| 第1章 リソグラフィ技術の概要（岡崎信次） |
| 1. はじめに 1 |
| 2. 半導体集積回路の高集積化と光リソグラフィ技術の発展 2 |
| 3. 液浸露光技術 5 |
| 4. ダブルパターニング技術 6 |
| 5. さらなる光リソグラフィ技術の展開 8 |
| 6. EUVリソグラフィ技術の開発状況 9 |
| 7. その他のリソグラフィ技術の状況 13 |
| 8. おわりに 15 |
| 第2章 光化学反応の基礎（唐津孝） |
| 1. はじめに 18 |
| 1.1 フォトレジスト・フォトポリマーと光反応 18 |
| 1.2 光反応のポテンシャルエネルギー曲面 20 |
| 2. ラジカル開始剤の光化学 22 |
| 2.1 有機過酸化物 22 |
| 2.2 O-アシルオキシムの非垂直励起 23 |
| 3. 光誘起電子移動反応 24 |
| 3.1 HOMO-LUMOと電子移動 24 |
| 3.2 光誘起電子移動の基礎 26 |
| 3.2.1 光誘起電子移動の効率とRehem-Wellerの式 26 |
| 3.2.2 Marcusの理論と逆転領域 26 |
| 3.2.3 逆電子移動―増感剤と溶媒の効果，添加塩の効果，共増感 27 |
| 3.2.4 イオンラジカル中間体の反応性 28 |
| 3.3 光誘起電子移動反応の具体例 28 |
| 3.3.1 スチルベンと電子受容型オレフィン 28 |
| 3.3.2 ジフェニルメチルハライド 30 |
| 3.3.3 アリールエステル（ラジカル対中での電子移動） 31 |
| 3.3.4 オニウム塩 31 |
| 3.3.5 アゾ化合物 32 |
| 3.3.6 ケイ素化合物 33 |
| 4. まとめ 36 |
| 第3章 光酸発生剤（白井正充） |
| 1. はじめに 41 |
| 2. ArF化学増幅レジスト用PAG 41 |
| 3. EUV化学増幅レジスト用PAG 44 |
| 4. i-線用PAG 47 |
| 5. 種々のPAGからの酸発生機構 50 |
| 6. おわりに 53 |
| 第4章 従来型フォトレジスト―g，i線ノボラック系レジストを中心にして―（鴨志田洋一） |
| 1. はじめに 56 |
| 2. 半導体用フォトレジスト概要 56 |
| 3. ネガ型ゴム系フォトレジスト 57 |
| 4. ノボラック／ナフトキノンジアジド型レジスト 58 |
| 4.1 概要 58 |
| 4.2 組成 59 |
| 4.3 感光剤 60 |
| 4.4 ノボラック樹脂 61 |
| 4.5 溶剤 62 |
| 4.6 添加剤 62 |
| 4.7 イメージングメカニズム 62 |
| 4.8 レジストの透明性 64 |
| 4.9 プロセス条件とレジスト性能 66 |
| 4.9.1 レジスト塗布 66 |
| 4.9.2 露光 67 |
| 4.9.3 ポストエクスポージャーベーク（PEB） 67 |
| 4.9.4 現像 68 |
| 4.10 ノボラック／ナフトキノンジアジド型レジストの限界 69 |
| 5. その他のレジストシステム 70 |
| 6. おわりに 70 |
| 第5章 KrFレジスト（上野巧） |
| 1. はじめに 71 |
| 2. KrFリソグラフィとその露光装置 71 |
| 3. 化学増幅系レジスト 73 |
| 4. ポジ型化学増幅系レジスト 75 |
| 5. ネガ型化学増幅系レジスト 76 |
| 6. 酸発生剤 78 |
| 7. 化学増幅系レジストの課題 79 |
| 8. まとめ 81 |
| 第6章 ArFレジスト（岩佐繁之，長谷川悦雄） |
| 1. 光リソグラフィの開発経緯 84 |
| 2. ArFレジスト材料技術 85 |
| 2.1 レジスト技術の推移 85 |
| 2.2 ArFレジストへの要求特性と脂環式ポリマー 87 |
| 2.3 機能統合型ポリマー 88 |
| 2.4 光酸発生剤 93 |
| 2.5 ArF液浸用レジスト 94 |
| 3. おわりに 95 |
| 第7章 ArF液浸用レジスト |
| 1. ArF液浸用レジストの課題とその対策（清水宏明） 97 |
| 1.1 はじめに 97 |
| 1.2 トップコートレスArF液浸レジストの開発 97 |
| 1.2.1 トップコートプロセス 97 |
| 1.2.2 トップコートレスプロセス 98 |
| 1.2.3 トップコートレス化の実現 99 |
| 1.3 ArFレジストの高解像化 105 |
| 1.3.1 分離解像性の向上 105 |
| 1.3.2 酸拡散長の短拡散化 106 |
| 1.3.3 基材樹脂成分の酸拡散長に対する影響 108 |
| 1.4 まとめ 109 |
| 2. 富士フイルムのArF液浸プロセス用レジスト材料（樽谷晋司） 111 |
| 2.1 はじめに 111 |
| 2.2 低溶出性の技術 112 |
| 2.3 低浸透性及び高後退接触角の技術 114 |
| 2.4 高解像力と低LWR達成技術 116 |
