Optical properties

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Optical properties / H. Haug ... [et al.] ; edited by C. Klingshirn

資料種別:

図書

出版情報:

Berlin : Springer-Verlag, c2001-2007

形態:

3 v. ; 28 cm. + 2 CD-ROM

シリーズ名:

Landolt-Börnstein Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaften und Technik, Neue Serie / Gesamtherausgabe, K.-H. Hellwege ; Group 3 . Condensed matter ; v. 34 . Semiconductor quantum structures ; subv. C <BA00140295>

著者名:

Haug, Hartmut <DA02488383>

A, Ishida

Klingshirn, C. F. (Claus F.), 1944- <DA09289771>

Tacke, M., 1958- <DA02698400>

Woggon, Ulrike, 1958- <DA10301375>

Gaponenko, S. V. (Sergey V.), 1958- <DA11722947>

Kasper, E.

Koshida, N.

Pearsall, T.(Thomas) P. <DA02851100>

ISBN:

9783540617402 [354061740X] (pt. 1)
9783540443391 [3540443398] (pt. 2)
9783540296478 [3540296476] (pt. 3)

書誌ID:

BA53125664

子書誌情報

フルテキスト

所蔵情報

他の版・巻

書誌詳細

その他の標題:

Landolt-Börnstein Numerical data and functional relationships in science and technology

注記:

Author: pt. 2. S.V. Gaponenko, H. Kalt, U. Woggon

主題:

科学--参考図書［レファレンスブック］

言語:

英語

目次情報:

Landolt-BÃ¶rnstein

Group III: Condensed Matter

Semiconductor Quantum Structures / Volume 34：

Optical Properties (Part 2) / Subvolume C2：

Introductory material

Low-dimensional structures of II-VI compounds / 5：

General properties / H. Kalt5.1：

Introduction / 5.1.1：

Some basic properties of bulk II-VI compounds / 5.1.2：

Band-gap energies / 5.1.2.1：

Excitonic properties / 5.1.2.2：

Alignment of electronic bands / 5.1.3：

References for 5.1 / 5.1.4：

Quantum-well structures of II-VI compounds / 5.2：

(Hg,X)Te quantum wells / 5.2.1：

Low-density regime / 5.2.1.1：

Electronic states in quantum wells / 5.2.1.1.1：

Electron-hole and excitonic transitions / 5.2.1.1.2：

Modification of the optical properties by internal fields / 5.2.1.2：

Modification of the optical properties by external fields / 5.2.1.3：

High-density regime and nonlinear optics / 5.2.1.4：

References for 5.2.1 / 5.2.1.5：

CdTe quantum wells / 5.2.2：

Excitonic transitions / 5.2.2.1：

Localized excitons / 5.2.2.1.3：

Polariton effects / 5.2.2.1.4：

Strained quantum wells / 5.2.2.2：

Piezoelectric quantum wells / 5.2.2.2.2：

Hydrostatic pressure / 5.2.2.3：

External electric fields / 5.2.2.3.2：

External magnetic fields / 5.2.2.3.3：

The intermediate-density regime / 5.2.2.4：

Exciton-exciton interaction / 5.2.2.4.1：

Excitonic lasing and optical gain / 5.2.2.4.2：

Biexcitons / 5.2.2.4.3：

The high-density regime / 5.2.2.5：

One-component plasma (2DEG) / 5.2.2.5.1：

Electron-hole plasma / 5.2.2.5.2：

Coherent dynamics and relaxation of optical excitations / 5.2.2.6：

Coherent interactions / 5.2.2.6.1：

Dephasing mechanisms and homogeneous linewidth / 5.2.2.6.2：

Relaxation processes / 5.2.2.6.3：

Transport phenomena of excitons and trions / 5.2.2.6.4：

Radiative and nonradiative recombination / 5.2.2.6.5：

References for 5.2.2 / 5.2.2.7：

(Cd,Zn)Te, (Cd,Mn)Te, and (Cd,Mg)Te quantum wells / 5.2.3：

The intermediate and high-density regimes / 5.2.3.1：

References for 5.2.3 / 5.2.3.4：

ZnTe quantum wells / 5.2.4：

Excitons and polaritons / 5.2.4.1：

Optical nonlinearities and high-density effects / 5.2.4.3：

References for 5.2.4 / 5.2.4.4：

Telluride diluted-magnetic semiconductor quantum-well structures: (Hg,Mn)Te, (Cd,Mn)Te, and (Zn,Mn)Te QWs; Se/Te type-II QWs / 5.2.5：

