| 第1編 FED研究開発の流れ（金丸正剛） |
| 第1章 FED開発の歴史 |
| 1. 真空マイクロエレクトロニクス 3 |
| 2. フィールドエミッションディスプレイの開発 4 |
| 第2章 電界放出現象 |
| 1. Fowler-Nordheim則 7 |
| 2. フィールドエミッタアレイの電界電子放出特性 10 |
| 3. 半導体からの電界電子放出 11 |
| 第3章 FEDの構造と動作 |
| 1. ディスプレイパネルの基本構造 12 |
| 1.1 電子源 13 |
| 1.2 アノード基板，スペーサ 15 |
| 1.3 蛍光体 16 |
| 第4章 新しい電子源を用いたFED |
| 1. カーボンナノチューブFED 17 |
| 2. 表面伝導エミッタを利用したディスプレイ 18 |
| 3. 弾道電子エミッタを利用したディスプレイ 19 |
| 4. シリコンエミッタを利用した多機能FED 19 |
| 第2編 FED用冷陰極 |
| 第1章 金属マイクロエミッタ（Spindt型）およびその他のエミッタ（伊藤茂生，田中満） |
| 1. はじめに 25 |
| 2. FEDについて 26 |
| 3. Spindt型エミッタ実装FED 26 |
| 4. Spindt型エミッタ実装FEDの現状 31 |
| 5. ナノカーボンエミッタ 33 |
| 6. その他のエミッタ 35 |
| 7. おわりに 36 |
| 第2章 カーボンナノチューブエミッタ |
| 1. CNTエミッタの電子放出特性（畑浩一，齋藤弥八） 39 |
| 1.1 はじめに 39 |
| 1.2 電界放出顕微鏡法（Field Emission Microscopy：FEM） 39 |
| 1.3 CNTの電子放出像 42 |
| 1.3.1 CNT先端の五員環 42 |
| 1.3.2 電子線干渉縞 43 |
| 1.3.3 五員環面上でのガス分子の吸着と脱離 44 |
| 1.4 単一五員環からの電界放出電子のエネルギー分布 45 |
| 1.5 各種CNTの電流-電圧特性 46 |
| 1.6 単一五員環から放出された電子線の輝度 47 |
| 2. フィールドエミッション用CNTの作製 49 |
| 2.1 アーク放電法（稲倉秀樹） 49 |
| 2.1.1 はじめに 49 |
| 2.1.2 カーボンナノチューブの主な合成法 49 |
| 2.1.3 アーク放電法によるナノチューブの合成 51 |
| 2.1.4 ナノチューブのエミッション特性 54 |
| 2.1.5 おわりに 54 |
| 2.2 カーボンナノチューブの化学気相成長（潘路軍，中山喜萬） 60 |
| 2.2.1 はじめに 60 |
| 2.2.2 熱化学気相成長法 60 |
| 2.2.3 プラズマ化学気相成長法 64 |
| （1） マイクロ波プラズマ化学気相成長法 64 |
| （2） 直流プラズマとプラズマエンハンスドホットフィラメントを用いる方法 65 |
| 2.2.4 おわりに 67 |
| 3. 高電圧ランプ型蛍光表示管（齋藤弥八） 70 |
| 3.1 ランプ型表示素子 70 |
| 3.2 超高輝度光源管 72 |
| 3.2.1 光源管の構造 72 |
| 3.2.2 電子放出および発光特性 74 |
| 4. 大型VFDと大型FED（齋藤弥八） 76 |
| 4.1 大面積フラット型蛍光表示管 76 |
| 4.2 大型FED 77 |
| 5. 高精細FED（小沼和夫） 81 |
| 5.1 はじめに 81 |
| 5.2 CNT-FED（カーボンナノチューブFED）の構造と特徴 81 |
| 5.3 高精細フラットパネルディスプレイとしてのFEDの要件と特徴 82 |
| 5.4 微細なピクセルを実現するための電子放出技術 83 |
| 5.5 CNT（カーボンナノチューブ）を用いたFED技術 86 |
| 5.5.1 積層型CNT-FED技術 84 |
| 5.5.2 裏面露光型CNT-FED 90 |
| 5.6 高精細フラットパネルディスプレイとしてのFEDの展望 92 |
| 5.7 おわりに 93 |
| 第3章 横型薄膜エミッタ（近藤行廣） |
| 1. はじめに 95 |
| 2. 薄膜エミッタへの期待 96 |
| 3. 星型エミッタの構造と作製プロセス 97 |
| 4. エミッションの安定化と軌道制御 99 |
| 5. おわりに 102 |
| 第4章 ナノ結晶シリコンエミッタBSD（菰田卓哉，越田信義） |
| 1. FEDの意義 105 |
| 2. ナノ結晶シリコンエミッタ（BSD）とは 106 |
| 3. BSDの構造と動作原理 107 |
| 4. ナノ構造評価 109 |
| 5. BSDの製法と構造 110 |
| 6. BSD電子源と特性 115 |
| 7. BSDのフラットパネルへの応用 118 |
| 8. BSDの課題 120 |
| 8.1 製造装置 120 |
| 8.2 スペーサ 121 |
| 8.3 蛍光体 121 |
| 8.4 品質評価 121 |
| 9. BSDの将来展開 121 |
| 10. おわりに 122 |
| 第5章 半導体トンネル陰極（MOSエミッタ）（三村秀典） |
| 1. はじめに 125 |
