1.7 注入型ヘテロ接合レーザ:GaAs/AlχGa1-χAs構造 34
2.半導体p-nヘテロ接合モデルとダイオード特性
   2.1 n-pおよびp-nヘテロ接合のAndersonモデル 35
   2.2 n-p Ge-GaAsヘテロ接合の研究 40
   2.3 ヘテロ接合の再結合およびトンネル機構 46
   2.4 n-pおよびp-nヘテロ接合の容量特性 52
   2.5 界面準位を介しての再結合 57
3.ヘテロ接合トランジスタ
   3.1 理想的ヘテロ接合トランジスタの特徴 59
   3.2 ヘテロ接合トランジスタ中の無効電流成分 64
   3.3 ZnSe-Geヘテロ接合トランジスタの特性 74
   3.4 ヘテロ接合トランジスタの性能 81
4.アイソタイプ(n-n,p-p)ヘテロ接合
   4.1 はじめに 98
   4.2 界面準位が存在する場合のn-n接合のエネルギー帯構造 102
   4.3 接合容量測定からのエネルギー帯構造の決定 108
   4.4 ダブルショットキー障壁としてのn-n Ge-Siヘテロ接合の研究 110
   4.5 n-n Ge-GaAsヘテロ接合 114
   4.6 その他のアイソタイプへテロ接合の研究 118
5.ヘテロ接合の光学的性質とヘテロ接合レーザ
   5.1 はじめに 119
   5.2 p-nホモ接合の光電池動作 119
   5.3 p-nヘテロ接合光電池 122
   5.4 アイソタイプn-nヘテロ接合の光学的性質 126
   5.5 ヘテロ表面型太陽電池の考察 129
   5.6 ヘテロ接合太陽電池の解析 133
   5.7 GaAs-AlχGa1-χAsヘテロ接合レーザ 146
6.金属-半導体障壁
   6.1 ショットキーモデル 160
   6.2 障壁高さの決定 164
   6.3 各種半導体の障壁高さの観測値 169
7.金属-半導体接合の特性
   7.1 障壁を越えてのエミッションから期待される特性 174
   7.2 鏡像力による障壁の低下 175
   7.3 障壁領域中のキャリアの流れ 178
   7.4 実験的特性 181
   7.5 p-n接合のガードリングをもったショットキーダイオード 185
   7.6 電界効果による障壁低下の研究 189
   7.7 熱電子トンネル現象およびその他の概念 190
   7.8 金属-半導体接合における少数キャリアの流れ 192
   7.9 金属-半導体接合の応用 194
8.高利得光電陰極
   8.1 はじめに 203
   8.2 セシウムをつけたp+-GaAs光電陰極 205
   8.3 III-V光電陰極の障壁 213
   8.4 光電子増倍用2次電子エミッタ 219
   8.5 冷陰極電子エミッタ 224
9.ヘテロ接合の形成
   9.1 ヘテロ接合形成に対する考察 227
   9.2 ヨウ化物不均等化反応による成長法 234
   9.3 HCI輸送法 238
   9.4 水素化合物および水蒸気による成長 249
   9.5 真空蒸着およびスパッタリングによるヘテロ接合の形成 253
   9.6 ヘテロ接合の液相成長 264
   9.7 合金法によるヘテロ接合の形成 276
   9.8 測定技術 283
   9.9 半導体へのオーミックコンタクト 290
   参考文献 309
   人名索引 377
   項目索引 398
   日本語版への序文 i
   序 ii
   謝辞 iv
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