Zeeman splitting and its applications / 5.2.5.1：

Giant Zeeman splitting / 5.2.5.1.1：

Magnetic-field induced type-I to type-II transition / 5.2.5.1.2：

Interface effects in non-DMS/DMS QW structures / 5.2.5.1.3：

Magnetic-field induced circular birefringence / 5.2.5.1.4：

Coulomb-bound electron-hole pairs and complexes (low-density regime) / 5.2.5.2：

Magnetic polarons / 5.2.5.2.1：

Donor-acceptor pair recombination / 5.2.5.2.3：

The intermediate and high-density regime / 5.2.5.3：

Spin-aligned excitons / 5.2.5.3.1：

Spin-aligned magnetoplasma / 5.2.5.3.2：

Two-dimensional electron or hole gas / 5.2.5.3.3：

Coherent spin dynamics and spin injection / 5.2.5.4：

Spin relaxation / 5.2.5.4.2：

Exciton dephasing and homogeneous broadening / 5.2.5.4.3：

Formation dynamics of magnetic polarons / 5.2.5.4.4：

Recombination processes / 5.2.5.4.5：

References for 5.2.5 / 5.2.5.5：

Telluride/Selenide quantum wells / 5.2.6：

High-density regime and dynamics / 5.2.6.1：

References for 5.2.6 / 5.2.6.3：

HgSe and (Hg,Cd)Se quantum wells / 5.2.7：

References for 5.2.7

CdSe quantum wells / 5.2.8：

High-density regime / 5.2.8.1：

Relaxation dynamics / 5.2.8.3：

References for 5.2.8 / 5.2.8.4：

(Cd,Zn)Se quantum wells / 5.2.9：

Modifications of the optical properties by internal fields / 5.2.9.1：

Piezoelectric fields / 5.2.9.2.1：

Modifications of the optical properties by external fields / 5.2.9.3：

Excitonic interactions and Pauli blocking / 5.2.9.3.1：

Two-photon absorption and second harmonic generation / 5.2.9.4.2：

Localized biexcitons / 5.2.9.4.3：

Excitonic and biexcitonic stimulated emission and optical gain / 5.2.9.4.4：

Fermi-edge singularity / 5.2.9.5：

Correlated electron-hole plasma / 5.2.9.5.2：

Coherent interactions and dephasing / 5.2.9.6：

Transport phenomena / 5.2.9.6.2：

Dynamics of gain and stimulated emission / 5.2.9.6.4：

Radiative and non-radiative recombination / 5.2.9.6.5：

References for 5.2.9 / 5.2.9.7：

ZnSe quantum wells / 5.2.10：

Strain and piezoelectric fields / 5.2.10.1：

Transient internal space charge fields / 5.2.10.2.2：

Electric fields / 5.2.10.3：

Magnetic fields / 5.2.10.3.3：

Excitonic gain and lasing / 5.2.10.4：

Nonlinear optical effects / 5.2.10.4.4：

Optical gain and lasing / 5.2.10.5：

Hot-exciton relaxation / 5.2.10.6：

Lateral transport / 5.2.10.6.4：

References for 5.2.10 / 5.2.10.6.6：

Selenide-based quantum wells containing Be, Mg, or S in the well / 5.2.11：

References for 5.2.11

Selenide diluted-magnetic semiconductor quantum-well structures: (Cd,Mn)Se, (Zn,Mn)Se, and (Zn,Fe)Se QWs / 5.2.12：

Two-dimensional electron gas / 5.2.12.1：

Spin dephasing and relaxation / 5.2.12.4：

Dynamics of magnetic polarons / 5.2.12.4.2：

References for 5.2.12 / 5.2.12.4.3：

Zincblende Sulphide/Selenide type-II quantum wells / 5.2.13：

References for 5.2.13

CdS/ZnS and (Cd,Zn)S/ZnS quantum wells / 5.2.14：

Intermediate and high-density regime / 5.2.14.1：

Exciton dynamics / 5.2.14.4：

References for 5.2.14 / 5.2.14.5：

ZnS/(Zn,Mg)S quantum wells / 5.2.15：

References for 5.2.15

ZnO and (Zn,Cd)O quantum wells / 5.2.16：

Dynamics of optical excitations / 5.2.16.1：

References for 5.2.16 / 5.2.16.5：

Superlattices and coupled quantum-well structures of II-VI compounds / 5.3：

(Hg,X)Te superlattices / 5.3.1：

Electronic states in superlattices / 5.3.1.1：

References for 5.3.1 / 5.3.1.1.2：

CdTe/(Cd,X)Te and (Cd,X)Te/ZnTe superlattices and coupled quantum wells / 5.3.2：

Transient effects and dynamics / 5.3.2.1：

References for 5.3.2 / 5.3.2.5：

Telluride diluted magnetic semiconductor superlattices and coupled quantum wells / 5.3.3：

