| 1章 固体デバイスと微細加工 |
| 1・1 微細加工がなぜ必要か 2 |
| 1・2 プレーナ技術のあらまし 3 |
| 1・3 集積回路(IC)のための微細加工 6 |
| 1・4 微細加工技術の進展に伴って生じる問題点 10 |
| 1・5 微細加工技術の新しい応用 11 |
| 参考文献 13 |
| 2章 露光 |
| 2・1 露光方式にはどんな種類があるか 16 |
| 2・2 光露光の基本方式 密着露光 16 |
| 〔1〕密着露光は高解像力 16 |
| 〔2〕しかし,密着露光は超LSIには向かない 19 |
| 2・3 光露光の最新技術 19 |
| 〔1〕VLSI時代を切り開いた投影露光技術 19 |
| 〔2〕ULSIへの展開 21 |
| 〔3〕光露光の今後の動向 24 |
| 2・4 電子ビーム露光 26 |
| 〔1〕電子ビーム露光の特徴と用途 26 |
| 〔2〕電子ビーム露光装置 27 |
| 〔3〕電子ビール露光の限界と今後の課題 30 |
| 2・5 露光の将来動向 32 |
| 〔1〕将来を支える非光学系露光技術 32 |
| 〔2〕X線露光はなぜむずかしいか?33 |
| 〔3〕期等されるSOR 35 |
| 2・6 フォトレジスト技術 40 |
| 〔1〕ネガ形とポジ形 40 |
| 〔2〕プロセスとレジストの適性 41 |
| 〔3〕下地基板と解像性 42 |
| 〔4〕多層レジストプロセス 43 |
| 〔5〕非光学系露光用レジストと無機レジスト 45 |
| 2・7 微細加工Q＆A(1) 46 |
| 参考文献 53 |
| 3章 エッチング |
| 3・1 エッチング精度の意味 56 |
| 3・2 ウェットエッチング 57 |
| 〔1〕ウェットエッチングの欠点と利点 57 |
| 〔2〕新しい材料とエッチング 59 |
| 〔3〕応用が広がる結晶Siの異方性・選択性エッチング 60 |
| 3・3 ドライエッチング 62 |
| 〔1〕ドライエッチングの分類 62 |
| 〔2〕ドライエッチングの原理 63 |
| 〔3〕プラズマエッチング 64 |
| 〔4〕反応性イオンエッチング 等方性から異方性へ 66 |
| 〔5〕選択性と終点検出 68 |
| 3・4 エッチングの将来技術 69 |
| 〔1〕サブミクロン時代の要求 69 |
| 〔2〕マイクロ波を用いたプラズマ源 71 |
| 〔3〕イオンだけを用いた反応性エッチング RIBE 73 |
| 〔4〕光を利用したエッチング 74 |
| 〔5〕レジストレス・マスクレスプロセスへの期待 75 |
| 3・5 微細加工Q＆A(2) 77 |
| 参考文献 78 |
| 4章 ドーピング |
| 4・1 熱拡散 82 |
| 〔1〕半導体における拡散 82 |
| 〔2〕熱拡散の基本技術 82 |
| 〔3〕選択拡散技術 85 |
| 〔4〕浅い接合の形成 88 |
| 4・2 イオン注入 89 |
| 〔1〕イオン注入による不純物導入とは 89 |
| 〔2〕アニールの必要性 92 |
| 〔3〕イオン注入装置 93 |
| 〔4〕広範囲に及ぶイオン注入の応用 93 |
| 4・3 ドーピングの将来技術 97 |
| 〔1〕高エネルギーイオン注入 97 |
| 〔2〕集束イオンビーム注入 98 |
| 〔3〕光ドーピング 103 |
| 4・4 微細加工Q＆A(3) 104 |
| 参考文献 107 |
| 5章 膜の形成 |
| 5・1 CVD 110 |
| 〔1〕 集積回路における成膜とCVD 110 |
| 〔2〕 熱CVD 111 |
| 〔3〕 プラズマCVD 113 |
