| 1. 半導体の特徴とエネルギーバンド構造 1 |
| 1.1 半導体の特徴 1 |
| 1.2 エネルギーバンド構造 1 |
| 1.2.1 原子の構造とエネルギー準位 1 |
| 1.2.2 固体の構造とエネルギーバンド 3 |
| 1.2.3 結晶中の電子の運動（有効質量近似） 6 |
| 1.3 エネルギーバンド構造の見方と物性 7 |
| 2. 半導体のキャリヤと電気伝導 11 |
| 2.1 真性半導体と外因性半導体 11 |
| 2.1.1 真性半導体のキャリヤ 11 |
| 2.1.2 外因性半導体のキャリヤ 12 |
| 2.2 半導体のフェルミ準位とキャリヤ密度 13 |
| 2.2.1 状態密度とフェルミ準位 13 |
| 2.2.2 キャリヤ密度の導出 16 |
| 2.2.3 pn積一定の法則 17 |
| 2.2.4 キャリヤ密度の温度依存性 18 |
| 2.3 半導体中の電気伝導 20 |
| 2.3.1 半導体のキャリヤの流れ 20 |
| 2.3.2 キャリヤ連続の式 24 |
| 3. 芒躇接合ダイオードとショットキー障壁ダイオード 28 |
| 3.1 pn接合の物理 28 |
| 3.2 pn接合の整流性 29 |
| 3.2.1 整流性の原理 29 |
| 3.2.2 整流特性の導出 31 |
| 3.3 pn接合の静電容量 35 |
| 3.3.1 空乏層幅 35 |
| 3.3.2 空乏層容量 37 |
| 3.4 pn接合の逆電圧降伏 38 |
| 3.5 ショットキー接触と整流性 39 |
| 3.5.1 ショットキー接触の原理 39 |
| 3.5.2 ショットキー障壁と電流-電圧特性 40 |
| 4. バイポーラトランジスタ 45 |
| 4.1 基本構造と動作原理 45 |
| 4.2 ベース接地回路の電流増幅率 48 |
| 4.2.1 電流増幅率の定義 48 |
| 4.2.2 電流増幅率の物理 49 |
| 4.2.3 電流増幅率の周波数依存性 53 |
| 4.3 各種接地回路の電流増幅率 55 |
| 5. MOS型電界効果トランジスタ 59 |
| 5.1 MOS構造と基本特性 59 |
| 5.1.1 エネルギーバンド構造 59 |
| 5.1.2 容量ゲート電圧（C-V）特性 64 |
| 5.2 MOS型電界効果トランジスタの基本特性 66 |
| 5.2.1 基本構造と動作原理 66 |
| 5.2.2 出力特性 67 |
| 5.2.3 相互コンダクタンス 71 |
| 5.3 MOS型電界効果トランジスタの微細化と課題 71 |
| 6. 大規模集積回路 76 |
| 6.1 大規模集積回路の分類 77 |
| 6.2 大規模集積回路の基本回路 79 |
| 6.2.1 論理LSI 79 |
| 6.2.2 メモリLSI 84 |
| 参考図書 90 |
| 演習問題解答 91 |
| 索引 107 |
図書
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