Electronic states in DMS SLs / 5.3.3.1：

Spin states in DMS SLs / 5.3.3.2：

Polaritons / 5.3.3.3：

Dynamic processes / 5.3.3.5：

References for 5.3.3 / 5.3.3.6：

Telluride/Selenide and Telluride/Sulphide superlattices / 5.3.4：

Electronic states in type-II SLs / 5.3.4.1：

Excitons and isoelectronic traps / 5.3.4.2：

High-excitation regime / 5.3.4.3：

References for 5.3.4 / 5.3.4.5：

CdSe, ZnSe, (Cd,Zn)Se, and (Zn,Mg)(S,Se) superlattices and coupled quantum wells / 5.3.5：

Electronic states in strained-layer superlattices / 5.3.5.1：

Optical functions in superlattices and multiple quantum wells / 5.3.5.1.2：

Magnetic field / 5.3.5.1.3：

References for 5.3.5 / 5.3.5.4：

Selenide DMS superlattices and coupled quantum wells / 5.3.6：

Electronic states in diluted magnetic semiconductor superlattices (DMS SLs) / 5.3.6.1：

Spin-relaxation and spin injection / 5.3.6.1.2：

References for 5.3.6 / 5.3.6.3：

CdSe/CdS and CdS/ZnSe intrinsic Stark superlattices / 5.3.7：

References for 5.3.7 / 5.3.7.1：

Zincblende Sulphide/Selenide superlattices / 5.3.8：

References for 5.3.8

CdS/ZnS, CdS/(Cd,ZnS), and (Cd,Zn)S/ZnS superlattices / 5.3.9：

References for 5.3.9

Quantum-wire structures / 5.4：

Telluride quantum wires / 5.4.1：

Selenide quantum wires / 5.4.1.1：

Electron-phonon coupling / 5.4.2.1：

Optical gain / 5.4.2.1.3：

Exciton recombination / 5.4.2.3：

Sulfide quantum wires / 5.4.3：

Oxide quantum wires / 5.4.4：

Semimagnetic quantum wires / 5.4.5：

Mn-related transitions / 5.4.5.1：

Magneto-optics / 5.4.5.2：

References for 5.4 / 5.4.6：

II-VI Quantum dots I - Nanocrystals / U. Woggon ; S.V. Gaponenko5.5：

HgTe / 5.5.1：

CdTe / 5.5.2：

The low-density regime / 5.5.2.1：

Size-dependent energy states / 5.5.2.1.1：

Splitting of states / 5.5.2.1.2：

Interaction with phonons / 5.5.2.1.3：

Impurity states / 5.5.2.1.4：

Coherent dynamics, relaxation and recombination of optical excitations / 5.5.2.2：

Dot-dot interactions, quantum dot arrays / 5.5.2.5：

(Cd,Hg)Te / 5.5.3：

Cd(Te,Se) and Cd(Te,S) / 5.5.4：

ZnTe / 5.5.5：

HgSe / 5.5.6：

CdSe / 5.5.7：

Biexciton states / 5.5.7.1：

Nonlinear optical coefficients / 5.5.7.2.2：

Stimulated emission and optical gain / 5.5.7.2.3：

Dephasing times and homogeneous linewidth / 5.5.7.3：

Cd(Se,S) / 5.5.7.4.2：

(Cd,Mn)Se / 5.5.8.1：

(Cd,Zn)Se / 5.5.10：

ZnSe / 5.5.11：

HgS / 5.5.11.1：

CdS / 5.5.13：

Nonlinear-optical coefficients / 5.5.13.1：

(Zn,Cd)S / 5.5.13.2.3：

(Zn,Mn)S / 5.5.15：

ZnS / 5.5.16：

CdO / 5.5.16.1：

ZnO / 5.5.18：

References for 5.5 / 5.5.18.1：

II-VI Quantum dots II - Self-organized, epitaxially grown nanostructures / 5.6：

Excitonic states and their fine structure / 5.6.1：

Charged excitons / 5.6.2.1.2：

(Cd,Mn)Te, (Cd,Mg)Te / 5.6.2.1.3：

CdSe and ZnCdSe / 5.6.4：

References for 5.6 / 5.6.6.1：

Landolt-BÃ¶rnstein

Group III: Condensed Matter

Semiconductor Quantum Structures / Volume 34：

Optical Properties (Part 2) / Subvolume C2：

Introductory material

Low-dimensional structures of II-VI compounds / 5：

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