| 序文 i |
| 第1章 マイクロ波装置における能動素子回路 1 |
| 第2章 電界効果トランジスタ(FET) 7 |
| 2.1 GaAs FET(Field Effect Transistor) 7 |
| 2.1.1 動作原理と構造 7 |
| 2.1.2 等価回路モデル 15 |
| 2.2 2次元電子ガスによるFETの高性能化 19 |
| 第3章 バイポーラトランジスタ-FETとの比較において- 31 |
| 3.1 バイポーラトランジスタの動作原理-ヘテロ接合の導入 31 |
| 3.1.1 電流利得 31 |
| 3.1.2 高周波特性 35 |
| 3.1.3 電子走行時間 38 |
| 3.1.4 大信号等価回路モデル 43 |
| 3.2 バイポーラトランジスタの構造 47 |
| 3.3 バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタとの比較 54 |
| 3.3.1 雑音特性の比較 54 |
| 3.3.2 電力駆動特性の比較 57 |
| 3.3.3 直流投入電力密度 58 |
| 3.3.4 ひずみ特性 60 |
| 3.3.5 しきい電圧 62 |
| 3.3.6 総合比較 64 |
| 第4章 トランジスタの超高周波動作と電力利得 69 |
| 4.1 普遍量としての電力利得 69 |
| 4.2 負荷に最大の電力を供給するには 71 |
| 4.3 増幅器の電力利得を最大にする 73 |
| 4.4 電力利得の計算 79 |
| 4.5 安定性の判別 82 |
| 4.6 能動素子の普遍的パラメータの追求 86 |
| 4.7 最大発振周波数 f maxの定義 89 |
| 4.8 f max,fr の測定 91 |
| 第5章 増幅器の低雑音化 95 |
| 5.1 雑音の発生源 95 |
| 5.2 雑音指数と位相雑音 102 |
| 5.3 雑音指数の一般的表現 103 |
| 5.4 雑音指数の測定 110 |
| 5.5 低雑音増幅器 113 |
| 第6章 増幅器の高出力化 121 |
| 6.1 高出力増幅回路の一般的取扱い 121 |
| 6.2 高出力増幅器の高効率化 126 |
| 6.3 ひずみ特性 133 |
| 6.4 高出力増幅器の構成 138 |
| 6.5 寄生発振の防止 141 |
| 第7章 増幅器の広帯域化 145 |
| 7.1 広帯域回路の原形 145 |
| 7.2 負帰還による増幅器の広帯域化 148 |
| 7.3 R-C 基本回路とインピーダンス整合回路の両立 155 |
| 7.4 分布型構成による広帯域化 160 |
| 第8章 発振器 165 |
| 8.1 発振器の基本構成 165 |
| 8.2 発振器の位相雑音 170 |
| 8.3 位相雑音の低減 174 |
| 8.3.1 誘電体共振回路による周波数安定化 174 |
| 8.3.2 位相同期回路 176 |
| 8.3.3 注入同期 178 |
| 第9章 ミクサ(混合器) 183 |
| 9.1 ダイオードミクサ 183 |
| 9.1.1 ダイオードミクサの原理 183 |
| 9.1.2 ダイオードミクサの構成 195 |
| 9.2 トランジスタミクサ 197 |
| 9.2.1 トランジスタミクサの動作原理 197 |
| 9.2.2 トランジスタミクサの雑音指数 202 |
| 9.2.3 トランジスタミクサの構成例 204 |
| 章末問題の解答 207 |
| 付録 211 |
| 索引 |
| 序文 i |
| 第1章 マイクロ波装置における能動素子回路 1 |
| 第2章 電界効果トランジスタ(FET) 7 |
| 2.1 GaAs FET(Field Effect Transistor) 7 |
| 2.1.1 動作原理と構造 7 |
| 2.1.2 等価回路モデル 15 |