| 2.5 液浸露光での画像及び欠陥性能 119 |
| 3. JSR（株）の液浸プロセス用材料（西村幸生） 122 |
| 3.1 はじめに 122 |
| 3.2 液浸プロセス用材料に求められる基本物性 123 |
| 3.2.1 溶出抑制 123 |
| 3.2.2 高い表面撥水性 125 |
| 3.3 液浸プロセス用材料の開発 127 |
| 3.3.1 液浸用トップコート材の開発 127 |
| 3.3.2 トップコートプロセス用液浸レジストの開発 129 |
| 3.3.3 ノントップコートプロセス用液浸レジストの開発 130 |
| 3.4 現像欠陥発生メカニズムとその取り組み 134 |
| 3.4.1 現像欠陥とその現状 134 |
| 3.4.2 欠陥発生メカニズム 134 |
| 3.4.3 現像欠陥発生抑制手法と今後の取り組み 135 |
| 3.5 まとめ 136 |
| 第8章 ダブルパターニング用材料 |
| 1. ダブルパターニング用レジスト（大森克実） 138 |
| 1.1 はじめに 138 |
| 1.2 ダブルパターニング技術について 139 |
| 1.3 Freezing free Posi/Posi process（ポジ・ポジプロセス） 140 |
| 1.3.1 ポジ・ポジプロセスのプロセスフロー 140 |
| 1.3.2 ポジ・ポジプロセスでの懸念点 140 |
| 1.3.3 ポジ・ポジプロセスの材料開発コンセプト 142 |
| 1.3.4 ポジ・ポジプロセスのパターニング例 144 |
| 1.4 まとめ 149 |
| 2. ダブルパターニングプロセス用ネガ現像プロセス（樽谷晋司） 151 |
| 2.1 ダブルパターニングプロセスにおけるネガ型画像形成方法の必要性 151 |
| 2.2 ネガ現像プロセスの原理及び性質 153 |
| 2.3 ネガ現像プロセスでのトレンチパターンパフォーマンス 154 |
| 2.4 ネガ現像プロセスの量産適性 155 |
| 2.5 ネガ現像プロセスの応用例1―密集ホールパターン形成 159 |
| 2.6 ネガ現像プロセスの応用例2―デュアルトーン現像による密集ラインパターン形成 161 |
| 2.7 おわりに 164 |
| 3. JSR（株）のダブルパターニング向けフリージングプロセス（藤原考一） 166 |
| 3.1 はじめに 166 |
| 3.2 フリージングプロセスを用いたDP形成 167 |
| 3.2.1 32nm Line/64nm Pitchリソパターン形成 168 |
| 3.2.2 フリージングプロセス適用時の焦点深度マージンとプロセスウィンドウ 169 |
| 3.2.3 各プロセスにおける1stリソパターンのCD変動 170 |
| 3.2.4 エッチング特性 171 |
| 3.2.5 フリージングプロセスを用いた30nm hp以下のパターン形成 171 |
| 3.2.6 各プロセスにおけるCritical Dimension Uniformity（CDU） 172 |
| 3.2.7 コンタクトホール形成 173 |
| 3.2.8 トレンチパターン形成 173 |
| 3.3 まとめ 174 |
| 第9章 EUVレジスト（小島恭子） |
| 1. EUVリソグラフィの概要 176 |
| 2. EUVレジスト材料 179 |
| 2.1 EUVレジストへの要求 179 |
| 2.2 EUVレジストの反応機構と材料選択指針 179 |
| 2.3 ポリマーをマトリクスとしたEUVレジスト材料 181 |
| 2.4 低分子ベースのEUVレジスト材料 185 |
| 2.4.1 低分子レジストとは 185 |
| 2.4.2 ポジ型低分子レジスト 185 |
| 2.4.3 ネガ型低分子レジスト 187 |
| 2.5 その他のEUVレジスト材料 188 |
| 2.5.1 シリコン系レジスト 188 |
| 2.5.2 酸発生剤結合ポリマーを用いたレジスト 189 |
| 2.5.3 単一成分低分子レジスト 189 |
| 2.5.4 非化学増幅系 190 |
| 3. 感度・解像度・LERのトレードオフに関する取り組み 191 |
| 3.1 感度・解像度・LERのトレードオフ 191 |
| 3.2 LER問題 192 |
| 3.3 LERの原因と対策 192 |
| 4. 今後の見通しとまとめ 193 |
| 第10章 電子線レジスト（上野巧） |
| 1. はじめに 197 |
| 2. 電子線レジストに要求される性質 198 |
| 3. 電子線が起こす反応（電子と分子との相互作用） 199 |
| 4. ポジ型電子線レジスト 200 |
| 4.1 主鎖切断型電子線レジスト（ポジ型） 200 |
| 4.2 アルカリ水溶液現像タイプポジ型電子線レジスト 202 |
| 4.3 化学増幅系ポジ型電子線レジスト 202 |
| 5. ネガ型電子線レジスト 204 |