| 〔4〕 光CVD 114 |
| 〔5〕 CVDによる成膜の特徴 116 |
| 5・2 PVD 117 |
| 〔1〕 PVDとその用途 117 |
| 〔2〕 真空蒸着法 117 |
| 〔3〕 真空蒸着膜の性質 119 |
| 〔4〕 スパッタ法 120 |
| 〔5〕 高速スパッタ法 マグネトロンスパッタ 121 |
| 〔6〕 ステップカバレージの改善 バイアススパッタ 122 |
| 5・3 シリコンの酸化 124 |
| 〔1〕 VLSIを可能にした絶縁膜 SiO2 124 |
| 〔2〕 熱酸化によるSiO2の形成 124 |
| 〔3〕 選択酸化 127 |
| 〔4〕 新しい酸化技術 128 |
| 5・4 エピタキシャル成長 130 |
| 〔1〕 エピタキシャル成長とその必要性 130 |
| 〔2〕 気相エピタキシャル成長法(VPE) 131 |
| 〔3〕 VPEによる選択成長 134 |
| 〔4〕 その他のエピタキシャル成長法 134 |
| 〔5〕 エピタキシャル成長で重要なウエハ洗浄 135 |
| 〔6〕 今後の動向 136 |
| 5・5 徴細加工Q＆A(4) 137 |
| 参考文献 141 |
| 6章 微細素子作製技術 |
| 6・1 平坦化技術 144 |
| 〔1〕 平坦化の必要性 144 |
| 〔2〕 塗布法 144 |
| 〔3〕 流動化法 145 |
| 〔4〕 エッチバック法 147 |
| 〔5〕 層状均一靃積法 148 |
| 〔6〕 バイアススパッタ法 148 |
| 〔7〕 選択堆積法 149 |
| 〔8〕 平坦化の有効性 150 |
| 6・2 自己整合法 150 |
| 〔1〕 高精度でマスク数も減らせる巧みな微細加工法 150 |
| 〔2〕自己整合の基本的な方法 151 |
| 〔3〕自己整合を支援する加工技術 154 |
| 〔4〕スーパーセルフアライメントプロセス技術 156 |
| 6・3 微細加工Q＆A(5) 157 |
| 参考文献 160 |
| 7章 検査・評価技術およびクリーンルーム |
| 7・1 電子顕微鏡による観察 164 |
| 〔1〕 評価あっての微細加工 164 |
| 〔2〕 SEMの原理 164 |
| 〔3〕 SEM装置の実際 165 |
| 〔4〕 SEM観察の工夫 167 |
| 〔5〕 TEMによる結晶欠陥の観察 168 |
| 〔6〕 平面TEMと断面TEM 169 |
| 7・2 電気的特性の評価 171 |
| 〔1〕 必要な電気的特性諸量 171 |
| 〔2〕 広がり抵抗法 171 |
| 〔3〕 4探針法 173 |
| 〔4〕 容量-電圧測定法 174 |
| 〔5〕 パウ法 176 |
| 〔6〕 非接触測定法 177 |
| 7・3 クリーンルームとその関連技術 178 |
| 〔1〕 クリーンルームはなぜ必要か 178 |
| 〔2〕 クリーンルームの構造 179 |
| 〔3〕 有害なちりの大きさは? 181 |
| 〔4〕 クリーン度の検査 182 |
| 〔5〕 純水を作る技術 183 |
| 〔6〕 その他のクリーン化技術 185 |
| 7・4 微細加工Q＆A(6) 186 |
| 参考文献 196 |
| 8章 Si微細加工技術の新しい応用 |
| 8・1 機械としてのSiの適性 200 |
| 8・2 Siの異方性エッチングの利用 201 |
| 8・3 電子要素と機械要素のインテグレーション 203 |
| 8・4 ミクロの機械システム 206 |
| 参考文献 209 |
| 付録 フォトレジストの具体例 211 |
| 索引 215 |
図書
図書
図書
