| まえがき i |
| 《プロローグ》 |
| 電子機器の小型化・高性能化と積層セラミックスデバイスの開発 1 |
| Ⅰ. 材料開発 編 |
| 誘電体材料 6 |
| 1.チタン酸バリウムの合成方法 6 |
| 2.チタン酸バリウムの技術トレンド 7 |
| 2.1 微細高結晶化（高c／a比） 7 |
| 2.2 粒子径の均一性および高分散性 13 |
| 2.3 複合化および表面コート 14 |
| 3.非鉛系圧電体材料への展開 14 |
| 磁性体材料 20 |
| 1.フェライトの製造方法 20 |
| 2.NiCuZnフェライトの低温焼結 21 |
| 2.1 実験方法 21 |
| 2.2 実験結果および考察 23 |
| 圧電体材料 33 |
| 1.圧電効果を示す式 33 |
| 2.強誘電体物性 35 |
| 2.1 結晶構造、キュリー点、P―Eヒシテリシス曲線、S―E曲線 35 |
| 2.2 評価技術 36 |
| 3.3種の電界誘起歪み（圧電、電歪、電界誘起強制相移転） 38 |
| 4.圧電セラミックスの特性改良 41 |
| 4.1 圧電セラミックスの発見から発展まで 41 |
| 4.2 各サイトの酸化物置換 43 |
| 4.3 変性PZT 44 |
| 4.4 三成分系セラミックス 44 |
| 5.積層化技術 46 |
| Ni電極 51 |
| 1.液体のチタン酸バリウムレジネートの開発 51 |
| 2.微小粒径化による薄膜Ni電極ペーストの開発 55 |
| 2.1 ナノ粒子を用いた薄膜ペーストの特徴 55 |
| 2.2 Niナノ粒子およびBaTiO3レジネートを用いたMLCC積層評価 58 |
| 3.次世代薄膜Ni電極の開発 60 |
| 3.1 フレーク粉を用いた薄膜ペーストの特徴 60 |
| 3.2 Niフレーク粉およびBaTiO3レジネートを用いたMLCC積層評価 63 |
| コーティング電極 67 |
| 1.セラミックスグリーンシートと電極の多積層同時焼結化 67 |
| 2.積層・焼結に適した電極ぺースト 68 |
| 2.1 電極ペーストにおける収縮調整の必要性 68 |
| 2.2 各種手法による収縮調整 70 |
| 2.3 セラミックスコーティング金属粉末 73 |
| 3.応用例 76 |
| 3.1 LTCC用無収縮プロセス対応Ag内部電極、ビア充填用ペースト 76 |
| 3.2 LTCC用Ag表層・端子電極ペースト 78 |
| 3.3 ファインパターン対応 79 |
| Ⅱ. プロセス技術 編 |
| 粉砕・分散 84 |
| 1.粉砕・分散の高効率化と高精度化 84 |
| 2.メディア径による被粉砕・分散粉体への影響 86 |
| 3.ミル部材材質による被粉砕・分散粉体への影響 88 |
| 4.微細粉体の分散 89 |
| シート成形 91 |
| 1.スロット・ダイ方式 91 |
| 1.1 スロット・ダイ方式の原理 91 |
| 1.2 オフ・ロール方式とオン・ロール方式 94 |
| 2.高速・薄膜成形のための要件 95 |
| 2.1 リップの形状 95 |
| 2.2 成膜厚みとクリアランス 97 |
| 2.3 成膜速度と粘度 98 |
| 2.4 成膜厚みと速度 100 |
| 2.5 スロット・ダイのリップ厚み 102 |
| 3.スロット・ダイ方式による成形ライン 102 |
| 3.1 乾燥炉 102 |
| 3.2 スロット・ダイとスラリー 104 |
| 3.3 薄膜成形の条件 105 |
| Ⅲ. 応用デバイス 編 |
| 積層コンデンサ 108 |
| 1.積層セラミックスコンデンサの小型化・高容量化 108 |
| 2.Ni電極積層セラミックスコンデンサの技術動向 110 |
| 2.1 耐還元性誘電体材料 110 |
| 2.2 誘電体材料の微細化 113 |
| 3.積層セラッミクスコンデンサの特性と用途 117 |
| 積層インダクタ 123 |
| 1.積層チップインダクタの商品化経緯 123 |
| 2.積層フェライトチップインダクタ 124 |
| 2.1 構造と性能 124 |
| 2.2 製造方法 126 |
| 2.3 要素技術 126 |
| 2.4 インダクタンスの狭交差化技術 128 |
| 2.5 電気特性 131 |
| 3.積層セラミックスインダクタ 132 |
| 3.1 構造と性能 132 |
| 3.2 要素技術 133 |
| 3.3 Q特性の向上技術 133 |
| 3.4 電気特性 135 |
| 積層バリスタ 137 |
| 1.積層バリスタの構造と製造工程 137 |
| 2.積層バリスタの設計 140 |
| 3.積層バリスタの電気特性 142 |
| 4.積層バリスタの信頼性と実使用環境の影響 148 |
| 積層PTCサーミスタ 152 |
| 1.積層化における技術ポイント 153 |
| 1.1 PTC特性の原理 153 |
| 1.2 積層化の難しさ 154 |
| 1.3 耐還元性BaTiO3半導体材料の探索 156 |
| 1.4 積層化による低抵抗化 158 |
| 1.5 積層化時の耐電圧の維持 159 |
| 2.積層PTCサーミスタの特性 162 |
| 2.1 初期の電気特性 162 |
| 2.2 信頼性 164 |
| 積層NTCサーミスタ 167 |
| 1.サーミスタの用途 167 |
| 2.チップサーミスタの種類および特徴 170 |
| 3.サーミスタ素子に要求されること 172 |
| 3.1 電気特性と材料組成 172 |
| 3.2 耐メッキ性 175 |
| 3.3 耐久性 177 |
| 3.4 高精度化への対応 179 |
| 4.製造プロセス 182 |
| 積層圧電デバイス 185 |
| 1.積層型セラミックススピーカの動作原理と特徴 185 |
| 2.積層型セラミックススピーカの音圧特性 190 |
| 3.積層型セラミックススピーカとダイナミックスピーカにおける薄さの比較 192 |
| 4.積層型セラミックススピーカの省エネ特性 194 |
| 5.さらなる薄型化へのアプローチ 196 |
| 索引 200 |
| まえがき i |
| 《プロローグ》 |
| 電子機器の小型化・高性能化と積層セラミックスデバイスの開発 1 |
| Ⅰ. 材料開発 編 |
| 誘電体材料 6 |
| 1.チタン酸バリウムの合成方法 6 |
