| はじめに |
| 第1章 超高周波エレクトロニクスが支えるマルチメディアシステム 1 |
| 1.1 無線通信システムと超高周波部品 1 |
| 1.2 リモートセンシングシステムと超高周波部品 11 |
| 1.3 光通信システムと超高周波部品 14 |
| 1.4 超高周波エレクトロニクスの技術の階層 18 |
| 第2章 超高周波回路設計のための基礎知識 21 |
| 2.1 複素信号の導入による回路計算の簡便化 21 |
| 2.2 回路網の取り扱い方 24 |
| 2.2.1 回路網の合成 24 |
| 2.2.2 内部に電源を含む回路網の取り扱い方 29 |
| 2.2.3 有能電力と電力利得 31 |
| 2.3 分布定数回路 37 |
| 2.4 分布定数線路の集中定数回路による近似 40 |
| 2.5 電磁波の伝搬 43 |
| 2.6 進行波、後進波と定在波 48 |
| 第3章 伝送線路の構造と基本的な考え方 55 |
| 3.1 マイクロストリップ線路の構造と解析のアプローチ 55 |
| 3.2 マイクロストリップ線路の損失 63 |
| 3.3 2つの反射面に挟まれた空間を伝搬する電磁波 67 |
| 3.4 マイクロストリップ線路の周波数分散特性 74 |
| 3.5 コプレーナ線路 76 |
| 第4章 トランジスタ動作の基本的な考え方 83 |
| 4.1 電界効果トランジスタ(FET)における半導体材料定数・構造定数・回路定数の相互関係 83 |
| 4.2 バイポーラトランジスタにおける半導体材料定数・構造定数・回路定数の相互関係 93 |
| 4.3 高周波化に係る半導体材料定数 101 |
| 4.4 異種半導体接合の応用 106 |
| 4.5 MOS(金属-酸化膜-半導体)界面の応用 113 |
| 第5章 半導体プロセスの考え方 : 伝送線路、トランジスタ、集積回路を実現する手段 117 |
| 5.1 半導体スループロセスの基本 117 |
| 5.2 結晶の成長と不純物のドーピング 123 |
| 5.3 金属および絶縁体薄膜の形成 131 |
| 5.4 微細パターンの露光 135 |
| 5.5 エッチングプロセス 137 |
| 第6章 トランジスタの超高周波性能の向上 141 |
| 6.1 化合物半導体電界効果トランジスタにおける寄生素子の影響 142 |
| 6.2 化合物半導体HBTにおける寄生素子の影響 152 |
| 6.3 Si MOS FETおよびSi MMICにおける寄生素子の影響 160 |
| 第7章 超高周波で用いられる受動回路部品 : 平面回路を中心として 165 |
| 7.1 集中定数回路素子 165 |
| 7.1.1 抵抗 165 |
| 7.1.2 キャパシタ 167 |
| 7.1.3 インダクタ 170 |
| 7.2 伝送線路応用デバイス 173 |
| 7.2.1 4分の1波長インピーダンス変換器 173 |
| 7.2.2 ウィルキンソン型電力分配合成器 174 |
| 7.2.3 ブランチライン型結合器 177 |
| 7.2.4 パッチアンテナ 181 |
| 7.3 集中定数回路と分布定数回路の対応 184 |
| 7.4 その他のよく使われるマイクロ波受動回路部品 187 |
| 7.4.1 同軸ケーブルおよび同軸コネクタ 187 |
| 7.4.2 サーキュレータ 189 |
| 7.4.3 フィルタ 190 |
| 第8章 超高周波回路における非線形現象とその応用 193 |
| 8.1 線形回路理論の適用限界と非線形回路理論の導入 193 |
| 8.2 非線形回路特有の現象 196 |
| 8.2.1 高調波の発生 196 |
| 8.2.2 混合 197 |
| 8.2.3 相互変調歪み 197 |
| 8.2.4 分数調波の発生 199 |
| 8.3 マルチキャリアの増幅 202 |
| 8.4 歪特性の定量的把握 206 |
| 8.5 高調波の処理と電力効率の改善 209 |
| 8.6 超高速ディジタル回路 213 |
| 付録 |
| 【付録1】スネルの法則 221 |
| 【付録2】等角写像 222 |
| 【付録3】電子親和力差のないヘテロpn接合を流れる電流 224 |
| 索引 227 |
| はじめに |
| 第1章 超高周波エレクトロニクスが支えるマルチメディアシステム 1 |
| 1.1 無線通信システムと超高周波部品 1 |
図書
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