| 2. MOSトンネル陰極の構造と電子放出機構 125 |
| 3. MOSトンネル陰極の電子放射特性 128 |
| 3.1 n型Si MOSトンネル陰極 128 |
| 3.2 p型Si MOSトンネル陰極 132 |
| 4. おわりに 135 |
| 第6章 MIMエミッタ（楠敏明） |
| 1. はじめに 137 |
| 2. 従来のMIMエミッタ 137 |
| 2.1 MIMエミッタの構造と動作原理 137 |
| 2.2 フォーミング 138 |
| 3. FED用MIMエミッタ 138 |
| 3.1 陽極酸化による絶縁膜形成法 139 |
| 3.2 フォーミング処理しないMIMエミッタの特性 140 |
| 4. 電子放出比 142 |
| 4.1 放出電子のエネルギー分布 142 |
| 4.2 電子放出比の絶縁膜厚依存性 142 |
| 4.3 電子放出比の上部電極材料依存性 144 |
| 4.4 加熱によるIr-Pt-Au多層電極の自己薄膜化プロセス 146 |
| 5. MIM-FED 148 |
| 5.1 MIMエミッタアレイ作成技術 148 |
| 5.2 MIM-FEDパネルの作成技術 149 |
| 5.3 MIM-FEDの駆動方法 150 |
| 6. おわりに 152 |
| 第7章 転写モールド法によるエミッタアレイの作製（中本正幸） |
| 1. はじめに 155 |
| 2. 転写モールド法エミッタアレイ作製技術の目的 156 |
| 3. 転写モールド法によるFEAの作製プロセス 156 |
| 4. 転写モールド法によるFEAのSEM観察 158 |
| 5. 転写モールド法によるMo-FEAの電界電子放出特性 159 |
| 6. 転写モールド法による低仕事関数材料LaB6及びTiN-FEAの作製 161 |
| 6.1 転写モールド法によるLaB6及びTiN-FEAの作製プロセス 161 |
| 6.2 転写モールド法によるLaB6及びTiN-FEAのSEM観察 162 |
| 6.3 転写モールド法で作製したLaB6，TiN-FEAの電界電子放出特性 162 |
| 7. おわりに 166 |
| 第3編 FED用蛍光体 |
| 第1章 電子線励起用蛍光体（中西洋一郎） |
| 1. はじめに 169 |
| 2. 電子線励起による発光機構 169 |
| 2.1 励起過程の概要 169 |
| 2.2 発光効率に影響する電子線励起特有の現象 170 |
| 2.2.1 電子の侵入深さ 170 |
| 2.2.2 2次電子放出能 172 |
| 3. FED用蛍光体に必要な性質 172 |
| 3.1 導電性 172 |
| 3.2 高密度電子線励起下での発光効率の維持 173 |
| 3.3 高密度電子線照射による劣化の防止 173 |
| 3.4 粒径 174 |
| 3.5 薄膜 174 |
| 4. FED用蛍光体の現状 175 |
| 4.1 高電圧タイプ用蛍光体 175 |
| 4.2 低電圧タイプ用蛍光体 176 |
| 4.3 低抵抗蛍光体の形成 177 |
| 4.3.1 導電性極薄膜被覆蛍光体 177 |
| 4.3.2 導電性蛍光体 178 |
| 4.3.3 薄膜蛍光体 179 |
| 5. 電子線照射に対する蛍光体の安定化 182 |
| 6. おわりに 183 |
| 第4編 イメージセンサ |
| 第1章 高感度撮像デバイス（瀧口吉郎，江上典文） |
| 1. 構造と動作原理 187 |
| 1.1 構造と動作原理 187 |
| 1.2 メッシュ電極の役割 189 |
| 2. 主要撮像特性の決定要因 190 |
| 2.1 感度 190 |
| 2.2 ダイナミックレンジ 190 |
| 2.3 解像度 190 |
| 2.4 消費電力 190 |
| 3. 試作撮像板の諸特性 191 |
| 3.1 設計指針 191 |
| 3.2 仕様 196 |
| 3.3 試作 197 |
| 3.4 駆動条件 198 |
| 3.5 諸特性 198 |
| 3.5.1 感度 198 |
| 3.5.2 ダイナミックレンジ 200 |
| 3.5.3 放射電流の変動の影響 200 |
| 3.5.4 解像度 200 |
| 3.5.5 消費電力 202 |
| 3.5.6 寿命 203 |
| 4. 将来展望 204 |
| 4.1 超高感度 204 |
| 4.2 高精細 205 |
| 4.3 広ダイナミックレンジ 205 |
| 5. おわりに 205 |
| 第2章 赤外線センサ（澤田和明） |
| 1. はじめに 207 |
| 2. 原理 208 |
| 3. センシング特性 209 |
| 3.1 センサ構造 209 |
| 3.2 赤外線照射特性 211 |
| 3.3 引き出し電圧依存性 212 |
| 3.4 チョッピング駆動特性と電荷供給機構 212 |
| 3.5 放出電子のMCPによる増倍と画像化検討 214 |
| 4. おわりに 217 |
| 第1編 FED研究開発の流れ（金丸正剛） |
| 第1章 FED開発の歴史 |
| 1. 真空マイクロエレクトロニクス 3 |
| 2. フィールドエミッションディスプレイの開発 4 |
| 第2章 電界放出現象 |
| 1. Fowler-Nordheim則 7 |