| 5.1 架橋型電子線レジスト 204 |
| 5.2 アルカリ水溶液タイプネガ型電子線レジスト 205 |
| 5.3 化学増幅系ネガ型電子線レジスト 206 |
| 6. 分子レジスト 207 |
| 7. まとめ 209 |
| 第11章 分子レジスト |
| 1. 分子レジスト（1）（西久保忠臣，工藤宏人） 211 |
| 1.1 はじめに 211 |
| 1.2 分子レジストのコンセプトとこれまでの発展 213 |
| 1.2.1 カリックスアレーン類を基盤とする分子レジスト 215 |
| 1.2.2 ラダー環状分子レジスト 217 |
| 1.2.3 多価フェノール型分子レジスト 218 |
| 1.2.4 デンドリマー型分子レジスト 222 |
| 1.2.5 コール酸型分子レジスト 222 |
| 1.2.6 分子内にPAG残基を有する分子レジスト 224 |
| 1.3 西久保研の分子レジストの研究開発 224 |
| 1.3.1 シクロデキストリンを基盤としたArF分子レジスト材料の開発 225 |
| 1.3.2 光脱保護基を有するカリックスアレーン（CA）類の合成とその光反応性 227 |
| 1.3.3 ノーリアを基盤としたEB・EUVレジスト材料の開発 231 |
| 1.4 おわりに 235 |
| 2. 分子レジスト（2）（平山拓） 240 |
| 2.1 はじめに 240 |
| 2.2 低分子レジスト基材の探索 241 |
| 2.2.1 低分子レジスト基材の選択とアモルファス性 241 |
| 2.2.2 低分子レジスト基材のガラス転移温度 244 |
| 2.2.3 エッチング耐性の評価 244 |
| 2.2.4 アウトガス特性 245 |
| 2.2.5 リソグラフィ特性とラフネス解析 248 |
| 2.2.6 低分子ネガレジスト 250 |
| 2.3 保護基数ばらつきのない低分子レジスト 252 |
| 2.3.1 保護基数分散とリソグラフィ特性 252 |
| 2.3.2 低分子レジストの高Tg化 254 |
| 2.4 おわりに 256 |
| 第12章 反射防止材料 |
| 1. ボトム型反射防止膜（中島康之，岸岡高広，坂本力丸） 260 |
| 1.1 はじめに 260 |
| 1.2 KrF・ArF用反射防止膜の要求特性 260 |
| 1.3 液浸リソグラフィー用反射防止膜 264 |
| 1.4 ダブルパターニング用反射防止膜 266 |
| 1.5 EUV用下層膜 268 |
| 1.6 現像液可溶型反射防止膜 269 |
| 1.7 デュアルダマシン用反射防止膜 271 |
| 1.8 多層レジストプロセス材料 273 |
| 2. 反射防止トップ材料（片山朋英） 277 |
| 2.1 概要 277 |
| 2.2 反射防止トップ材料の基本光学原理 277 |
| 2.3 反射防止トップ材料の適用工程とそのメリット 278 |
| 2.4 第一世代の反射防止トップ材料設計 278 |
| 2.5 PFOS/PFOAの環境に対する動向 279 |
| 2.6 PFOS/PFOAフリー反射防止トップ材料 279 |
| 2.7 おわりに 280 |
| 第13章 UVナノインプリント用材料（坂井信支，平澤玉乃） |
| 1. はじめに 282 |
| 2. UV-NIL用光硬化性樹脂 283 |
| 2.1 ラジカル重合型樹脂 284 |
| 2.2 カチオン重合型樹脂 285 |
| 2.3 エン-チオール型樹脂 286 |
| 2.4 珪素含有樹脂 286 |
| 2.5 フッ素含有樹脂 287 |
| 2.6 硬化後除去可能な樹脂 287 |
| 3. 特性試験 288 |
| 3.1 基本プロセス特性試験 288 |
| 3.1.1 離型性 288 |
| 3.1.2 基板との密着性 292 |
| 3.1.3 反応率 292 |
| 3.1.4 転写精度 293 |
| 3.1.5 粘度 293 |
| 3.2 用途別特性試験 293 |
| 3.2.1 永久部材用樹脂の特性試験 294 |
| 3.2.2 リソグラフィー応用 296 |
| 4. まとめ 298 |
| 第14章 ブロック共重合体リソグラフィ（山口徹） |
| 1. はじめに 302 |
| 2. ブロック共重合体リソグラフィとは 302 |
| 3. ブロック共重合体リソグラフィ 304 |
| 3.1 ランダム系 304 |
| 3.1.1 球状相 304 |
| 3.1.2 垂直シリンダー相 306 |
| 4. 誘導自己組織化技術 307 |
| 4.1 グラフォエピタキシ技術 307 |
| 4.2 化学エピタキシ技術 312 |
| 5. おわりに 316 |
| 第1章 リソグラフィ技術の概要（岡崎信次） |
| 1. はじめに 1 |
| 2. 半導体集積回路の高集積化と光リソグラフィ技術の発展 2 |
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