| 日本語版への序文 i |
| 序 ii |
| 謝辞 iv |
| 訳者序文 v |
| 記号の説明 x |
| 1.半導体ヘテロ接合入門 |
| 1.1 ヘテロ接合 1 |
| 1.2 ヘテロ接合のエネルギー帯構造 3 |
| 1.3 半導体ヘテロ接合の組合せ 7 |
| 1.4 ヘテロ接合の特徴 13 |
| 1.5 その他のヘテロ接合デバイス 18 |
| 1.6 画像変換におけるヘテロ接合の光学的性質 31 |
| 1.7 注入型ヘテロ接合レーザ:GaAs/AlχGa1-χAs構造 34 |
| 2.半導体p-nヘテロ接合モデルとダイオード特性 |
| 2.1 n-pおよびp-nヘテロ接合のAndersonモデル 35 |
| 2.2 n-p Ge-GaAsヘテロ接合の研究 40 |
| 2.3 ヘテロ接合の再結合およびトンネル機構 46 |
| 2.4 n-pおよびp-nヘテロ接合の容量特性 52 |
| 2.5 界面準位を介しての再結合 57 |
| 3.ヘテロ接合トランジスタ |
| 3.1 理想的ヘテロ接合トランジスタの特徴 59 |
| 3.2 ヘテロ接合トランジスタ中の無効電流成分 64 |
| 3.3 ZnSe-Geヘテロ接合トランジスタの特性 74 |
| 3.4 ヘテロ接合トランジスタの性能 81 |
| 4.アイソタイプ(n-n,p-p)ヘテロ接合 |
| 4.1 はじめに 98 |
| 4.2 界面準位が存在する場合のn-n接合のエネルギー帯構造 102 |
| 4.3 接合容量測定からのエネルギー帯構造の決定 108 |
| 4.4 ダブルショットキー障壁としてのn-n Ge-Siヘテロ接合の研究 110 |
| 4.5 n-n Ge-GaAsヘテロ接合 114 |
| 4.6 その他のアイソタイプへテロ接合の研究 118 |
| 5.ヘテロ接合の光学的性質とヘテロ接合レーザ |
| 5.1 はじめに 119 |
| 5.2 p-nホモ接合の光電池動作 119 |
| 5.3 p-nヘテロ接合光電池 122 |
| 5.4 アイソタイプn-nヘテロ接合の光学的性質 126 |
| 5.5 ヘテロ表面型太陽電池の考察 129 |
| 5.6 ヘテロ接合太陽電池の解析 133 |
| 5.7 GaAs-AlχGa1-χAsヘテロ接合レーザ 146 |
| 6.金属-半導体障壁 |
| 6.1 ショットキーモデル 160 |
| 6.2 障壁高さの決定 164 |
| 6.3 各種半導体の障壁高さの観測値 169 |
| 7.金属-半導体接合の特性 |
| 7.1 障壁を越えてのエミッションから期待される特性 174 |
| 7.2 鏡像力による障壁の低下 175 |
| 7.3 障壁領域中のキャリアの流れ 178 |
| 7.4 実験的特性 181 |
| 7.5 p-n接合のガードリングをもったショットキーダイオード 185 |
| 7.6 電界効果による障壁低下の研究 189 |
| 7.7 熱電子トンネル現象およびその他の概念 190 |
| 7.8 金属-半導体接合における少数キャリアの流れ 192 |
| 7.9 金属-半導体接合の応用 194 |
| 8.高利得光電陰極 |
| 8.1 はじめに 203 |
| 8.2 セシウムをつけたp+-GaAs光電陰極 205 |
| 8.3 III-V光電陰極の障壁 213 |
| 8.4 光電子増倍用2次電子エミッタ 219 |
| 8.5 冷陰極電子エミッタ 224 |
| 9.ヘテロ接合の形成 |
| 9.1 ヘテロ接合形成に対する考察 227 |
| 9.2 ヨウ化物不均等化反応による成長法 234 |
| 9.3 HCI輸送法 238 |
| 9.4 水素化合物および水蒸気による成長 249 |
| 9.5 真空蒸着およびスパッタリングによるヘテロ接合の形成 253 |
| 9.6 ヘテロ接合の液相成長 264 |
| 9.7 合金法によるヘテロ接合の形成 276 |
| 9.8 測定技術 283 |
| 9.9 半導体へのオーミックコンタクト 290 |
| 参考文献 309 |
| 人名索引 377 |
| 項目索引 398 |
